Micro- and nanoscale electrical characterization of large-area graphene transferred to functional substrates

Beilstein Journal of Nanotechnology

Volumn 4, Issue 1, 2013, Pages 234-242

  Fisichella, Gabriele ^a,b   Di Franco, Salvatore ^a   Fiorenza, Patrick ^a   Lo Nigro, Raffaella ^a   Roccaforte, Fabrizio ^a   Tudisco, Cristina ^b   Condorelli, Guido G ^b   Piluso, Nicolò ^a   Spartà, Noemi ^c   Lo Verso, Stella ^c   Accardi, Corrado ^c   Tringali, Cristina ^c   Ravesi, Sebastiano ^c   Giannazzo, Filippo ^a  

^a CNR IMM   (Italy)

^b UNIVERSITY OF CATANIA   (Italy)

^c STMICROELECTRONICS   (Italy)

Author keywords

Conductive AFM; Contact resistance; Graphene; Mobility; PEN; Sheet resistance; SiO2

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION; CONDUCTIVE AFM; CONDUCTIVE ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ELECTRICAL CHARACTERIZATION; INSULATING SUBSTRATES; PEN; SIO2; SPECIFIC CONTACT RESISTANCES; ELECTRONICS APPLICATIONS;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CARBOXYLATION; CARRIER MOBILITY; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CONTACT RESISTANCE; ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRONIC PROPERTIES; ETHYLENE; MICROELECTRONICS; NANOTECHNOLOGY; NAPHTHALENE; SHEET RESISTANCE; SUBSTRATES;

GRAPHENE;

EID: 84876121698     PISSN: None     EISSN: 21904286     Source Type: Journal    
DOI: 10.3762/bjnano.4.24     Document Type: Article

References (28)

1. Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Grigorieva, I. V.; Firsov, A. A. Science 2004, 306, 666-669.
2. Morozov, S. V.; Novoselov, K. S.; Katsnelson, M. I.; Schedin, F.; Elias, D. C.; Jaszczak, J. A.; Geim, A. K. Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 016602.
3. Chen, J.-H.; Jang, C.; Xiao, S.; Ishigami, M.; Fuhrer, M. S. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 206-209.
4. Bolotin, K. I.; Sikes, K. J.; Jiang, Z.; Klima, M.; Fudenberg, G.; Hone, J.; Kim, P.; Stormer, H. L. Solid State Commun. 2008, 146, 351-355.
5. Balandin, A. A.; Ghosh, S.; Bao, W.; Calizo, I.; Teweldebrhan, D.; Miao, F.; Lau, C. N. Nano Lett. 2008, 8, 902-907.
6. Nair, R. R.; Blake, P.; Grigorenko, A. N.; Novoselov, K. S.; Booth, T. J.; Stauber, T.; Peres, N. M. R.; Geim, A. K. Science 2008, 320, 1308.
7. Lin, Y.-M.; Dimitrakopoulos, C.; Jenkins, K. A.; Farmer, D. B.; Chiu, H.-Y.; Grill, A.; Avouris, P. Science 2010, 327, 662.
8. Stoller, M. D.; Park, S.; Zhu, Y.; An, J.; Ruoff, R. S. Nano Lett. 2008, 8, 3498-3502.
9. Kim, K. S.; Zhao, Y.; Jang, H.; Lee, S. Y.; Kim, J. M.; Kim, K. S.; Ahn, J.-H.; Kim, P.; Choi, J.-Y.; Hong, B. H. Nature 2009, 457, 706-710.
10. Bonaccorso, F.; Sun, Z.; Hasan, T.; Ferrari, A. C. Nat. Photonics 2010, 4, 611-622.
11. Giannazzo, F.; Sonde, S.; Lo Nigro, R.; Rimini, E.; Raineri, V. Nano Lett. 2011, 11, 4612-4618.
12. Emtsev, K. V.; Bostwick, A.; Horn, K.; Jobst, J.; Kellogg, G. L.; Ley, L.; McChesney, J. L.; Ohta, T.; Reshanov, S. A.; Röhrl, J.; Rotenberg, E.; Schmid, A. K.; Waldmann, D.; Weber, H. B.; Seyller, T. Nat. Mater. 2009, 8, 203.
13. Virojanadara, C.; Syväjarvi, M.; Yakimova, R.; Johansson, L. I.; Zakharov, A. A.; Balasubramanian, T. Phys. Rev. B 2008, 78, 245403.
14. Vecchio, C.; Sonde, S.; Bongiorno, C.; Rambach, M.; Yakimova, R.; Raineri, V.; Giannazzo, F. Nanoscale Res. Lett. 2011, 6, 269.
15. Giannazzo, F.; Raineri, V. Riv. Nuovo Cimento Soc. Ital. Fis. 2012, 35, 267-304.
16. Li, X.; Cai, W.; Colombo, L.; Ruoff, R. S. Nano Lett. 2009, 9, 4268-4272.
17. Li, X.; Cai, W.; An, J.; Kim, S.; Nah, J.; Yang, D.; Piner, R.; Velamakanni, A.; Jung, I.; Tutuc, E.; Banerjee, S. K.; Colombo, L.; Ruoff, R. S. Science 2009, 324, 1312.
18. Kang, J.; Shin, D.; Bae, S.; Hong, B. H. Nanoscale 2012, 4, 5527-5537.
19. Pirkle, A.; Chan, J.; Venugopal, A.; Hinojos, D.; Magnuson, C. W.; McDonnell, S.; Colombo, L.; Vogel, E. M.; Ruoff, R. S.; Wallace, R. M. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 122108.
20. Kedzierski, J. T.; Hsu, P.-L.; Reina, A.; Kong, J.; Healey, P. D.; Wyatt, P. W.; Keast, C. L. IEEE Electron Device Lett. 2009, 30, 745-747.
21. Giannazzo, F.; Sonde, S.; Raineri, V.; Patanè, G.; Compagnini, G.; Aliotta, F.; Ponterio, R.; Rimini, E. Phys. Status Solidi C 2010, 7, 1251-1255.
22. Giannazzo, F.; Sonde, S.; Raineri, V.; Rimini, E. Nano Lett. 2009, 9
23. Zhu, W.; Low, T.; Perebeinos, V.; Bol, A. A.; Zhu, Y.; Yan, H.; Tersoff, J.; Avouris, P. Nano Lett. 2012, 12, 3431-3436.
24. Schroder, D. K. Semiconductor Material and Device Characterization, 3rd ed.; John Wiley & Sons: Hoboken, NJ, 2006.
25. Venugopal, A.; Colombo, L.; Vogel, E. M. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 013512.
26. Sonde, S.; Giannazzo, F.; Vecchio, C.; Yakimova, R.; Rimini, E.; Raineri, V. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 132101.
27. Sonde, S.; Giannazzo, F.; Raineri, V.; Yakimova, R.; Huntzinger, J.-R.; Tiberj, A.; Camassel, J. Phys. Rev. B 2009, 80, 241406.
28. Giannazzo, F.; Deretzis, I.; La Magna, A.; Roccaforte, F.; Yakimova, R. Phys. Rev. B 2012, 86, 235422.