-
3
-
-
50049110827
-
-
F. Qian Y. Li S. Gradecak H. G. Park Y. J. Dong Y. Ding Z. L. Wang C. M. Lieber Nat. Mater. 2008 7 701
-
(2008)
Nat. Mater.
, vol.7
, pp. 701
-
-
Qian, F.1
Li, Y.2
Gradecak, S.3
Park, H.G.4
Dong, Y.J.5
Ding, Y.6
Wang, Z.L.7
Lieber, C.M.8
-
5
-
-
61649087872
-
-
Y. B. Tang Z. H. Chen H. S. Song C. S. Lee H. T. Cong H. M. Cheng W. J. Zhang I. Bello S. T. Lee Nano Lett. 2008 8 4191
-
(2008)
Nano Lett.
, vol.8
, pp. 4191
-
-
Tang, Y.B.1
Chen, Z.H.2
Song, H.S.3
Lee, C.S.4
Cong, H.T.5
Cheng, H.M.6
Zhang, W.J.7
Bello, I.8
Lee, S.T.9
-
6
-
-
33744819765
-
-
V. Dobrokhotov D. N. McIlroy M. G. Norton A. Abuzir W. J. Yeh I. Stevenson R. Pouy J. Bochenek M. Cartwritht L. Wang J. Dawson M. Beaux C. Berven J. Appl. Phys. 2006 99 104302
-
(2006)
J. Appl. Phys.
, vol.99
, pp. 104302
-
-
Dobrokhotov, V.1
McIlroy, D.N.2
Norton, M.G.3
Abuzir, A.4
Yeh, W.J.5
Stevenson, I.6
Pouy, R.7
Bochenek, J.8
Cartwritht, M.9
Wang, L.10
Dawson, J.11
Beaux, M.12
Berven, C.13
-
8
-
-
3042835508
-
-
H. M. Kim Y. H. Cho H. Lee S. I. Kim S. R. Ryu D. Y. Kim T. W. Kang K. S. Chung Nano Lett. 2004 4 1059
-
(2004)
Nano Lett.
, vol.4
, pp. 1059
-
-
Kim, H.M.1
Cho, Y.H.2
Lee, H.3
Kim, S.I.4
Ryu, S.R.5
Kim, D.Y.6
Kang, T.W.7
Chung, K.S.8
-
10
-
-
36048973587
-
-
Z. Bougrioua P. Gibarta E. Calleja U. Jahn A. Trampert J. Ristic M. Utrera G. Nataf J. Cryst. Growth 2007 309 113
-
(2007)
J. Cryst. Growth
, vol.309
, pp. 113
-
-
Bougrioua, Z.1
Gibarta, P.2
Calleja, E.3
Jahn, U.4
Trampert, A.5
Ristic, J.6
Utrera, M.7
Nataf, G.8
-
15
-
-
77950837003
-
-
C. T. Huang J. H. Song W. F. Lee Y. Ding Z. Y. Gao Y. Hao L. J. Chen Z. L. Wang J. Am. Chem. Soc. 2010 132 4766
-
(2010)
J. Am. Chem. Soc.
, vol.132
, pp. 4766
-
-
Huang, C.T.1
Song, J.H.2
Lee, W.F.3
Ding, Y.4
Gao, Z.Y.5
Hao, Y.6
Chen, L.J.7
Wang, Z.L.8
-
27
-
-
79954448673
-
-
J. Q. Liu J. F. Wang X. J. Gong J. Huang K. Xu T. F. Zhou H. J. Zhong Y. X. Qiu D. M. Cai G. Q. Ren H. Yang Appl. Phys. Express 2011 4 045001
-
(2011)
Appl. Phys. Express
, vol.4
, pp. 045001
-
-
Liu, J.Q.1
Wang, J.F.2
Gong, X.J.3
Huang, J.4
Xu, K.5
Zhou, T.F.6
Zhong, H.J.7
Qiu, Y.X.8
Cai, D.M.9
Ren, G.Q.10
Yang, H.11
-
32
-
-
65749091218
-
-
J. F. Wang X. J. Hu Y. M. Zhang Y. Xu H. B. Wang B. S. Zhang K. Xu H. Yang J. Cryst. Growth 2009 311 3033
-
(2009)
J. Cryst. Growth
, vol.311
, pp. 3033
-
-
Wang, J.F.1
Hu, X.J.2
Zhang, Y.M.3
Xu, Y.4
Wang, H.B.5
Zhang, B.S.6
Xu, K.7
Yang, H.8
-
34
-
-
65749112388
-
-
J. Q. Liu J. F. Wang Y. F. Liu K. Huang X. J. Hu Y. M. Zhang Y. Xu K. Xu H. Yang J. Cryst. Growth 2009 311 3080
-
(2009)
J. Cryst. Growth
, vol.311
, pp. 3080
-
-
Liu, J.Q.1
Wang, J.F.2
Liu, Y.F.3
Huang, K.4
Hu, X.J.5
Zhang, Y.M.6
Xu, Y.7
Xu, K.8
Yang, H.9
-
35
-
-
85042807979
-
-
T. Sugahara H. Sato M. S. Hao Y. Naoi S. Kurai S. Tottori K. Yamashita K. Nishino L. T. Romano S. Sakai Jpn. J. Appl. Phys. 1998 37 L398
-
(1998)
Jpn. J. Appl. Phys.
, vol.37
, pp. 398
-
-
Sugahara, T.1
Sato, H.2
Hao, M.S.3
Naoi, Y.4
Kurai, S.5
Tottori, S.6
Yamashita, K.7
Nishino, K.8
Romano, L.T.9
Sakai, S.10
-
39
-
-
77954326476
-
-
J. Q. Liu J. F. Wang Y. X. Qiu X. Guo K. Huang Y. M. Zhang X. J. Hu Y. Xu K. Xu X. H. Huang H. Yang Semicond. Sci. Technol. 2009 24 125007
-
(2009)
Semicond. Sci. Technol.
, vol.24
, pp. 125007
-
-
Liu, J.Q.1
Wang, J.F.2
Qiu, Y.X.3
Guo, X.4
Huang, K.5
Zhang, Y.M.6
Hu, X.J.7
Xu, Y.8
Xu, K.9
Huang, X.H.10
Yang, H.11
|