High-transparency Ni/Au ohmic contact to p-type GaN

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 16, 1999, Pages 2340-2342

  Sheu, J K ^a   Su, Y K ^a   Chi, G C ^b   Koh, P L ^b   Jou, M J ^c   Chang, C M ^c   Liu, C C ^c   Hung, W C ^c  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^c EPISTAR CORPORATION   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALLOYING; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; FILM PREPARATION; METALLIC FILMS; METALLIZING; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; OHMIC CONTACTS; RAPID THERMAL ANNEALING; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DOPING; SUBSTRATES;

BILAYER METAL FILMS; TRANSMISSION LINE MODEL (TLM);

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0032620591     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123844     Document Type: Article

References (16)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995).
2. S. Nakamura, T. Mokia, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1689 (1994).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyodo, Appl. Phys. Lett. 70, 868 (1996).
4. M. A. Khan, M. S. Shur, J. N. Kuzunia, Q. Chen, J. Burm, and W. Schaff, Appl. Phys. Lett. 66, 1083 (1995).
5. O. Aktas, Z. F. Fan, S. N. Mmohammad, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 3872 (1996).
6. M. E. Lin, Z. Ma, Y. F. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
7. Z. F. Fan, S. N. Mmohammad, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
8. J. D. Guo, C. I. Lin, M. S. Feng, F. M. Pan, G. C. Chi, and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 68, 235 (1996).
9. T. Kim, M. C. Yoo, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1061 (1997).
10. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 69, 3537 (1996).
11. J. F. Lin, M. C. Wu, M. J. Jou, C. M. Chang, B. J. Lee, and Y. T. Tsai, Electron. Lett. 30, 1793 (1994).
12. M. Hagerott, H. Jeon, A. V. Nurmikko, W. Xie, D. C. Grillo, M. Kobayashi, and R. L. Gunshor, Appl. Phys. Lett. 60, 2825 (1992).
13. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, and C. M. Chang, Appl. Phys. Lett. 72, 3317 (1998).
14. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, W. C. Chen, C. Y. Chen, C. N. Hung, J. M. Hong, Y. C. Yu, C. W. Wang, and E. K. Lin, J. Appl. Phys. 83, 3172 (1998).
15. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 63, 1859 (1993).
16. G. Marlow and M. B. Das, Solid-State Electron. 25, 91 (1982).