Islands as catalyst for film relaxation in Bi-mediated Ge epitaxy on Si(111)

Applied Surface Science

Volumn 162, Issue , 2000, Pages 256-262

  Falta, J ^a   Schmidt, T ^a   Materlik, G ^a   Zeysing, J ^a   Falkenberg, G ^a   Johnson, R L ^a  

^a UNIVERSITY OF HAMBURG   (Germany)

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DISLOCATIONS (CRYSTALS); EPITAXIAL GROWTH; MORPHOLOGY; RELAXATION PROCESSES; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTING GERMANIUM; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICON WAFERS; SURFACE ACTIVE AGENTS; SURFACE ROUGHNESS; X RAY ANALYSIS;

X RAY STANDING WAVES (XSW);

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0034246444     PISSN: 01694332     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0169-4332(00)00201-4     Document Type: Article

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