Engineering of-an insulating buffer and use of AlN interlayers: Two optimisations for AlGaN-GaN HEMT-like structures

Physica Status Solidi (A) Applied Research

Volumn 195, Issue 1 SPEC, 2003, Pages 93-100

  Bougrioua, Z ^a,b   Moerman, I ^b   Nistor, L ^c   Van Daele, B ^c   Monroy, E ^d   Palacios, T ^d   Calle, F ^d   Leroux, M ^a  

^a CRHEA CNRS   (France)

^b GHENT UNIVERSITY   (Belgium)

^c UNIVERSITY OF ANTWERP   (Belgium)

^d Polytechnic University of Madrid   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; CARRIER CONCENTRATION; ELECTRON GAS; GALLIUM NITRIDE; SEMICONDUCTOR GROWTH;

INSULATING BUFFER;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 0037277621     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200306305     Document Type: Conference Paper

References (16)

1. H. Tang, J. B. Webb, J. A. Bardwell, S. Rolfe, and T. MacElwee, Solid-State Electron. 44, 2177 (2000).
2. A. E. Wickenden, D. D. Koleske, R. L. Henry, R. J. Gorman, M. E. Twigg, M. Fatemi, J. A. Freitas Jr., and W. J. Moore, J. Electron. Mater. 29, 21 (2000).
3. Z. Bougrioua, I. Moerman, N. Sharma, R. H. Wallis, J. Cheyns, K. Jacobs, E. J. Thrush, L. Considine, R. Beanland, J.-L. Farvacque, and C. Humphreys, J. Cryst. Growth 230, 573 (2001).
4. C. Mavroidis, J. J. Harris, R. B. Jackman, I. Harrison, B. J. Ansell, Z. Bougrioua, and I. Moerman, J. Appl. Phys., in press (2002).
5. C. S. Ramloll, Z. Bougrioua, and J. S. Barnard, unpublished work. C. S. Ramloll, Z. Bougrioua, J. S. Barnard, C. J. Humphreys, and I. Moerman, Inst. Phys. Conf. Ser. 168, 469 (2001).
6. C. S. Ramloll, Z. Bougrioua, and J. S. Barnard, unpublished work. C. S. Ramloll, Z. Bougrioua, J. S. Barnard, C. J. Humphreys, and I. Moerman, Inst. Phys. Conf. Ser. 168, 469 (2001).
7. Z. Bougrioua, J.-L. Farvacque, I. Moerman, and F. Carosella, phys. stat. sol. (b) 228, 625 (2001).
8. J.-L. Farvacque, Z. Bougrioua, F. Carosella, and I. Moerman, Int. Conf. Extended Defects Semicond., 1-6 June 2002, Bologna (Italy). Submitted to J. Phys., Condens, Matter.
9. H. Amano, M. Iwaya, T. Kashima, M. Katsuragawa, I. Akasaki, J. Han, S. Hearne, J. A. Floro, E. Chason, and J. Figiel, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1540 (1998).
10. A. M. Sanchez, F. J. Pacheco, S. I. Molina, J. Stemmer, J. Aderhold, and J. Graul, Mater. Sci. Eng. B 80, 299 (2001). E. D. Bourret-Courchesne, S. Kellermann, K. M. Yu, M. Benamara, Z. Liliental-Weber, and J. Washburn, Appl. Phys. Lett. 77, 3562 (2000). D. D. Koleske, M. E. Twigg, A. E. Wickenden, R. L. Henry, R. J. Gorman, J. A. Freitas Jr., and M. Fatemi, Appl. Phys. Lett. 75, 3141 (1999). C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L487 (1999).
11. A. M. Sanchez, F. J. Pacheco, S. I. Molina, J. Stemmer, J. Aderhold, and J. Graul, Mater. Sci. Eng. B 80, 299 (2001). E. D. Bourret-Courchesne, S. Kellermann, K. M. Yu, M. Benamara, Z. Liliental-Weber, and J. Washburn, Appl. Phys. Lett. 77, 3562 (2000). D. D. Koleske, M. E. Twigg, A. E. Wickenden, R. L. Henry, R. J. Gorman, J. A. Freitas Jr., and M. Fatemi, Appl. Phys. Lett. 75, 3141 (1999). C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L487 (1999).
12. A. M. Sanchez, F. J. Pacheco, S. I. Molina, J. Stemmer, J. Aderhold, and J. Graul, Mater. Sci. Eng. B 80, 299 (2001). E. D. Bourret-Courchesne, S. Kellermann, K. M. Yu, M. Benamara, Z. Liliental-Weber, and J. Washburn, Appl. Phys. Lett. 77, 3562 (2000). D. D. Koleske, M. E. Twigg, A. E. Wickenden, R. L. Henry, R. J. Gorman, J. A. Freitas Jr., and M. Fatemi, Appl. Phys. Lett. 75, 3141 (1999). C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L487 (1999).
13. A. M. Sanchez, F. J. Pacheco, S. I. Molina, J. Stemmer, J. Aderhold, and J. Graul, Mater. Sci. Eng. B 80, 299 (2001). E. D. Bourret-Courchesne, S. Kellermann, K. M. Yu, M. Benamara, Z. Liliental-Weber, and J. Washburn, Appl. Phys. Lett. 77, 3562 (2000). D. D. Koleske, M. E. Twigg, A. E. Wickenden, R. L. Henry, R. J. Gorman, J. A. Freitas Jr., and M. Fatemi, Appl. Phys. Lett. 75, 3141 (1999). C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L487 (1999).
14. B. Beaumont, P. Vennegues, and P. Gibart, phys. stat. sol. (b) 227, 1 (2001).
15. M. Tchounkeu, O. Briot, B. Gil, J. P. Alexis, and R. L. Alombard, J. Appl. Phys. 80, 5352 (1996).
16. F. Calle, T. Palacios, E. Monroy, J. Grajal, M. Verdú, Z. Bougrioua, and I. Moerman, submitted to J. Mater. Sci., Mater. Electron. (2002).