Atomic structure of InAs quantum dots on GaAs

Progress in Surface Science

Volumn 71, Issue 5-8 SPEC, 2003, Pages 185-215

  Jacobi, K ^a  

^a FRITZ HABER INSTITUT DER MAX PLANCK GESELLSCHAFT   (Germany)

Author keywords

Gallium arsenide; Growth; Indium arsenide; Molecular beam epitaxy; Quantum dots; Scanning tunneling microscopy; Single crystal surfaces; Surface structure, morphology, roughness, and topography

Indexed keywords

CRYSTAL ATOMIC STRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SELF ASSEMBLY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SUBSTRATES; SURFACE ROUGHNESS;

QUANTUM SIZE;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 0037949150     PISSN: 00796816     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0079-6816(03)00007-8     Document Type: Conference Paper

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