Simulated High-Temperature Characteristics of Sc 2O 3/GaN MOSFETs

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 6, Issue 12, 2003, Pages

  Cho, Hyun ^a   Lee, K P ^b   Gila, B P ^b   Abernathy, C R ^b   Pearton, S J ^b   Ren, F ^c  

^a Miryang National University   (South Korea)

^b Dept of Mat Sci and Engineering ^*  (United States)

^c J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BANDGAP; DRAIN CURRENT;

CAPACITANCE; COMPUTER SIMULATION; ELECTRIC BREAKDOWN; ELECTRON MOBILITY; ENERGY GAP; HIGH TEMPERATURE PROPERTIES; PASSIVATION;

MOSFET DEVICES;

EID: 0345376936     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1623373     Document Type: Article

References (33)

1. M. Asif Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett., 77, 1339 (2000).
2. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett., 79, 2832 (2001).
3. H. Kawai, M. Hara, F. Nakamura, and S. Imanaga, Electron. Lett., 34, 592 (1998).
4. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. G. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett., 73, 3839 (1998).
5. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, V. Krishnamoorthy, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, Appl. Phys. Lett., 77, 3230 (2000).
6. N.-Q. Zhang, S. Keller, G. Parish, S. Heikman, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett., 21, 421 (2000).
7. H. C. Casey, Jr., G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett., 68, 1850 (1996).
8. R. Therrien, G. Lucovsky, and R. F. Davis, Phys. Status Solidi A, 176, 793 (1999); R. Therrien, G. Lucovsky, and R. F. Davis, Appl. Surf. Sci., 166, 513 (2000).
9. R. Therrien, G. Lucovsky, and R. F. Davis, Phys. Status Solidi A, 176, 793 (1999); R. Therrien, G. Lucovsky, and R. F. Davis, Appl. Surf. Sci., 166, 513 (2000).
10. T. Hashizume, E. Alekseev, D. Pavlidis, K. S. Boutros, and J. Redwing, J. Appl. Phys., 88, 1983 (2000).
11. M. A. Khan, X. Hu, G. Simin, G. Lunev, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett., 21, 63 (2000).
12. A. Tarakji, X. Hu, A. Koudynov, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Solid-State Electron., 46, 1211 (2002).
13. J. W. Johnson, B. P. Gila, B. Luo, K. P. Lee, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, C. C. Chou, and F. Ren, J. Electrochem. Soc., 148, G303 (2001).
14. T. S. Lay, M. Hong, T. Kwo, T. P. Lee, W. Hung, and D. T. Huang, Solid-State Electron., 45, 1679 (2001).
15. S. C. Binari, K. Doverspike, G. Kelner, H. B. Dietrich, and A. E. Wickenden, Solid-State Electron., 41, 177 (1997).
16. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett., 73, 809 (1998).
17. F. Ren, C. R. Abemathy, J. D. Mackenzie, B. P. Gila, S. J. Pearton, M. Hong, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. G. Baca, and R. J. Shul, Solid-State Electron., 42, 2177 (1998).
18. P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, G. Simin, X. Hu, J. Yang, M. A. Khan, S. C. Rumyantsev, M. S. Shur, and R. Gaska, Electron. Lett., 37, 1479 (2001).
19. P. Chen, W. Wang, S. J. Chua, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. Lett., 79, 3530 (2001).
20. D. Mistele, T. Rotter, R. Ferretti, F. Fedler, H. Klausiag, O. K. Semchinova, J. Stemmer, J. Aderhold, and J. Graul, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 639, G11.42.1 (2001).
21. B. P. Gila, J. W. Johnson, R. Mehandru, B. Luo, A. H. Onstine, K. K. Allums, V. Krishnamoorthy, S. Bates, C. R. Abernathy, F. Ren, and S. J. Pearton, Phys. Status Solidi A, 188, 239 (2001).
22. M. Hong, H. Ng, M. Kwo, A. Kortran, A. Y. Cho, F. Ren, J.-I. Chyi, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 622, T2.2 (2000).
23. M. Hong, K. A. Anselm, J. Kwo, H. M. Ng, J. N. Baillargeon, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, A. Y. Cho, C. M. Lee, J. I. Chyi, and T. S. Lay, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1453 (2000).
24. Y. Irokawa and Y. Nakano, Solid-State Electron., 46, 1467 (2002).
25. D. J. Fu, Y. H. Kwon, T. W. Kang, C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, D. H. Shin, C. H. Lee, and K. S. Chung, Appl. Phys. Lett., 80, 446 (2002).
26. D. Mistele, T. Rotter, K. S. Rover, S. Paprotta, M. Segboth, V. Schewegler, F. Fedler, H. Klausing, O. K. Semchinova, J. Stemmer, J. Aderhold, and J. Graul, Mater. Sci. Eng., B, 93, 107 (2002).
27. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Sci. Eng., R., 30, 55 (2000).
28. L. M. Terman, Solid-State Electron., 5, 285 (1962).
29. S. T. Sheppard, J. A. Cooper, Jr., and M. R. Melloch, J. Appl. Phys., 75, 3205 (1994).
30. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett., 80, 1661 (2002).
31. Properties of GaN and Group III Nitrides, J. H. Edgar and H. Amano, Editors, INSPEC, IEE, London (2000).
32. M. S. Shur, Physics of Semiconductor Devices, Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NJ (1990).
33. R. Mehandru, B. Luo, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, D. Gotthold, R. Birkhahn, B. Peres, R. Fitch, J. Gillespie, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, and A. Crespo, Appl. Phys. Lett., 82, 2530 (2003).