Annealing-induced Ge/Si(100) island evolution

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 12, 2003, Pages 9583-9590

  Zhang, Yangting ^a   Drucker, Jeff ^a  

^a ARIZONA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MONOLAYERS; SILICON; WETTING;

ISLAND EVOLUTION;

GERMANIUM;

EID: 0038482133     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1575914     Document Type: Article

References (27)

1. J. Drucker, IEEE J. Quantum Electron. 38, 975 (2002).
2. G. Medeiros-Ribeiro, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams, Phys. Rev B 58, 3533 (1998).
3. Y.-W. Mo, D. E. Savage, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 65, 1020 (1990).
4. M. Tomitori, K. Watanabe, M. Kobayashi, and O. Nishikawa, Appl. Surf. Sci. 76/77, 322 (1994).
5. G. Medeiros-Ribeiro, A. M. Bratkovski, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams, Science (Washington, DC, U.S.) 279, 353 (1998).
6. M. Krishnamurthy, J. S. Drucker, and J. A. Venables, J. Appl. Phys. 69, 6461 (1991).
7. J. Drucker, Phys. Rev. B 48, 18203 (1993).
8. J. Drucker and S. Chaparro, Appl. Phys. Lett. 71, 614 (1997).
9. S. A. Chaparro, J. Drucker, Y. Zhang, D. Chandasekhar, M. R. McCartney, and D. J. Smith, Phys. Rev. Lett. 83, 1199 (1999).
10. S. A. Chaparro, Y. Zhang, J. Drucker, D. Chandrasekhar, and D. J. Smith, J. Appl. Phys. 87, 2245 (2000).
11. C. Ratsch, A. Zangwill, and P. Smilauer, Surf. Sci. 314, L937 (1994).
12. S. A. Chaparro, Y. Zhang, and J. Drucker, Appl. Phys. Lett. 76, 3534 (2000).
13. U. Denker, O. G. Schmidt, N.-Y. Jin-Philipp, and K. Eberl, Appl. Phys. Lett. 78, 3723 (2000).
14. G. Capellini, M. De Seta, and F. Evangelisti, Appl. Phys. Lett. 78, 303 (2000).
15. X. Z. Liao, J. Zou, D. J. H. Cockayne, Z. M. Jiang, X. Wang, and R. Leon, Appl. Phys. Lett. 77, 1304 (2000).
16. V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, and D. Bimberg, Phys. Rev. Lett. 75, 2968 (1995).
17. F. M. Ross, J. Tersoff, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 80, 984 (1998).
18. F. M. Ross, R. M. Tromp, and M. C. Reuter, Science (Washington, DC, U.S.) 286, 1931 (1999).
19. T. I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams, J. Appl. Phys. 85, 1159 (1999).
20. B. K. Chakraverty, J. Phys. Chem. Solids 28, 2413 (1967).
21. H. Sunamura, S. Fukatsu, N. Usami, and Y. Shiraki, J. Cryst. Growth 157, 265 (1995).
22. M. Floyd, Y. Zhang, K. P. Driver, J. Drucker, P. A. Crazier, and D. J. Smith, Appl. Phys. Lett. 82, 1473 (2003).
23. Y. Zhang, M. Floyd, J. Drucker, and G. K. Kellogg, J. Appl. Phys. 90, 4748 (2001).
24. Y. Zhang, M. Floyd, K. P. Driver, J. Drucker, P. A. Crozier, and D. J. Smith, Appl. Phys. Lett. 80, 3623 (2002).
25. O. Leifeld, E. Muller, D. Gratzmacher, B. Muller, and K. Kern, Appl. Phys. Lett. 74, 994 (1999).
26. H. Takamiya, M. Miura, N. Usami, T. Hattori, and Y. Shiraki, Thin Solid Films 369, 84 (2000).
27. T. I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 67, 727 (1998).