Influence of phosphine on Ge/Si(001) island growth by chemical vapor deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 6, 2003, Pages 4215-4224

  Kamins, T I ^a   Medeiros Ribeiro, G ^a,b   Ohlberg, D A A ^a   Williams, R Stanley ^a  

^a HEWLETT PACKARD LABORATORIES   (United States)

^b LABORATÓRIO NACIONAL DE LUZ SÍNCROTRON   (Brazil)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CRYSTAL ORIENTATION; INTERFACIAL ENERGY; PARTIAL PRESSURE; PHOSPHORUS COMPOUNDS;

SEGREGATION ENTHALPY;

GERMANIUM;

EID: 0141990479     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1604957     Document Type: Article

References (32)

1. D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).
2. Y. W. Mo, D. E. Savage, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 65, 1020 (1990).
3. T. I. Kamins, E. C. Carr, R. S. Williams, and S. J. Rosner, J. Appl. Phys. 81, 211 (1997).
4. G. Medeiros-Ribeiro, A. M. Bratkovski, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, and R. Stanley Williams, Science 279, 353 (1998).
5. R. Stanley Williams, G. Medeiros-Ribeiro, T. I. Kamins, and D. A. A. Ohlberg, Annu. Rev. Phys. Chem. 51, 527 (2000).
6. V. A. Shchukin, N. N. Ledentson, P. V. Kop'ev, and D. Bimberg, Phys. Rev. Lett. 75, 2968 (1995).
7. D. J. Eaglesham, F. C. Unterwald, and D. C. Jacobson, Phys. Rev. Lett. 70, 966 (1993).
8. H. Hibino, N. Shimizu, K. Sumitomo, Y. Shinoda, T. Nishioka, and T. Ogino, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 23 (1994).
9. O. G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl, O. Kienzle, and F. Ernst, Appl. Phys. Lett. 71, 2340 (1997).
10. T. I. Kamins, G. A. D. Briggs, and R. S. Williams, Appl. Phys. Lett. 73, 1862 (1998).
11. M. Katayama, T. Nakayama, M. Aono, and C. F. McConville, Phys. Rev. B 54, 8600 (1996).
12. M. Copel, M. C. Reuter, M. Horn von Hoegen, and R. M. Tromp, Phys. Rev. B 42, 11682 (1990).
13. S. C. A. Gay and G. P. Srivastava, Surf. Sci. 443, 253 (1999).
14. M. Copel, M. C. Reuter, E. Kaxiras, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 63, 632 (1989).
15. D. Reinking, M. Kammler, M. Horn-von Hoegen, and K. R. Hofmann, Appl. Phys. Lett. 71, 924 (1997)
16. D. J. Bottomley, M. Iwami, Y. Uehara, and S. Ushioda, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 698 (1999).
17. T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, and R. Stanley Williams, Appl. Phys. Lett. 78, 2220 (2001).
18. T. I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D. A. A. Ohlberg, and R. Stanley Williams, Physica E (Amsterdam) 13, 974 (2002).
19. T. I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D. A. A. Ohlberg, and R. Stanley Williams, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 67, 727 (1998).
20. A. C. Adams, in VLSI Technology, edited by S. M. Sze (McGraw-Hill, New York, 1983), p. 93.
21. F. Gao, D. D. Huang, J. P. Li, Y. X. Lin, M. Y. Kong, D. Z. Sun, J. M. Li, and L. Y. Lin, J. Cryst. Growth 220, 461 (2000).
22. H. Kim, G. Glass, J. A. N. T. Scares, P. Desjardins, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 88, 7067 (2000).
23. R. Reif and M. Vanzi, J. Electrochem. Soc. 128, 2187 (1981).
24. T. I. Kamins and D. Lefforge, J. Electrochem. Soc. 144, 674 (1997).
25. T. Kikuchi, T. Yamashiro, A. Moriya, T. Noda, Y. Yamamoto, C. Deng, M. Sakuraba, T. Matsuura, and J. Murota, in ULSI Process Integration, edited by C. L. Claeys, H. Iwai, G. Bronner, and R. Fair (Electrochemical Society, Pennington, N.J.), Electrochem. Soc. PV 99-18, 147 (1999).
26. Binary Alloy Phase Diagrams, 2nd ed., edited by T. B. Massalski (ASM International, Materials Park, OH, 1990), p. 1978.
27. G. Medeiros-Ribeiro, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams, Phys. Rev. B 58, 3533 (1998).
28. T. I. Kamins (unpublished).
29. S. C. A. Gay and G. P. Srivastava, Surf. Sci. 443, 253 (1999).
30. J. F. Nutzel and G. Abstreiter, Phys. Rev. B 53, 13 551 (1996).
31. W. Qin, D. G. Ast, and T. I. Kamins, J. Electron. Mater. 29, L13 (2000).
32. R. Stanley Williams, G. Medeiros-Ribeiro, T. I. Kamins, and D. A. A. Ohlberg, Annu. Rev. Phys. Chem. 51, 539 (2000); Eq. (6).