Atomic layer deposition and electrical properties of SrTi O3 thin films grown using Sr (C11 H19 O2) 2, Ti (Oi- C3 H7) 4, and H2 O

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 6, 2007, Pages

  Kwon, Oh Seong ^a   Lee, Sang Woon ^a   Han, Jeong Hwan ^a   Hwang, Cheol Seong ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; CURRENT DENSITY; ELECTRIC PROPERTIES; FILM GROWTH; MICROCRACKING; OXIDANTS; PERMITTIVITY; STRONTIUM COMPOUNDS; VAPORS;

EQUIVALENT OXIDE THICKNESS; SEED LAYERS;

THIN FILMS;

EID: 34547188279     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2720763     Document Type: Article

References (21)

1. C. S. Hwang, S. O. Park, H-J Cho, C. S. Kang, H. K. Kang, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 67, 2819 (1995).
2. C. S. Hwang, Mater. Sci. Eng., B, 56, 178 (1998).
3. M. Yamamuka, T. Kawahara, M. Tarutani, T. Horikawa, T. Oomori, and K. Ono, J. Appl. Phys., 86, 1082 (1999).
4. Y. Gao, T. Tran, and P. Alluri, Appl. Phys. Lett., 75, 415 (1999).
5. C. S. Kang, C. S. Hwang, H. J. Cho, B. T. Lee, S. O. Park, J. W. Kim, H. Horii, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 35, 4890 (1996).
6. K. Hieda, K. Eguchi, J. Nakahira, M. Kiyotoshi, M. Nakabayashi, H. Tomita, M. Izuha, T. Aoyama, S. Niwa, K. Tsunoda, S. Yamazaki, J. Lin, A. Shimada, K. Nakamura, T. Kubota, M. Asano, K. Hosaka, Y. Fukuzimi, Y. Ishibashi, and Y. Kohyama, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1999, 789.
7. K. Hieda, K. Eguchi, N. Fukushima, T. Aoyama, K. Natori, M. Kiyotoshi, S. Yamazaki, M. Izuha, S. Niwa, Y. Fukuzimi, Y. Ishibashi, Y. Kohyama, T. Arikado, and K. Okumura, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1998, 807.
8. (a) C. S. Hwang, J. Park, D. S. Hwang, and C. Y. Yoo, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.1409399, 148, 636 (2001); (b) C. S. Hwang, S. Y. No, J. Park, H. J. Kim, H. J. Cho, Y. K. Han, and K. Y. Oh, J. Electrochem. Soc., 149, 585 (2002).
9. (a) C. S. Hwang, J. Park, D. S. Hwang, and C. Y. Yoo, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.1409399, 148, 636 (2001); (b) C. S. Hwang, S. Y. No, J. Park, H. J. Kim, H. J. Cho, Y. K. Han, and K. Y. Oh, J. Electrochem. Soc., 149, 585 (2002).
10. T. Suntola, Mater. Sci. Rep., 4, 261 (1989).
11. O. S. Kwon, S. K. Kim, M. Cho, C. S. Hwang, and J. Jeong, J. Electrochem. Soc., 152, C229 (2005).
12. NIST X-Ray Photoelectron Spectroscopy Database, NIST Standard Reference Database 20, Version 3.4.
13. P. A. W. Heide, Q. D. Jiang, Y. S. Kim, and J. W. Rabalais, Surf. Sci., 473, 59 (2001).
14. R. P. Vasquez, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 56, 217 (1991).
15. J. D. Baniecki, T. Shioga, M. Ishii, and K. Kurihara, Paper 5-474-I presented at the International Symposium on Integrated Ferroelectronics, Honololu, HI, April 23-27, 2006.
16. I. Barin, Thermochemical Data of Pure Substances, Part II, p. 1255 and p. 1427, VCH, Weinheim (1989).
17. C. S. Hwang, S. O. Park, C. S. Kang, H. Cho, H. Kang, S. T. Ahn, and M. Y. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 34, 5178 (1995).
18. M. Vehkamäki, T. Hänninen, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, E. Rauhala, and Juhani Keinonen, Chem. Vap. Deposition, 7, 75 (2001).
19. A. Kosola, M. Putkonen, L-S. Johansson, and L. Niinistö, Appl. Surf. Sci., 211, 102 (2003).
20. H. K. Ryu, J. S. Heo, S. I. Cho, C. Chung, and S. H. Moon, J. Electrochem. Soc., 147, 1130 (2000).
21. M. Tarutani, M. Yamamuka, T. Takenaga, T. Kuoiwa, and T. Horikawa, Thin Solid Films, 409, 8 (2002).