Ohmic contact formation between metal and AlGaN/GaN heterostructure via graphene insertion

Applied Physics Letters

Volumn 102, Issue 15, 2013, Pages

  Park, Pil Sung ^a   Reddy, Kongara M ^a   Nath, Digbijoy N ^a   Yang, Zhichao ^a   Padture, Nitin P ^b   Rajan, Siddharth ^a  

^a The Ohio State University   (United States)

^b Brown University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

2-D ELECTRON GAS; ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES; ALGAN/GAN HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS; HIGH TEMPERATURE; N-TYPE SEMICONDUCTORS; OHMIC CONTACT FORMATION; PROCESSING STEPS; TEMPERATURE DEPENDENCE;

ELECTRIC CONTACTORS; ELECTRON GAS; GALLIUM NITRIDE; GRAPHENE; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; MICROELECTRONICS; OHMIC CONTACTS; THERMIONIC EMISSION;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 84877149777     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4801940     Document Type: Article

References (42)

1. R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. A. Khan, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 492 (1997). 10.1109/55.624930
2. J. W. Chung, W. E. Hoke, E. M. Chumbes, and T. Palacios, IEEE Electron Device Lett. 31, 195 (2010). 10.1109/LED.2009.2038935
3. D. J. Denninghoff, S. Dasgupta, J. Lu, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 33, 785 (2012). 10.1109/LED.2012.2191134
4. K. Shinohara, D. Regan, I. Milosavljevic, A. L. Corrion, D. F. Brown, P. J. Willadsen, C. Butler, A. Schmitz, S. Kim, V. Lee, A. Ohoka, P. M. Asbeck, and M. Micovic, IEEE Electron Device Lett. 32, 1074 (2011). 10.1109/LED.2011. 2158386
5. Y. Yue, Z. Hu, J. Guo, B. Sensale-Rodriguez, G. Li, R. Wang, F. Faria, T. Fang, B. Song, and X. Gao, IEEE Electron Device Lett. 33, 988 (2012). 10.1109/LED.2012.2196751
6. Y. Dora, A. Chakraborty, L. McCarthy, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 27, 713 (2006). 10.1109/LED.2006.881020
7. N. Tipirneni, A. Koudymov, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, and M. A. Khan, IEEE Electron Device Lett. 27, 716 (2006). 10.1109/LED.2006.881084
8. N. Q. Zhang, S. Keller, G. Parish, S. Heikman, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 21, 421 (2000). 10.1109/55.863096
9. V. Adivarahan, W. H. Sun, A. Chitnis, M. Shatalov, S. Wu, H. P. Maruska, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 85, 2175 (2004). 10.1063/1.1796525
10. A. A. Allerman, M. H. Crawford, A. J. Fischer, K. H. A. Bogart, S. R. Lee, D. M. Follstaedt, P. P. Provencio, and D. D. Koleske, J. Cryst. Growth 272, 227 (2004). 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.035
11. Y. Liao, C. Thomidis, C. Kao, A. Moldawer, W. Zhang, Y. Chang, A. Y. Nikiforov, E. Bellotti, and T. D. Moustakas, Phys. Status Solidi (RRL) 4, 49 (2010). 10.1002/pssr.200903400
12. T. Mukai, D. Morita, and S. Nakamura, J. Cryst. Growth 189, 778 (1998). 10.1016/S0022-0248(98)00292-9
13. T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 78, 3927 (2001). 10.1063/1.1377854
14. C. Gmachl, H. M. Ng, S. N. George Chu, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 77, 3722 (2000). 10.1063/1.1332108
15. N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki, Appl. Phys. Lett. 81, 1803 (2002). 10.1063/1.1505116
16. V. D. Jovanović, D. Indjin, Z. Ikonić, and P. Harrison, Appl. Phys. Lett. 84, 2995 (2004). 10.1063/1.1707219
17. A. El Fatimy, S. Boubanga Tombet, F. Teppe, W. Knap, D. B. Veksler, S. Rumyantsev, M. S. Shur, N. Pala, R. Gaska, and Q. Fareed, Electron. Lett. 42, 1342 (2006). 10.1049/el:20062452
18. H. Machhadani, Y. Kotsar, S. Sakr, M. Tchernycheva, R. Colombelli, J. Mangeney, E. Bellet-Amalric, E. Sarigiannidou, E. Monroy, and F. H. Julien, Appl. Phys. Lett. 97, 191101 (2010). 10.1063/1.3515423
19. G. Sun, R. A. Soref, and J. B. Khurgin, Superlattices Microstruct. 37, 107 (2005). 10.1016/j.spmi.2004.09.046
20. L. Wang, F. M. Mohammed, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 87, 141915 (2005). 10.1063/1.2081136
21. L. Wang, F. M. Mohammed, and I. Adesida, J. Appl. Phys. 101, 013702 (2007) 10.1063/1.2402791.
22. S. Dasgupta, Nidhi, D. F. Brown, F. Wu, S. Keller, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 96, 143504 (2010). 10.1063/1.3374331
23. J. Guo, Y. Cao, C. Lian, T. Zimmermann, G. Li, J. Verma, X. Gao, S. Guo, P. Saunier, M. Wistey, D. Jena, and H. (Grace) Xing, Phys. Status Solidi A 208, 1617 (2011). 10.1002/pssa.201001177
24. F. Recht, L. McCarthy, S. Rajan, A. Chakraborty, C. Poblenz, A. Corrion, J. S. Speck, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 27, 205 (2006). 10.1109/LED.2006.870419
25. K. S. Novoselov, V. I. Falko, L. Colombo, P. R. Gellert, M. G. Schwab, and K. Kim, Nature 490, 192 (2012). 10.1038/nature11458
26. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004). 10.1126/science.1102896
27. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature 438, 197 (2005). 10.1038/nature04233
28. M. S. Purewal, Y. Zhang, and P. Kim, Phys. Status Solidi B 243, 3418 (2006). 10.1002/pssb.200669193
29. K. S. Novoselov, Z. Jiang, Y. Zhang, S. V. Morozov, H. L. Stormer, U. Zeitler, J. C. Mann, G. S. Boebinger, P. Kim, and A. K. Geim, Science 315, 1379 (2007). 10.1126/science.1137201
30. M. Y. Han, B. Özyilmaz, Y. Zhang, and P. Kim, Phys. Rev. Lett. 98, 206805 (2007). 10.1103/PhysRevLett.98.206805
31. C. Berger, Z. Song, X. Li, X. Wu, N. Brown, C. Naud, D. Mayou, T. Li, J. Hass, A. N. Marchenkov, E. H. Conrad, P. N. First, and W. A. deHeer, Science 312, 1191 (2006). 10.1126/science.1125925
32. X. Li, W. W. Cai, J. H. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, and R. S. Ruoff, Science 324, 1312 (2009). 10.1126/science.1171245
33. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. F. Xu, J. S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. I. Song, Y. J. Kim, K. S. Kim, B. Özyilmaz, J. H. Ahn, B. H. Hong, and S. Iijima, Nat. Nanotechnol. 5, 574 (2010). 10.1038/nnano.2010.132
34. B. Heying, R. Averbeck, L. F. Chen, E. Haus, H. Riechert, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 88, 1855 (2000). 10.1063/1.1305830
35. K. M. Reddy, A. D. Gledhill, C.-H. Chen, J. M. Drexler, and N. P. Padture, Appl. Phys. Lett. 98, 113117 (2011). 10.1063/1.3569143
36. S. M. Song, J. K. Park, O. J. Sul, and B. J. Cho, Nano Lett. 12, 3887 (2012). 10.1021/nl300266p
37. S. Tongay, M. Lemaitre, T. Schumann, K. Berke, B. R. Appleton, B. Gila, and A. F. Hebard, Appl. Phys. Lett. 99, 102102 (2011). 10.1063/1.3628315
38. D. N. Nath, P. S. Park, Z. C. Yang, and S. Rajan, e-print arXiv:1302.3942 (unpublished).
39. Y. R. Wu, R. Shivaraman, K. C. Wang, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 101, 083505 (2012). 10.1063/1.4747532
40. W. Lim, J. H. Jeong, J. H. Lee, S. B. Hur, J. K. Ryu, K. S. Kim, T. H. Kim, S. Y. Song, J. I. Yang, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 97, 242103 (2010). 10.1063/1.3525931
41. R. Zan, U. Bangert, Q. Ramasse, and K. S. Novoselov, Nano Lett. 11, 1087 (2011). 10.1021/nl103980h
42. A. Nourbakhsh, M. Cantoro, A. Hadipour, T. Vosch, M. H. van der Veen, M. M. Heyns, B. F. Sels, and S. De Gendt, Appl. Phys. Lett. 97, 163101 (2010). 10.1063/1.3495777