Enhancement-mode thin-film field-effect transistor using phosphorus-doped (Zn,Mg)O channel

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 14, 2004, Pages 2685-2687

  Kwon, Y ^a   Li, Y ^a   Heo, Y W ^a   Jones, M ^a   Holloway, P H ^a   Norton, D P ^a   Park, Z V ^a   Li, S ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHANNEL CONDUCTANCE; FIELD-EFFECT TRANSISTORS (FET); TRANSPARENT CONDUCTING OXIDES (TCO); VOLTAGE PROPERTIES;

ACTIVATION ENERGY; CAPACITANCE; CARRIER CONCENTRATION; CHANNEL CAPACITY; DEPOSITION; DISPLAY DEVICES; DOPING (ADDITIVES); ELECTRONS; LIGHT EMISSION; PHOTOLITHOGRAPHY; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; SUBSTRATES; THIN FILM TRANSISTORS; ZINC OXIDE;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 2342540970     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1695437     Document Type: Article

References (20)

1. H. Kim, J. S. Horwitz, W. H. Kim, A. J. Makinen, Z. H. Kafafi, and D. B. Chrisey, Thin Solid Films 420, 539 (2002).
2. T. J. Marks, J. G. C. Veinot, J. Cui, H. Yan, A. Wang, N. L. Edleman, J. Ni, Q. Huang, P. Lee, and N. R. Armstrong, Synth. Met. 127, 29 (2002).
3. H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, M. Hirano, N. Sarukura, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77, 475 (2000).
4. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Science 300, 1269 (2003).
5. K. Matsubara, P. Fons, K. Iwata, A. Yamada, K. Sakurai, H. Tampo, and S. Niki, Thin Solid Films 431, 369 (2003).
6. O. Lang, C. Pettenkofer, J. F. Sanchez-Royo, A. Segura, A. Klein, and W. Jaegermann, J. Appl. Phys. 86, 5687 (1999).
7. F. S. Sinencio and R. Williams, J. Appl. Phys. 54, 2757 (1983).
8. Z. L. Pei, C. Sun, M. H. Tan, J. Q. Xiao, D. H. Guan, R. F. Huang, and L. S. Wen, J. Appl. Phys. 90, 3432 (2001).
9. S. Arulkumaran et al., Appl. Phys. Lett. 81, 1131 (2002).
10. S. Harada, S. Suzuki, J. Senzaki, R. Kosugi, K. Adachi, K. Fukuda, and K. Arai, Mater. Sci. Forum 389, 1069 (2002).
11. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999).
12. A. R. Hutson, Phys. Rev. 108, 222 (1957).
13. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
14. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Lim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
15. Y. R. Ryu, T. S. Lee, and H. W. White, Appl. Phys. Lett. 83, 87 (2003).
16. S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata, and T. Kawai, J. Appl. Phys. 93, 1624 (2003).
17. R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733 (2003).
18. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, and G. Nunes, Jr., Appl. Phys. Lett. 82, 1117 (2003).
19. J. Nishii, F. M. Hossain, S. Takagi, T. Aita, K. Saikusa, Y. Ohmaki, I. Ohkubo, S. Kishimoto, A. Ohtomo et al., Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L347 (2003).
20. Y. Ohya, T. Niwa, T. Ban, and Y. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 297 (2001).