Mg doping of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 6, 2000, Pages 718-720

  Smorchkova, I P ^a   Haus, E ^a   Heying, B ^a   Kozodoy, P ^a   Fini, P ^a   Ibbetson, J P ^a   Keller, S ^a   DenBaars, S P ^a   Speck, J S ^a   Mishra, U K ^a  

^a University of California at Santa Barbara   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000397043     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125872     Document Type: Article

References (23)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Heidelberg. 1997).
2. L. S. McCarthy, P. Kozodoy, M. J. W. Rodwell, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 20, 277 (1999).
3. T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 65, 593 (1994).
4. W. Kim, A. Salvador, A. E. Botchkarev, O. Aktas, S. N. Mohammad, and H. Morkoc. Appl. Phys. Lett. 69, 559 (1996).
5. W. Gotz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, and R. A. Street, Appl. Phys. Lett. 68, 667 (1996).
6. H. Nakayama, P. Hacke, M. R. H. Khan, T. Detchprohm, T. D. Kazumasa, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L282 (1996).
7. C. J. Eiting, P. A. Grudowski, and R. D. Dupuis, Electron. Lett. 33, 1987 (1997).
8. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L2112 (1989).
9. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1998 (1991).
10. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appi. Phys., Part 2 30, L1708 (1991).
11. J. J. Pankove, S. Bloom, and G. Harbecke, RCA Rev. 36, 163 (1975).
12. M. Suzuki and T. Uenoyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 3442 (1995).
13. J. S. Im, A. Moritz, F. Steuber, V. Harle, F. Scholz, and A. Hangleiter, Appl. Phys. Lett. 70, 631 (1997).
14. M. E. Lin, G. Xue, G. L. Zhou, J. E. Greene, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 63, 932 (1993).
15. J. M. Myoung, K. H. Shim, C. Kim, O. Gluschenkov, K. Kim, S. Kim, D. A. Turnbull, and S. G. Bishop, Appl. Phys. Lett. 69, 2722 (1996).
16. S. Guha, N. A. Bojarczuk, and F. Cardone, Appl. Phys. Lett. 71, 1685 (1997).
17. B. Ya. Ber, Yu. A. Kudriavtsev, A. V. Merkulov, S. V. Novikov, D. E. Lacklison, J. W. Orton, T. S. Cheng, and C. T. Foxon, Semicond. Sci. Technol. 13, 71 (1998).
18. M. A. L. Johnson, J. D. Brown, N. A. El-Masry, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, H. S. Kong, and J. A. Edmond, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1282 (1998).
19. J. W. Orton, C. T. Foxon, T. S. Cheng, S. E. Hooper, S. V. Novikov, B. Ya. Ber, and Yu. A. Kudriavtsev, J. Cryst. Growth 197, 7 (1999).
20. E. J. Tarsa, B. Heying, X. H. Wu, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 82, 5472 (1997).
21. J. Han, A. G. Baca, R. J. Shul, C. G. Willison, L. Zhang, F. Ren, A. P. Zhang, G. T. Dang, S. M. Donovan, X. A. Cao, H. Cho, K. B. Jung, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 74, 2702 (1999).
22. P. D. Kirchner, J. M. Woodall, J. L. Freeouf, D. J. Wolford, and G. D. Petit, J. Vac. Sci. Technol. 19, 604 (1981).
23. P. Kozodoy, Y. P. Smorchkova, M. Hansen, H. Xing, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, A. W. Saxler, R. Perrin, and W. C. Mitchel, Appl. Phys. Lett. 75, 2444 (1999).