From Schottky to Ohmic graphene contacts to AlGaN/GaN heterostructures: Role of the AlGaN layer microstructure

Applied Physics Letters

Volumn 105, Issue 6, 2014, Pages

  Fisichella, G ^a,b   Greco, G ^a   Roccaforte, F ^a   Giannazzo, F ^a  

^a CNR IMM   (Italy)

^b UNIVERSITY OF CATANIA   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; DEFECTS; GALLIUM; GRAPHENE; MICROSTRUCTURE; OHMIC CONTACTS; SURFACE ROUGHNESS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES; AVERAGING EFFECT; CURRENT TRANSPORT; GRAPHENE CONTACTS; IV CHARACTERISTICS; NANOSCALE RESOLUTIONS; SCHOTTKY BARRIER HEIGHTS; SCHOTTKY CONTACTS;

ALUMINUM GALLIUM NITRIDE;

EID: 84913566912     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4893327     Document Type: Article

References (37)

1. A. K. Geim and K. S. Novoselov, Nat. Mater. 6, 183 (2007). 10.1038/nmat1849 (Pubitemid 46353764)
2. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999). 10.1063/1.369664
3. H. Morkoç, Wide Band Gap Electronic Devices, edited by F. Ren and J. C. Zolper (World Scientific, Singapore, 2003). 958-964 (2013). 10.1021/am3026079
4. S. Chandramohan, J. H. Kang, B. D. Ryu, J. H. Yang, S. Kim, H. Kim, J. B. Park, T. Y. Kim, B. Jin Cho, E.-K. Suh, and C.-H. Hong, ACS Appl. Mater. Interfaces 5,
5. H. Zhong, K. Xu, Z. Liu, G. Xu, L. Shi, Y. Fan, J. Wang, G. Ren, and H. Yang, J. Appl. Phys. 115, 013701 (2014). 10.1063/1.4859500
6. Z. Yan, G. Liu, J. M. Khan, and A. A. Balandin, Nat. Commun. 3, 827, (2012). 10.1038/ncomms1828
7. G. Fisichella, G. Greco, F. Roccaforte, and F. Giannazzo, Nanoscale 6, 8671 (2014). 10.1039/C4NR01150C
8. P. S. Park, K. M. Reddy, D. N. Nath, Z. Yang, N. P. Padture, and S. Rajan, Appl. Phys. Lett. 102, 153501 (2013). 10.1063/1.4801940
9. L. Wang, F. M. Mohammed, and I. Adesida, J. Appl. Phys. 101, 013702 (2007). 10.1063/1.2402791 (Pubitemid 46120634)
10. Z. F. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996). 10.1063/1.115901 (Pubitemid 126688350)
11. K. H. Kim, C. M. Jeon, S. H. Oh, J.-L. Lee, C. G. Park, J. H. Lee, K. S. Lee, and Y. M. Koo, J. Vac. Sci. Technol., B 23, 322 (2005). 10.1116/1.1856479 (Pubitemid 43126575)
12. D. Selvanathan, F. M. Mohammed, A. Tesfayesus, and I. Adesida, J. Vac. Sci. Technol., B 22, 2409 (2004). 10.1116/1.1798811
13. F. Iucolano, G. Greco, and F. Roccaforte, Appl. Phys. Lett. 103, 201604 (2013). 10.1063/1.4828839
14. L. Wang, F. M. Mohammed, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 87, 141915 (2005). 10.1063/1.2081136 (Pubitemid 41717216)
15. D. Qiao, L. S. Yu, L. Jia, P. M. Asbeck, T. E. Haynes, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 80, 992 (2002). 10.1063/1.1447591 (Pubitemid 34168037)
16. A. N. Bright, N. Sharma, and C. J. Humphreys, J. Electron Microsc. 50, 489 (2001). 10.1093/jmicro/50.6.489 (Pubitemid 34215637)
17. G. Greco, F. Giannazzo, F. Iucolano, R. Lo Nigro, and F. Roccaforte, J. Appl. Phys. 114, 083717 (2013). 10.1063/1.4819400
18. G. Greco, F. Iucolano, C. Bongiorno, F. Giannazzo, and F. Roccaforte, Appl. Surf. Sci. 314, 546 (2014). 10.1016/j.apsusc.2014.07.018
19. Y. Wang, Y. Zheng, X. Xu, E. Dubuisson, Q. Bao, J. Lu, and K. P. Loh, ACS Nano 5,
20. G. Fisichella, S. Di Franco, F. Roccaforte, S. Ravesi, and F. Giannazzo, Appl. Phys. Lett. 104, 233105 (2014). 10.1063/1.4882165
21. F. Giannazzo, F. Roccaforte, F. Iucolano, V. Raineri, F. Ruffino, and M. G. Grimaldi, J. Vac. Sci. Technol., B 27,
22. S. Sonde, F. Giannazzo, V. Raineri, R. Yakimova, J.-R. Huntzinger, A. Tiberj, and J. Camassel, Phys. Rev. B 80, 241406(R) (2009). 10.1103/PhysRevB.80. 241406
23. X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1999). 10.1063/1.120844
24. B. Pécz, Zs. Makkai, M. A. di Forte-Poisson, F. Huet, and R. E. Dunin-Borkowski, Appl. Phys. Lett. 78, 1529 (2001). 10.1063/1.1355996
25. Z. Bougrioua, I. Moerman, L. Nistor, B. Van Daele, E. Monroy, T. Palacios, F. Calle, and M. Leroux, Phys. Status Solidi A 195, 93 (2003). 10.1002/pssa.200306305
26. H. Sasaki, S. Kato, T. Matsuda, Y. Sato, M. Iwami, and S. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 2531 (2006). 10.1143/JJAP.45.2531
27. S. Roensch, V. Sizov, T. Yagi, S. Murad, L. Groh, S. Lutgen, M. Krieger, and H. B. Weber, Material Sci. Forum 740-742, 502 (2013). 10.4028/www. scientific.net/MSF.740-742.502
28. X. A. Caoa, J. A. Teetsov, F. Shahedipour-Sandvik, and S. D. Arthur, J. Cryst. Growth 264, 172 (2004). 10.1016/j.jcrysgro.2004.01.031
29. J. E. Northrup, L. T. Romano, and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 74, 2319 (1999). 10.1063/1.123837
30. K. Cheng, M. Leys, S. Degroote, H. Bender, P. Favia, G. Borghs, and M. Germain, J. Cryst. Growth 353, 88 (2012). 10.1016/j.jcrysgro.2012.05.002
31. Y. Zhang, T. Gao, Y. Gao, S. Xie, Q. Ji, K. Yan, H. Peng, and Z. Liu, ACS Nano 5, 210-215 (2008). 10.1038/nnano.2008.67 (Pubitemid 351499403)
32. A. Das, S. Pisana, B. Chakraborty, S. Piscanec, S. K. Saha, U. V. Waghmare, K. S. Novoselov, H. R. Krishnamurhthy, A. K. Geim, A. C. Ferrari, and A. K. Sood, Nat. Nanotechnol. 3,
33. G. Fisichella, S. Di Franco, P. Fiorenza, R. Lo Nigro, F. Roccaforte, C. Tudisco, G. G. Condorelli, N. Piluso, N. Spartà, S. Lo Verso, C. Accardi, C. Tringali, S. Ravesi, and F. Giannazzo, Beilstein J. Nanotechnol. 4,
34. W. Schottky, Z. Phys. 113,
35. N. F. Mott, Proc. Cambridge Philos. Soc. 34, 568 (1938). 10.1017/S0305004100020570
36. J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000). 10.1063/1.126940
37. F. Giannazzo, S. Sonde, R. Lo Nigro, E. Rimini, and V. Raineri, Nano Lett. 11,