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Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 70, Issue 19, 2004, Pages 1-9

Growth kinetics of Ge islands during Ga-surfactant-mediated ultrahigh vacuum chemical vapor deposition on Si(001)

(6) Portavoce, A a Kammler, M a Hull, R a Reuter, M C b Copel, M b Ross, F M b

a University of Virginia (United States)

b IBM T J WATSON RESEARCH CENTER (United States)

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SURFACTANT;

ARTICLE; PRESSURE; QUANTUM DOT; QUANTUM MECHANICS; SURFACE PROPERTY; TEMPERATURE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; VACUUM; VAPORIZATION; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

EID: 12444281708 PISSN: 01631829 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1103/PhysRevB.70.195306 Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.