Gallium nitride whiskers formed by selective photoenhanced wet etching of dislocations

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 6, 1998, Pages 797-799

  Youtsey, C ^a   Romano, L T ^b   Adesida, I ^a  

^a University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

^b PALO ALTO RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000100859     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122005     Document Type: Article

References (17)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Isawa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1568 (1997).
2. Z. Yu, M. A. L. Johnson, T. Mcnulty, J. D. Brown, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 6 (1998).
3. D. Kapolnek, X. H. Wu, B. Heying, S. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 67, 1541 (1995).
4. K. Sangwal, Etching of Crystals: Theory, Experiment, and Application (Elsevier Science, Amsterdam, 1987).
5. J. R. Mileham, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, R. J. Shul, and S. P. Kilcoyne, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 836 (1996).
6. M. S. Minsky, A. M. White, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 68, 1531 (1996).
7. C. Youtsey, I. Adesida, and G. Bulman, Electron. Lett. 33, 245 (1997).
8. H. Lu, Z. Wu, and I. Bhat, J. Electrochem. Soc. 144, L8 (1997).
9. C. Youtsey, I. Adesida, and G. Bulman, Appl. Phys. Lett. 71, 2151 (1997).
10. C. Youtsey, I. Adesida, L. T. Romano, and G. Bulman, Appl. Phys. Lett. 72, 560 (1998).
11. C. Youtsey, I. Adesida, and G. Bulman, J. Electron. Mater. 27, 282 (1998).
12. M. Hao, T. Sugahara, H. Sato, Y. Morishima, Y. Naoi, L. T. Romano, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L291 (1998).
13. J. Weyher and J. Van de Ven, J. Cryst. Growth 63, 285 (1983).
14. T. Saitoh, S. Matsubara, and S. Minagawa, J. Electrochem. Soc. 122, 670 (1975).
15. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
16. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).
17. T. Sugahara, H. Sato, M. Hao, Y. Naoi, S. Kurai, S. Tottori, K. Yamasita, K. Nishino, S. Sakai, and L. T. Romano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L398 (1998).