p-GaN surface treatments for metal contacts

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 4, 2000, Pages 415-417

  Sun, Jingxi ^a   Rickert, K A ^a   Redwing, J M ^b   Ellis, A B ^a   Himpsel, F J ^c   Kuech, T F ^a  

^a UNIVERSITY OF WISCONSIN MADISON   (United States)

^b Epitronics   (United States)

^c University of Wisconsin Madison   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001204411     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125772     Document Type: Article

References (21)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Appl. Phys. Lett. 68, 2105 (1996).
3. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
4. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
5. Z. Fan, S. Mohammad, and W. Kim, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
6. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Yaga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 69, 3537 (1996).
7. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, Yamasaki S. Nagai, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997).
8. M. Suzuki, T. Kawakami, T. Arai, S. Kobayashi, Y. Koide, T. Uemura, N. Shibata, and M. Murakami, Appl. Phys. Lett. 4, 275 (1999).
9. J.-L. Lee, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim. Solid-State Electron. 43, 435 (1999).
10. F. J. Himpsel, H. Akatsu, J. A. Carlisle, D. G. J. Sutherland, I. Jimensez, L. J. Terminello, J. J. Jia, T. A. Callcott, M. G. Samant, J. Stohr, D. L. Ederer, R. C. C. Perera, W. Tong, and D. K. Shunh, Prog. Surf. Sci. 50, 37 (1995).
11. J. J. Yeh and I. Lindau, At. Data Nucl. Data Tables 32, 1 (1985).
12. J. Barth, F. Gerken, and C. Kunz, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 208, 797 (1983).
13. G. Landgren, R. Ludeke, Y. Jugnet, J. F. Morar, and F. J. Himpsel, J. Vac. Sci. Technol. B 2, 351 (1984).
14. J. Sun, D. J. Seo, W. L. O'Brien, F. J. Himpsel, A. B. Ellib, and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 85, 969 (1999).
15. V. M. Bermudez, D. D. Koleske, and A. E. Wickenden, Appl. Surf. Sci. 126, 69 (1998).
16. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997).
17. J.-L. Lee, M. Weber, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, T. Kim, and K. Lynn, Appl. Phys. Lett. 74, 2289 (1999).
18. W. E. Spicer, Z. L. Weber, N. Newman, T. Kendelewieg, R. Cao, C. McCant, P. Mahowald, K. Miyano, and I. Lindau, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1245 (1988).
19. R. A. Logan and C. D. Thurmond, J. Electrochem. Soc. 119, 1727 (1972).
20. Y. Okamoto, T. Takada, and Y. Mochizuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L1641 (1996).
21. J. L. Weyber, S. Muller, I. Grzegory, and S. Porowski, J. Cryst. Growth 182, 17 (1997).