Chemical, electrical, and structural properties of Ni/Au contacts on chemical vapor cleaned p-type GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 91, Issue 11, 2002, Pages 9151-9160

  Hartlieb, P J ^a   Roskowski, A ^a   Davis, R F ^a   Nemanich, R J ^b  

^a North Carolina State University   (United States)

^b NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BANDBENDING; CHARACTERIZATION TECHNIQUES; CHEMICAL VAPOR; CLEAN SURFACES; CONTACT STRUCTURE; CORE LEVEL PHOTOELECTRONS; LOW VOLTAGE REGION; MG-DOPED; OHMIC BEHAVIOR; P-TYPE GAN; ROOM TEMPERATURE; SPECIFIC CONTACT RESISTANCES; STOICHIOMETRIC SURFACES; SURFACE OXYGEN; THERMAL CYCLE; TRANSFER LENGTHS;

ANNEALING; BINDING ENERGY; CONTACT RESISTANCE; ELECTRIC PROPERTIES; GALLIUM NITRIDE; VAPORS;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

EID: 0036607466     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1471578     Document Type: Article

References (56)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995). jjc JAPLD8 0021-4922
2. S. Yoshida and J. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L851 (1999). jjc JAPLD8 0021-4922
3. B. S. Shelton, D. J. H. Lambert, J. J. Huang, M. M. Wong, U. Chowdhury, T. G. Zhu, H. K. Kwon, Z. Liliental-Weber, M. Benarama, M. Feng, and R. S. Dupuis, IEEE Trans. Electron Devices 48, 490 (2001). etd IETDAI 0018-9383
4. L. Zhang, L. F. Lester, A. G. Baca, R. J. Shul, P. C. Chang, C. G. Willison, U. K. Mishra, S. P. Denbaars, and J. C. Zolper, IEEE Trans. Electron Devices 47, 507 (2000). etd IETDAI 0018-9383
5. N. Stath, V. Harle, and J. Wagner, Mater. Sci. Eng., B 80, 224 (2001). msb MSBTEK 0921-5107
6. A. K. Fung, J. E. Borton, M. I. Nathan, J. M. Van Hove, R. Hickman II, P. P. Chow, and A. M. Wowchak, J. Electron. Mater. 28, 572 (1999). jem JECMA5 0361-5235
7. J. M. DeLucca, H. S. Venugopalan, S. E. Mohney, and R. F. Karlicek, Jr., Appl. Phys. Lett. 73, 3402 (1998). apl APPLAB 0003-6951
8. T. W. Kang, C. S. Chi, S. H. Park, and T. W. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 1062 (2000). jjb JAPNDE 0021-4922
9. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 2340 (1999). apl APPLAB 0003-6951
10. L.-C. Chen, F. R. Chen, J.-J. Kai, L. Chang, J.-K. Ho, C.-S. Jong, C. C. Chiu, C.-N. Huang, C.-Y. Chen, and K.-K. Shih, J. Appl. Phys. 86, 3826 (1999). jap JAPIAU 0021-8979
11. T. Kim, M. C. Yoo, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1061 (1997). mrs MRSPDH 0272-9172
12. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 2675 (1999). jvb JVTBD9 0734-211X
13. J. K. Kim, J. H. Je, J.-L. Lee, Y. J. Park, and B.-T. Lee, J. Electrochem. Soc. 147, 4645 (2000). jes JESOAN 0013-4651
14. D.-W. Kim, J. C. Bae, W. J. Kim, H. K. Baik, J.-M. Myoung, and S.-M. Lee, J. Electron. Mater. 30, 183 (2001). jem JECMA5 0361-5235
15. J. K. Kim, J.-L. Lee, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, Electron. Lett. 35, 1676 (1999). ell ELLEAK 0013-5194
16. J. K. Kim, J. H. Je, J. W. Lee, Y. J. Park, T. Kim, I.-O. Jung, B.-T. Lee, and J.-L. Lee, J. Electron. Mater. 30, L8 (2000). jem JECMA5 0361-5235
17. J. K. Kim, K. J. Kim, B. Kim, J. N. Kim, J. S. Kwak, Y. J. Park, and J.-L. Lee, J. Electron. Mater. 30, 129 (2001). jem JECMA5 0361-5235
18. J. K. Kim, J.-L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 2953 (1998). apl APPLAB 0003-6951
19. J. K. Kim, C. C. Kim, T. S. Cho, J. H. Je, J. S. Kwak, Y. J. Park, and J.-L. Lee, J. Electron. Mater. 30, 170 (2001). jem JECMA5 0361-5235
20. M.-R. Park, W. A. Anderson, and S.-J. Park, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W11.77 (2000). mrj MIJNF7 1092-5783
21. J.-L. Lee, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, Solid-State Electron. 43, 435 (1999). sel SSELA5 0038-1101
22. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 69, 3537 (1996). apl APPLAB 0003-6951
23. J.-S. Jang, S.-J. Park, and T.-Y. Seong, J. Appl. Phys. 88, 5490 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
24. J.-S. Jang, S.-J. Park, and T.-Y. Seong, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 2667 (1999). jvb JVTBD9 0734-211X
25. R. Wenzel, G. G. Fischer, and R. Schmid-Fetzer, Mater. Sci. Semicond. Process. 4, 357 (2001). 8tn MSSPFQ 1369-8001
26. I. P. Smorchkova, E. Haus, B. Heying, P. Kozodoy, P. Fini, J. P. Ibbetson, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 76, 718 (2000). apl APPLAB 0003-6951
27. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L2112 (1989). jjc JAPLD8 0021-4922
28. P. Kozody, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Cryst. Growth 195, 265 (1998). jcr JCRGAE 0022-0248
29. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992). jvb JVTBD9 0734-211X
30. T. Usagawa, M. Kobayashi, T. Mishima, P. D. Rabinzohn, A. Ihara, M. Kawata, T. Yamada, E. Tokumitsu, M. Konagai, and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 69, 8227 (1991). jap JAPIAU 0021-8979
31. S. W. King, J. P. Barnak, M. D. Bremser, K. M. Tracy, C. Ronning, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 84, 5248 (1998). jap JAPIAU 0021-8979
32. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koide, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997). jap JAPIAU 0021-8979
33. P. J. Hartlieb, A. Roskowski, R. F. Davis, W. Platow, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 91, 732 (2002). jap JAPIAU 0021-8979
34. A. Lahav, M. Eizenberg, and Y. Komem, J. Appl. Phys. 60, 991 (1986). jap JAPIAU 0021-8979
35. T. Sands, V. G. Keramidas, A. J. Yu, K-M. Yu, R. Gronsky, and J. Washburn, J. Mater. Res. 2, 262 (1987). jmr JMREEE 0884-2914
36. Q. Z. Liu, S. S. Lau, N. R. Perkins, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 69, 1722 (1996). apl APPLAB 0003-6951
37. I. Waki, H. Fujioka, K. Ono, M. Oshima, H. Miki, and A. Fukizawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 4451 (2000). jjb JAPNDE 0021-4922
38. J. Sun, K. A. Rickert, J. M. Redwing, A. B. Ellis, F. J. Himpsel, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 76, 415 (2000). apl APPLAB 0003-6951
39. C. I. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2218 (1998). jvb JVTBD9 0734-211X
40. R. Wenzel, G. G. Fischer, and R. Schmid-Fetzer, Mater. Sci. Semicond. Process. 4, 367 (2001). 8tn MSSPFQ 1369-8001
41. Y. Koide, T. Maeda, T. Kawakami, S. Fujita, T. Uemura, N. Shibata, and M. Murakami, J. Electron. Mater. 28, 341 (1999). jem JECMA5 0361-5235
42. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, W. C. Chen, C. Y. Chen, C. N. Huang, J. M. Hong, Y. C. Yu, C. W. Wang, and E. K. Lin, J. Appl. Phys. 83, 3172 (1998). jap JAPIAU 0021-8979
43. C. C. Kim, J. K. Kim, J.-L. Lee, J. H. Je, M.-S. Yi, D. Y. Noh, Y. Hwu, and P. Ruterana, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6, 4 (2001). mrj MIJNF7 1092-5783
44. C. C. Kim, J. K. Kim, J.-L. Lee, J. H. Je, M.-S. Yi, D. Y. Noh, Y. Hwu, and P. Ruterana, Appl. Phys. Lett. 78, 3773 (2001). apl APPLAB 0003-6951
45. Z. Liliental-Weber, E. R. Weber, and N. Newman, in Contacts to Semiconductors, edited by L. J. Brillson (Noyes, Park Ridge, NJ, 1993), Chap. 6.
46. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M.-S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 72, 2114 (1998). apl APPLAB 0003-6951
47. W. Gotz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 67, 2666 (1995). apl APPLAB 0003-6951
48. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, New York, 1998), p. 156.
49. S. D. Wolter, J. M. Delucca, S. E. Mohney, R. S. Kern, and C. P. Kuo, Thin Solid Films 371, 153 (2000). tsf THSFAP 0040-6090
50. D. Briggs and M. P. Seah, Practical Surface Analysis Volume 1 (Wiley, West Sussex, 1983), p. 543.
51. P. Kozodoy, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 87, 770 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
52. C. J. Cooke, and W. Hume-Rothery, J. Less-Common Met. 10, 42 (1966). jco JCOMAH 0022-5088
53. T. B. Masalski and H. Okamoto, in Phase Diagrams of Binary Gold Alloys, edited by H. Okamoto and T. B. Masalski (ASM, Materials Park, 1987), pp. 111, 193.
54. Pearson's Handbook of Crystallographic Data for Intermetallic Phases, edited by P. Villars and L. D. Calvert (ASM, Materials Park, 1991), p. 1285.
55. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 645 (1996). mrs MRSPDH 0272-9172
56. N. Braslau, J. Vac. Sci. Technol. 19, 803 (1981). jvs JVSTAL 0022-5355