The roles of structural imperfections in InGaN-based blue light- emitting diodes and laser diodes

Science

Volumn 281, Issue 5379, 1998, Pages 956-961

  Nakamura, Shuji ^a  

^a NICHIA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIODE; DISPLAY SYSTEM; ELECTRONICS; INFRARED RADIATION; LIGHT EMITTING DIODE; PRIORITY JOURNAL; REVIEW; SEMICONDUCTOR;

EID: 0032516703     PISSN: 00368075     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1126/science.281.5379.956     Document Type: Review

References (75)

1. S. Yoshida, S. Misawa, S. Gonda, Appl. Phys. Lett. 42, 427 (1983).
2. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, T. Toyoda, ibid. 48, 353 (1986).
3. Reviewed by S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer-Verlag, Heidelberg, ed. 1, 1997).
4. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705 (1991).
5. S. Strite and H. Morkoç, J. Vacuum Sci Technol. B10, 1237 (1992).
6. F. A. Ponce and D. P. Bour, Nature 386, 351 (1997).
7. J. I. Pankove, E. A. Miller, J. E. Berkeyheiser, RCA Rev. 32, 383 (1971).
8. J. I. Pankove, M. T. Duffy, E. A. Miller, J. E. Berkeyheiser, J. Luminescence 8, 89 (1973).
9. H. P. Maruska, W. C. Rhines, D. A. Stevenson, Mat. Res. Bull. 7, 777 (1972).
10. O. Lagerstedt and B. Monemar, J. Appl. Phys. 45, 2266 (1974).
11. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2112 (1989).
12. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh N. Iwasa, ibid. 31, L139 (1992).
13. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh T. Mukai, ibid., p. 1258.
14. C. Wang and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 63, 990 (1993).
15. M. Rubin, N. Newman, J. S. Chan, T. C. Fu, J. T. Ross, ibid. 64, 64 (1994).
16. M. S. Brandt, N. M. Johnson, R. J. Molnar, R. Singh, T. D. Moustakas, ibid., p. 2264.
17. J. M. Zavada, R. G. Wilson, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, ibid., p. 2724.
18. J. Neugebauer and C. Van De Walle, Phys. Rev. B50, 8067 (1994).
19. T. Nagatomo, T. Kuboyama, H. Minamino, O. Omoto, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L1334 (1989).
20. T. Matsuoka, H. Tanaka, T. Sasaki, A. Katsui, Inst. Phys. Conf. Ser. 106, 141 (1990).
21. T. Matsuoka, J. Cyst. Growth 124, 433 (1992).
22. S. Nakamura and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L1457 (1992).
23. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, S. Nagahama N. Iwasa, J. Appl. Phys. 74, 3911 (1993).
24. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
25. _, ibid. 70, 2822 (1997).
26. Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita, S. Nakamura, Phys. Rev. B55, 1938R (1997).
27. Y. Narukawa et al., Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
28. S. Chichibu, K. Wada, S. Nakamura, ibid. 71, 2346 (1997).
29. S. Nakamura, T. Mukai M. Senoh, ibid. 64, 1687 (1994).
30. S. Nakamura et al., Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1332 (1995).
31. T. Mukai, D. Morita, S. Nakamura, J. Crystal Growth 189/190, 778 (1998).
32. T. Mukai, H. Narimatsu S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L479 (1998).
33. S. Nakamura et al., ibid. 35, L74 (1996).
34. K. Itaya et al., ibid., p. L1315.
35. G. E. Bulman et al., Electron. Lett. 33, 1556 (1997).
36. M. P. Mack et al., MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 41 (1997). Available at http://nsr.mij.mrs.org/2/41/.
37. A. Kuramata et al., Jpn J. Appl. Phys. 36, L1130 (1997).
38. F. Nakamura et al., in (31), p. LN-8.
39. M. Kneissl et al., Appl. Phys. Lett. 72, 1539 (1998).
40. H. Katoh et al., Jpn. J. Appl. Phys. 37, L 444 (1998).
41. S. Nakamura et al., Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
42. _, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).
43. _, ibid. 37, L627 (1998).
44. _, ibid., p. L309.
45. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
46. D. Kapolnek et al., ibid. 67, 1541 (1995).
47. X. H. Wu et al. Jpn. J. Appl. Phys. 35, L1648 (1996).
48. B. Heying et al., Appl. Phys. Lett. 68, 643 (1996).
49. B. Garni et al., ibid., p. 1380.
50. S. J. Rosner et al. ibid. 70, 420 (1997).
51. N. G. Weimann and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
52. P. J. Hansen et al., Appl. Phys. Lett. 72, 2247, (1998).
53. W. Qian et al., ibid. 67, 2284 (1995).
54. X. H. Wu et al., J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).
55. E. J. Tarsa et al., ibid. 82, 5472 (1997).
56. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Gotz, P. J. Wright, Appl. Phys. Lett. 68, 57 (1996).
57. C. Sasaoka et al., J. Crystal Growth 189/190, 61 (1998).
58. A. Osinsky et al., Appl. Phys. Lett. 71, 2334 (1997).
59. X. H. Wu et al., ibid. 72, 692 (1998).
60. H. Sato, T. Sugahara, Y. Naoi, S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 37, 2013 (1998).
61. S. Keller, U. K. Mishra, S. P. Denbaars, W. Seifert, ibid., p. L431.
62. Y. Chen et al., Appl. Phys. Lett. 72, 710 (1998).
63. P. A. Crowell, D. K. Young, S. Keller, E. L. Hu, D. D. Awschalom, ibid., p. 927.
64. T. Sugahara et al., Jpn. J. Appl. Phys. 37, L398 (1998).
65. S Chichibu et al., in preparation.
66. M. D. McCluskey, C. G. Van de Walle, C. P. Master, L. T. Romano, N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 72, 2725 (1998).
67. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 2883 (1992).
68. _, ibid. 32, L16 (1993).
69. S. Nakamura, IEEE J. Selective Top. Quantum Electron. 3, 712 (1997).
70. D. L. Smith and C. Mailhiot, Phys. Rev. Lett. 58, 1264 (1987).
71. M. B. Nardelli, K. Rapcewicz, J. Bernholc, Appl. Phys. Lett. 71, 3135 (1997).
72. T. Takeuchi et al., Jpn. J. Appl. Phys. 36, L177 (1997).
73. S. Nakamura et al., ibid., p. L1059.
74. A. Sakai, H. Sunakawa, A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
75. T. S. Zheleva, O. H. Nam, M. D. Bremser, R. F. Davis, ibid., p. 2472.