Nano-beam diffraction: Crystal structure and strain analysis at the nano-scale

ECS Transactions

Volumn 33, Issue 11, 2010, Pages 205-219

  Favia, P ^a   Popovici, M ^a   Eneman, G ^a,b   Wang, G ^a   Bargallo Gonzalez, M ^a   Simoen, E ^a   Menou, N ^a   Bender, H ^a  

^a IMEC   (Belgium)

^b UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

NANOTECHNOLOGY;

ANALYSIS METHOD; CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATIONS; ELECTRON PROBE; NANO SCALE; NANOBEAM DIFFRACTION; STRAIN ANALYSIS;

CRYSTAL STRUCTURE;

EID: 84863115919     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/1.3485694     Document Type: Conference Paper

References (46)

1. I. De Wolf, V. Senez, R. Balboni, A. Armigliato, S. Frabboni, A. Cedola and S. Lagomarsino, Microelectron. Eng. 70, 425 (2003).
2. J. M. Zuo, Ultramicroscopy 41, 211 (1992).
3. A. Armigliato, R. Balboni, G.P. Carnevale, G. Pavia, D. Piccolo, S. Frabboni, A. Benedetti and A.G. Cullis, Appl. Phys. Lett. 82, 2172 (2003).
4. V. Senez, A. Armigliato, I. De Wolf, G. Carnevale, R. Balboni, S. Frabboni and A. Benedetti, J. Appl. Phys. 94, 5574 (2003).
5. L. Clément, R. Pantel, L.F.Tz. Kwakman and J.L. Rouvière, Appl. Phys. Lett. 85, 651 (2004).
6. A. Armigliato, R. Balboni and S. Frabboni, Appl. Phys. Lett. 86, 063508 (2005).
7. F. Houdellier, C. Roucau, L. Clément, J. L. Rouvière and M. J. Casanove, Ultramicroscopy 106, 951 (2006).
8. A. Armigliato, A. Spessot, R. Balboni, A. Benedetti, G. Carnevale, S. Frabboni, G. Mastracchio and G. Pavia, J. Appl. Phys. 99, 064504 (2006).
9. K. Tsuda, H. Mitsuishi, M. Terauchi and K. Kawamura, J. Electron Microsc. 56, 57 (2007).
10. A. Benedetti, H. Bender and C. Torregiani, J. Electrochem. Soc. 154, H217 (2007).
11. K. Usuda, T. Numata and S. Takagi, Mater. Sci. Semicond. Process. 8, 155 (2005).
12. H.J. Engelmann, S. Heinemann and E. Zschech, Proceedings 16th International Microscopy Congress 1MC16, Hideki Ichinose, Takahisa Sasaki Editors, p. 990 (2006).
13. B. Foran, M.H. Clark and G. Lian, Future Fab International 20 127 (2006).
14. P. Favia, D. Klenov, G. Eneman, P. Verheyen, M. Bauer, D. Weeks, S.G. Thomas and H. Bender, in European Microscopy Conference, EMC 2008, Vol. 2: Materials Science, S. Richter, A. Schwedt, Editors, p. 15 (2008).
15. J. P. Liu, K. Li, S. M. Pandey, F. L. Benistant, A. See, M. S. Zhou, L. C. Hsia, R. Schampers and D.O. Klenov, Appl. Phys. Lett. 93, 221912 (2008).
16. A. Armigliato, S. Frabboni and G.C. Gazzadi, Appl. Phys. Lett. 93, 161906 (2008).
17. A. Béché, J.L. Rouvière, L. Clément and J.M. Hartmann, Appl. Phys. Lett. 95, 123114 (2009).
18. th International Symposium on Physical and Failure Analysis, p. 479 (2009).
19. P. Favia, M. Bargallo Gonzalez, E. Simoen, P. Verheyen, D. Klenov, H. Bender, submitted to J. Electrochem. Soc.
20. M. J. Hÿtch, J-L. Putaux and J-M. Pénisson, Nature 423, 270 (2003).
21. F. Hue, M. Hÿtch, H. Bender, F. Houdellier and A. Claverie, Phys. Rev. Lett. 100, 156602 (2008).
22. M. Hÿtch, F. Houdellier, F. Hue, and E. Snoeck, Nature 453, 1086 (2008).
23. F. Hüe, M. Hÿtch, F. Houdellier, H. Bender and A. Claverie, Appl. Phys. Lett. 95, 073103 (2009).
24. C. T. Koch, V. B. Ozdol and P.A. van Aken, Appl. Phys. Lett. 96, 091901 (2010).
25. O.S. Kwon, S.W. Lee, J.H. Han and C.S. Hwang, J. Electrochem. Soc., 154, G127 (2007).
26. N. Menou, M. Popovici, S. Clima, K. Opsomer, W. Polspoel, B. Kaczer, G. Rampelberg, K. Tomida, M. Pawlak, C. Detavernier, D. Pierreux, J. Swerts, J. Maes, D. Manger, M. Badylevich, V. Afanasiev, T. Conard, P. Favia, H. Bender, B. Brijs, W. Vandervorst, S. Van Elshocht, D.J. Wouters, S. Biesmans and J. Kittl, J. Appl. Phys. 106, 094101 (2009).
27. N. Menou, M. Popovici, K. Opsomer, B. Kaczer, M.A. Pawlak, C. Adelmann, A. Franquet, P. Favia, H. Bender, C. Detavernier, S. Van Elshocht, D.J. Wouters, S. Biesemans and J.A. Kittl, Jpn J. Appl. Phys. 49 04DD01 (2010).
28. H. Takeda, M. Kawada, K. Takeuchi, and M. Hane, 2009 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, 20, (2009).
29. M. Popovici, S. Van Elshocht, N. Menou, J. Swerts, D. Pierreux, A. Delabie, B. Brijs, T. Conard, K. Opsomer, J. W. Maes, D. J. Wouters and J. A. Kittl, J. Electrochem. Soc. 157 G1 (2010).
30. G. Wang, R. Loo, S. Takeuchi, L. Souriau, J. C. Lin, A. Moussa, H. Bender, B. De Jaeger, P. Ong, W. Lee, M. Meuris, M. Caymax, W. Vandervorst, B. Blanpain and M. M. Heyns, Thin Solid Films, 518, 2538 (2010).
31. G. Eneman, S. Yamaguchi, C. Ortolland, S. Takeoka, L. Witters, P. Favia, A. Hikavyy, J. Mitard, H. Bender, J. Tseng, W. Vandervorst, R. Loo, P.P. Absil, T. Hoffmann, S. Biesemans, in : Proceedings 2010 Symposium on VLSI Technology, Honolulu, (2010).
32. M. Bargallo Gonzalez, E. Simoen, B. Vissouvanadin, G. Eneman, P. Verheyen, R. Loo, C. Claeys, V. Machkaoutsan, P. Tomasini and S. Thomas, Phys. Status Solidi C 6, 1901 (2009).
33. V. Yu. Kolosov and A. R. Tholen, Acta Mater. 48, 1829 (2000).
34. B. J. Kooi and J. Th. M. de Hosson, J. Appl. Phys. 95, 4714, (2004).
35. J. Feng, R. Woo, S. Chen, Y. Liu, P. B. Griffin and J. D. Plummer, IEEE Electron Device Lett., 28, 637 (2007).
36. G. Eneman, B. De Jaeger, G. Wang, J. Mitard, G. Hellings, D. P. Brunco, E. Simoen, R. Loo, M. Caymax, C. Claeys, K. De Meyer, M. Meuris and M. M. Heyns, Thin Solid Films, 518, S88 (2010).
37. J. M. Hartmann, J. F. Damlencourt, Y. Bogumilowicz, P. Holliger, G. Rolland and T. Billon, J. Cryst. Growth, 274, 90 (2005).
38. T. A. Langdo, C. W. Leitz, M. T. Currie, E. A. Fitzgerald, A. Lochtefeid and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett., 76, 3700 (2000).
39. R. Loo, G. Wang, L. Souriau, J. C. Lin, S. Takeuchi, G. Brammertz and M. Caymax, J. Electrochem. Soc., 157, H13 (2010).
40. H. C. Luan, D. R. Lim, K. K. Lee, K. M. Chen, J. G. Sandland, K. Wada and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999).
41. J. S. Park, J. Bai, M. Curtin, B. Adekore, M. Carroll and A. Lochtefeld, Appl. Phys. Lett., 90, 052113 (2007).
42. M. Yamaguchi, A. Yamamoto, M. Tachikawa, Y. Itoh and M. Sugo, Appl. Phys. Lett., 53, 2293 (1988).
43. P. Zimmerman, G. Nicholas, B. De Jaeger, B. Kaczer, A. Stesmans, L. A. Ragnarsson, D. P. Brunco, F. E. Leys, M. Caymax, G. Winderickx, K. Opsomer, M. Meuris and M. Heyns, in IEDM, p. 1 (2006).
44. G. Eneman, R. Yang, G. Wang, B. De Jaeger, R. Loo, C. Claeys, M. Caymax, M. Meuris, M. Heyns and E. Simoen, Thin Solid Films, 518, 2489 (2010).
45. J. Mitard, C. Shea, B. De Jaeger, A. Pristera, G. Wang, M. Houssa, G. Eneman, G. Hellings, W. E. Wang, J. C. Lin, F. E. Leys, R. Loo, G. Windericks, E. Vrancken, A. Stesmans, K. DeMeyer, M. Caymax, M. Pantisano, M. Meuris and M. M. Heyns, in 2009 Symp. on VLSI Tech., p. 82, Kytoto, Japan (2009).
46. B.-Y. Nguyen, A. T. Da Zhang, P. Grudowski, B. Gu, T. White, V. Adams, S. Bo, S. Zollner, X.-D. Wang, D. Eades, L. Prabhu, H. Desjardins, R. Garcia, Z. Shi, V. Vartanian, T. Stephens, G. Spencer, V. Dhandapani, J. Jiang, R. Rai, S. Murphy, J. Conner, P. Fejes, T. Nguyen, D. Theodore, M. Kottke, R. Gregory, M. Canonico, R. Noble, L. Chandna, A. Vandooren, L. Mathew, A. Barr, M. Mendicino, B. White, J. Cheek and S. Venkatesa, Solid State. Techn. 49, 41 (2006).