Two-dimensional electron gas in Zn polar ZnMgO/ZnO heterostructures grown by radical source molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 13, 2006, Pages

  Tampo, H ^a   Shibata, H ^a   Matsubara, K ^a   Yamada, A ^a   Fons, P ^a   Niki, S ^a   Yamagata, M ^b   Kanie, H ^b  

^a NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

^b TOKYO UNIVERSITY OF SCIENCE   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; COMPOSITION; DOPING (ADDITIVES); ELECTRON GAS; ELECTRON MOBILITY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; ZINC OXIDE;

HALL MEASUREMENTS; MG COMPOSITION; TOP GATE DEVICES;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 33749241465     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2357588     Document Type: Article

References (26)

1. K. Koike, I. Nakashima, K. Hashimoto, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, Appl. Phys. Lett. 87, 112106 (2005).
2. J. D. Albrecht, P. P. Ruden, S. Limpijumnong, W. R. L. Lambrecht, and K. F. Brennen, J. Appl. Phys. 86, 6864 (1999).
3. A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
4. A. Ohtomo, M. Kawasaki, I. Ohkubo, H. Koinuma, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 75, 980 (1999).
5. A. N. Westmeyer, S. Mahajan, K. K. Bajaj, J. Y. Lin, H. X. Jiang, D. D. Koleske, and R. T. Senger, J. Appl. Phys. 99, 13705 (2006).
6. T. Edahiro, N. Fujimura, and T. Ito, J. Appl. Phys. 93, 7673 (2003).
7. K. Koike, K. Hama, I. Nakashima, G. Takada, M. Ozaki, K. Ogata, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L1372 (2004).
8. H. Kato, K. Miyamoto, M. Sano, and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 84, 4562 (2004).
9. S.-K. Hong, T. Hanada, H.-J. Ko, Y. Chen, T. Yao, D. Imai, K. Araki, and M. Shibohara, Appl. Phys. Lett. 77, 3571 (2000).
10. Z. X. Mei, Y. Wang, X. L. Du, M. J. Ying, Z. Q. Zeng, H. Zheng, J. F. Jia, Q. K. Xue, and Z. Zhang, J. Appl. Phys. 96, 7108 (2004).
11. Z. X. Mei, X. L. Du, Y. Wang, M. J. Ying, Z. Q. Zeng, H. Zheng, J. F. Jia, Q. K. Que, and Z. Zhang, Appl. Phys. Lett. 86, 112111 (2005).
12. X. Wang, Y. Tomita, O.-H. Roh, M. Ohsugi, S.-B. Che, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 86, 11921 (2005).
13. H. Tampo, P. Fons, A. Yamada, K.-K. Kim, H. Shibata, K. Matsubara, S. Niki, H. Yoshikawa, and H. Kanie, Appl. Phys. Lett. 87, 141904 (2005).
14. J. Saito, K. Nanbu, T. Ishikawa, and S. Hiyamizu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 22, L79 (1983).
15. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
16. T. Wang, Y. Ohno, M. Lachab, D. Nakagawa, T. Shirahama, S. Sakai, and H. Ohno. Appl. Phys. Lett. 74, 3531 (1999).
17. A. D. Corso, M. Posternak, R. Resta, and A. Baldereschi, Phys. Rev. B 50, 10715 (1994).
18. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
19. E. C. Heltemes and H. L. Swinney, J. Appl. Phys. 38, 2387 (1967).
20. R. Dingle, H. L. Störmer, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978).
21. S. Hiyamizu, T. Mimura, T. Fujii, and K. Nanb, Appl. Phys. Lett. 37, 805 (1980).
22. S. Hiyamizu and T. Mimura, J. Cryst. Growth 56, 455 (1982).
23. M. A. Khan, J. M. Van Hove, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 58, 2408 (1991).
24. M. A. Khan, J. N. Kuznia, J. M. Van Hove, N. Pan, and J. Carter, Appl. Phys. Lett. 60, 3027 (1992).
25. H. Tampo, A. Yamada, P. Fons, H. Shibata, K. Matsubara, K. Iwata, S. Niki, K. Nakahara, and H. Takasu, Appl. Phys. Lett. 84, 4412 (2004).
26. K. Koike, K. Hama, I. Nakashima, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 3822 (2005).