Impact of interlayer processing conditions on the performance of GaN light-emitting diode with specific NiOx/graphene electrode

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 5, Issue 3, 2013, Pages 958-964

  Chandramohan, S ^a   Kang, Ji Hye ^a   Ryu, Beo Deul ^a   Yang, Jong Han ^a   Kim, Seongjun ^a   Kim, Hynsoo ^a   Park, Jong Bae ^b   Kim, Taek Yong ^c   Cho, Byung Jin ^c   Suh, Eun Kyung ^a   Hong, Chang Hee ^a  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

^b Korea Basic Science Institute (KBSI)   (South Korea)

^c Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

Author keywords

annealing; graphene; interlayer; light emitting diode; NiOx graphene; ohmic contact

Indexed keywords

CIRCULAR CONTACTS; CONTACT CHARACTERISTICS; CURRENT SPREADING; CURRENT TRANSPORT; FORWARD VOLTAGE; GAN LIGHT-EMITTING DIODES; I-V MEASUREMENTS; INGAN/GAN; INTERLAYER; LOW LIGHT; NIOX/GRAPHENE; OHMIC CONTACT FORMATION; PHASE CHANGE; POST-METALLIZATION ANNEALING; PROCESSING CONDITION; TEMPERATURE DEPENDENT; THERMIONIC FIELD EMISSION; TRANSMISSION LINE MODELS; TUNNELING MECHANISM; ULTRA-THIN;

ANNEALING; COMPOSITE FILMS; DIODES; ELECTRIC CONTACTORS; GRAPHENE; GRAPHITE ELECTRODES; LIGHT EMITTING DIODES; OHMIC CONTACTS; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOELECTRONS; TRANSMISSION LINE THEORY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 84873658508     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am3026079     Document Type: Article

References (39)

1. Jo, G.; Choe, M.; Cho, C. Y.; Kim, J. H.; Park, W.; Lee, S.; Hong, W. K.; Kim, T. W.; Park, S. J.; Hong, B. H.; Kahng, Y. H.; Lee, T. Nanotechnology 2010, 21, 175201
2. Huang, X.; Zeng, Z.; Fan, Z.; Liu, J.; Zhang, H. Adv. Mater. 2012, 24, 5979-6004
3. Han, T. H.; Lee, Y.; Choi, M. R.; Woo, S. H.; Bae, S. H.; Hong, B. H.; Ahn, J. H.; Lee, T. W. Nat. Photon. 2012, 6, 105-110
4. Lee, J. M.; Jeong, H. Y.; Choi, K. J.; Park, W. I. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 041115
5. Chandramohan, S.; Kang, J. H.; Katharria, Y. S.; Han, N.; Beak, Y. S.; Ko, K. B.; Park, J. B.; Kim, H. K.; Suh, E. K.; Hong, C. H. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 023502
6. Shim, J. P; Kim, D. H.; Choe, M.; Lee, T.; Park, S. J.; Lee, D. S. Nanotechnology 2012, 23, 255201
7. Zhang, Y.; Wang, L.; Li, X.; Yi, X.; Zhang, N.; Li, J.; Zhu, H.; Wang, G. J. Appl. Phys. 2012, 111, 114501
8. Choe, M.; Cho, C. Y.; Shim, J. P.; Park, W.; Lim, S. K.; Hong, W. K.; Lee, B. H.; Lee, D. S.; Park, S. J.; Lee, T. Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 031115
9. Lee, J. M.; Yi, J.; Lee, W. W.; Jeong, H. Y.; Jung, T.; Kim, Y.; Park, W. I. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 061107
10. Chandramohan, S.; Kang, J. H.; Katharria, Y. S.; Han, N.; Beak, Y. S.; Ko, K. B.; Park, J. B.; Ryu, B. D.; Kim, H. K.; Suh, E. K.; Hong, C. H. J. Phys. D: Appl. Phys. 2012, 45, 145101
11. Joo, K.; Jerng, S. K.; Kim, Y. S.; Kim, B.; Moon, S.; Moon, D.; Lee, G. D.; Song, Y. K.; Chun, S. H.; Yoon, E. Nanotechnology 2012, 23, 425302
12. Tongay, S.; Lemaitre, M.; Miao, X.; Gila, B.; Appleton, B. R.; Hebard, A. F. Phys. Rev. X 2012, 2, 011002
13. Zhong, H.; Liu, Z.; Xu, G.; Fan, Y.; Wang, J.; Zhang, X.; Liu, L.; Xu, K.; Yang, H. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 122108
14. Cheng, Z.; Zhou, Q.; Wang, C.; Li, Q.; Wang, C.; Fang, Y. Nano Lett. 2011, 11, 767-771
15. Pirkle, A.; Chan, J.; Venugopal, A.; Hinojos, D.; Magnuson, C. W.; McDonnell, S.; Colombo, L.; Vogel, E. M.; Ruoff, R. S.; Wallace, R. M. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 122108
16. Ni, Z. H.; Wang, H. M.; Ma, Y.; Kasim, J.; Wu, Y. H.; Shen, Z. X. ACS Nano 2008, 2, 1033-1039
17. Song, J. O.; Ha, J. S.; Seong, T. Y. IEEE Trans. Elect. Devices 2010, 57, 42-59
18. Song, S. M.; Park, J. K.; Sul, O. J.; Cho, B. J. Nano Lett. 2012, 12, 3887-3892
19. Iucolano, F.; Roccaforte, F.; Alberti, A.; Bongiorno, C.; Franco, S. D.; Raineri, V. J. Appl. Phys. 2006, 100, 123706
20. Ruterana, P.; Albrecht, M.; Neugebauer, J. Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Devices; Wiley-VCH Verlag GmbH & Co.: Weinheim, Germany, 2001; p 495.
21. Greco, G.; Prystawko, P.; Leszczynski, M.; Nigro, R. L.; Raineri, V.; Roccaforte, F. J. Appl. Phys. 2011, 110, 123703
22. Koziorowska, J. S.; Grzanka, S.; Staszewska, E. L.; Piotrzkowski, R.; Nowak, G.; Leszczynski, M.; Perlin, P.; Talik, E.; Kozubowski, J.; Krukowski, S. Solid-State Electron. 2010, 54, 701-709
23. Schroder, D. K. Semiconductor Material and Device Characterization; John Wiley & Sons: New York, 2006; p 129.
24. Blank, T. V.; Gol'dberg, Y. A.; Konstantinov, O. V.; Nikitin, V. G.; Posse, E. A. Semiconductors 2006, 40, 1173-1177
25. Liu, Y. J.; Huang, C. C.; Chen, T. Y.; Hsu, C. S.; Liou, J. K.; Tsai, T. Y.; Liu, W. C. Opt. Express 2011, 19, 14662
26. Ho, J. K.; Jong, C. S.; Chiu, C. C.; Huang, C. N.; Chen, C. Y.; Shih, K. K. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 1275
27. Horng, R. H.; Wuu, D. S.; Lien, Y. C.; Lan, W. H. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 2925-2927
28. Song, J. O.; Kim, K. K.; Park, S. J.; Seong, T. Y. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 479-481
29. Schubert, E. F. Light-Emitting Diodes; Cambridge University Press: Cambridge, U.K., 2006; p 87.
30. Awais, M.; Rahman, M.; MacElroy, J. M. D.; Coburn, N.; Dini, D.; Vos, J. G.; Dowling, D. P. Surf. Coat. Technol. 2010, 204, 2729-2736
31. Greiner, M. T.; Helander, M. G.; Wang, Z. B.; Tang, W. M.; Lu, Z. H. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 19777
32. Yun, D. J.; Rhee, S. W. J. Vac. Sci. Technol. B 2008, 26, 1787-1793
33. Gupta, P.; Dutta, T.; Mal, S.; Narayan, J. J. Appl. Phys. 2012, 111, 013706
34. Chu, J. H.; Kwak, J.; Kwon, T. Y.; Park, S. D.; Go, H.; Kim, S. Y.; Park, K.; Kang, S.; Kwon, S. Y. ACS Appl. Mater. Interfaces 2012, 4, 1777-1782
35. Lahiri, J.; Miller, T. S.; Ross, A. J.; Adamska, L.; Oleynik, I. I.; Batzill, M. New J. Phys. 2011, 13, 025001
36. Chien, F. S. S.; Wu, Y. T.; Lai, G. L.; Lai, Y. H. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 153513
37. Korošec, R. C.; Bukovec, P. Acta Chim. Slov. 2006, 53, 136-147
38. Nayak, P. K.; Hsu, C. J.; Wang, S. C.; Sung, J. C.; Huang, J. L. Thin Solid Films 2012, http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2012.03.067.
39. Zhou, G.; Wang, D. W.; Yin, L. C.; Li, N.; Li, F.; Cheng, H. M. ACS Nano 2012, 6, 3214-3223