MgZnO/ZnO Heterostructure field-effect transistors fabricated by RF-sputtering

ECS Transactions

Volumn 50, Issue 8, 2013, Pages 83-93

  Cheng, I Chun ^a   Wang, Bo Shiung ^a   Hou, Hsin Hu ^a   Chen, Jian Zhang ^b  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; ELECTRON GAS; II-VI SEMICONDUCTORS; JUNCTION GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS; POLARIZATION; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; SEMICONDUCTOR DOPING; THIN FILM CIRCUITS; THIN FILMS; THRESHOLD VOLTAGE; TWO DIMENSIONAL ELECTRON GAS; ZINC OXIDE;

FIELD-EFFECT MOBILITIES; HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTORS; HETEROSTRUCTURE MATERIALS; HIGH MOBILITY DEVICES; INTERFACIAL POLARIZATION; RESISTANCE REDUCTION; THIN FILM TRANSISTORS (TFTS); THRESHOLD VOLTAGES (VTH);

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 84885709392     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/05008.0083ecst     Document Type: Conference Paper

References (45)

1. J. Z. Chen and I. C. Cheng, J Appl Phys, 104 (2008).
2. I. C. Cheng and S. Wagner, Appl Phys Lett, 80, 440 (2002).
3. T. Hirao, M. Furuta, T. Hiramatsu, T. Matsuda, C. Y. Li, H. Furuta, H. Hokari, M. Yoshida, H. Ishii and M. Kakegawa, Ieee T Electron Dev, 55, 3136 (2008).
4. S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata and T. Kawai, J Appl Phys, 93, 1624 (2003).
5. R. Navamathavan, E. J. Yang, J. H. Lim, D. K. Hwang, J. Y. Oh, J. H. Yang, J. H. Jang and S. J. Park, J Electrochem Soc, 153, G385 (2006).
6. S. Jeon, S. Bang, S. Lee, S. Kwon, W. Jeong, H. Jeon, H. J. Chang and H. H. Park, J Electrochem Soc, 155, H738 (2008).
7. N. L. Dehuff, E. S. Kettenring, D. Hong, H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, C. H. Park and D. A. Keszler, J Appl Phys, 97, 064505 (2005).
8. D. W. Kwon, J. H. Kim, J. S. Chang, S. W. Kim, W. Kim, J. C. Park, C. J. Kim and B. G. Park, Ieee T Electron Dev, 58, 1127 (2011).
9. S. K. Park, Y. H. Kim, H. S. Kim and J. I. Han, Electrochem Solid St, 12, H256 (2009).
10. Y. Jeong, K. Song, D. Kim, C. Y. Koo and J. Moon, J Electrochem Soc, 156, H808 (2009).
11. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004).
12. W. Lim, S. Kim, Y. L. Wang, J. W. Lee, D. P. Norton, S. J. Pearton, F. Ren and I. I. Kravchenko, J Electrochem Soc, 155, H383 (2008).
13. C. Chen, K. Abe, H. Kumomi and J. Kanicki, Ieee T Electron Dev, 56, 1177 (2009).
14. T. C. Fung, K. Abe, H. Kumomi and J. Kanicki, J Disp Technol, 5, 452 (2009).
15. A. Ohtomo, R. Shiroki, I. Ohkubo, H. Koinuma and M. Kawasaki, Appl Phys Lett, 75, 4088 (1999).
16. Y. Kwon, Y. Li, Y. W. Heo, M. Jones, P. H. Holloway, D. P. Norton, Z. V. Park and S. Li, Appl Phys Lett, 84, 2685 (2004).
17. Y. S. Tsai and J. Z. Chen, Ieee T Electron Dev, 59, 151 (2012).
18. C. H. Li, Y. S. Tsai and J. Z. Chen, Semiconductor Science and Technology, 26, 105007 (2011).
19. H. Z. Wu, J. Liang, G. F. Jin, Y. F. Lao and T. N. Xu, Ieee T Electron Dev, 54, 2856 (2007).
20. E. R. Segnit and A. E. Holland, J Am Ceram Soc, 48, 409 (1965).
21. J. F. Sarver, F. L. Katnack and F. A. Hummel, J Electrochem Soc, 106, 960 (1959).
22. J. Z. Chen, C. H. Li and I. C. Cheng, Thin Solid Films, 520, 1918 (2012).
23. S. Choopun, R. D. Vispute, W. Yang, R. P. Sharma, T. Venkatesan and H. Shen, Appl Phys Lett, 80, 1529 (2002).
24. A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, M. Sumiya, S. Fuke, T. Yasuda and Y. Segawa, Mater Sci Forum, 264-2, 1463 (1998).
25. A. Ohtomo, M. Kawasaki, I. Ohkubo, H. Koinuma, T. Yasuda and Y. Segawa, Appl Phys Lett, 75, 980 (1999).
26. Y. Ogawa and S. Fujihara, Phys Status Solidi A, 202, 1825 (2005).
27. A. Onodera, N. Tamaki, K. Jin and H. Yamashita, Jpn J Appl Phys 1, 36, 6008 (1997).
28. C. J. Ku, Z. Q. Duan, P. I. Reyes, Y. C. Lu, Y. Xu, C. L. Hsueh and E. Garfunkel, Appl Phys Lett, 98, 123511 (2011).
29. G. H. Kim, W. H. Jeong, B. Du Ahn, H. S. Shin, H. J. Kim, H. J. Kim, M. K. Ryu, K. B. Park, J. B. Seon and S. Y. Lee, Appl Phys Lett, 96, 163506 (2010).
30. A. Ohtomo, S. Takagi, K. Tamura, T. Makino, Y. Segawa, H. Koinuma and M. Kawasaki, Jpn J Appl Phys 2, 45, L694 (2006).
31. C. Y. Tsay, H. C. Cheng, M. C. Wang, P. Y. Lee, C. F. Chen and C. K. Lin, Surf Coat Tech, 202, 1323 (2007).
32. H. A. Chin, I. C. Cheng, C. I. Huang, Y. R. Wu, W. S. Lu, W. L. Lee, J. Z. Chen, K. C. Chiu and T. S. Lin, J Appl Phys, 108, 054503 (2010).
33. H. A. Chin, I. C. Cheng, C. K. Li, Y. R. Wu, J. Z. Chen, W. S. Lu and W. L. Lee, J Phys D Appl Phys, 44, 455101 (2011).
34. C. I. Huang, H. A. Chin, Y. R. Wu, I. C. Cheng, J. Z. Chen, K. C. Chiu and T. S. Lin, Ieee T Electron Dev, 57, 696 (2010).
35. T. Gruber, C. Kirchner, R. Kling, F. Reuss and A. Waag, Appl Phys Lett, 84, 5359 (2004).
36. M. Brandt, H. von Wenckstern, G. Benndorf, H. Hochmuth, M. Lorenz and M. Grundmann, Thin Solid Films, 518, 1048 (2009).
37. H. Tampo, H. Shibata, K. Matsubara, A. Yamada, P. Fons, S. Niki, M. Yamagata and H. Kanie, Appl Phys Lett, 89, 132113 (2006).
38. H. Tampo, H. Shibata, K. Maejima, A. Yamada, K. Matsubara, P. Fons, S. Kashiwaya, S. Niki, Y. Chiba, T. Wakamatsu and H. Kanie, Appl Phys Lett, 93, 202104 (2008).
39. A. Thongnum, V. Sa-Yakanit and U. Pinsook, J Phys D Appl Phys, 44, 325109 (2011).
40. Y. Kozuka, A. Tsukazaki, D. Maryenko, J. Falson, S. Akasaka, K. Nakahara, S. Nakamura, S. Awaji, K. Ueno and M. Kawasaki, Phys Rev B, 84, 033304 (2011).
41. V. S. Khrapai and A. Gold, Phys Rev B, 81, 085309 (2010).
42. A. Gold, Appl Phys Lett, 96, 242111 (2010).
43. J. D. Ye, S. Pannirselvam, S. T. Lim, J. F. Bi, X. W. Sun, G. Q. Lo and K. L. Teo, Appl Phys Lett, 97, 111908 (2010).
44. K. Koike, K. Hama, I. Nakashima, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, Jpn J Appl Phys, 44, 3822 (2005).
45. D. J. Cohen and S. A. Barnett, J Appl Phys, 98, 053705 (2005).