Recent progress in selective area growth and epitaxial lateral overgrowth of III-nitrides: Effects of reactor pressure in MOVPE growth

Physica Status Solidi (A) Applied Research

Volumn 176, Issue 1, 1999, Pages 535-543

  Hiramatsu, K ^a   Nishiyama, K ^a   Motogaito, A ^a   Miyake, H ^a   Iyechika, Y ^b   Maeda, T ^b  

^a MIE UNIVERSITY   (Japan)

^b SUMITOMO CHEMICAL CO LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL ORIENTATION; CRYSTALLINE MATERIALS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MORPHOLOGY; PRESSURE EFFECTS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICA;

EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH (ELO); GALLIUM NITRIDE; SELECTIVE AREA GROWTH (SAG);

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0033221859     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<535::AID-PSSA535>3.0.CO;2-I     Document Type: Article

References (23)

1. T. NISHINAGA, T. NAKANO, and S. ZHANG, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L964 (1988).
2. Y. UJIIE and T. NISHINAGA, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L327 (1989).
3. Y. KATO, S. KITAMURA, K. HIRAMATSU, and N. SAWAKI, J. Cryst. Growth 144, 133 (1994).
4. S. KITAMURA, K. HIRAMATSU, and N. SAWAKI, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1184 (1995).
5. O. H. NAM, M. D. BREMSER, B. L. WARD, R. J. NEMANICH, and R. F. DAVIS, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L532 (1997).
6. R. D. UNDERWOOD, D. KAPOLNEK, B. P. KELLER, S. KELLER, S. P. DENBAARS, and U. K. MISHRA, Solid State Electronics 41, 243 (1997).
7. T. TANAKA, K. UCHIDA, A. WATANABE, and S. MINAGAWA, Appl. Phys. Lett. 68, 976 (1996).
8. T. AKASAKA, Y. KOBAYASHI, S. ANDO, N. KOBAYASHI, and M. KUMAGAI, J. Cryst. Growth 189/190, 72 (1998).
9. T. SUGAHARA, W. TAO, M. HAO, D. NAKAGAWA, Y. NAOI, and S. SAKAI, Extended Abstracts of the 25th Internat. Symp. Compound Semiconductors, 1998 (Fr 1A-5).
10. A. USUI, H. SUNAKAWA, A. SAKAI, and A. YAMAGUCHI, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L899 (1997).
11. O. H. NAM, M. D. BREMSER, T. S. ZHELEVA, and R. F. DAVIS, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
12. S. NAKAMURA, M. SENOH, S. NAGAHAMA, N. IWASA, T. YAMADA, T. MATSUSHITA, H. KIYOKU, Y. SUGIMOTO, T. KOZAKI, H. UMEMOTO, M. SANO, and K. CHOCHO, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 36, L1568 (1997).
13. O. H. NAM, T. S. ZHELEVA, M. D. BREMSER, D. B. THOMSON, and R. F. DAVIS, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 301 (1998).
14. D. KAPOLNEK, S. KELLER, R. VETURY, R. D. UNDERWOOD, P. KOZODOY, S. P. DENBAARS, and U. K. MISHRA, Appl. Phys,. Lett. 71, 1204 (1997).
15. J. PARK, P. A. GRUDOWSKI, C. J. EITING, and R. D. DUPUIS, Appl. Phys. Lett. 73, 333 (1998).
16. Y. KAWAGUCHI, S. NAMBIJ, H. SONE, T. SHIBATA, H. MATSUSHIMA, M. YAMAGUCHI, H. MIYAKE, K. HIRAMATSU, and N. SAWAKI, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L845 (1998).
17. M. E. COLTRIN, C. C. WILLIAM, M. E. BARTRAM, J. HAN, N. MISSERT, M. H. CRAWFORD, and A. G. BACA, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.9 (1999).
18. R. ZHANG, L. ZHANG, D. M. HANSEN, M. P. BOLESLAWSKI, K. L. CHEN, D. Q. LU, B. SHEN, Y. D. ZHENG, and T. F. KUECH, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G4.7 (1999).
19. H. MARCHAND, J. P. IBBETSON, P. T. FINI, X. H. Wu, S. KELLER, S. P. DENBAARS, J. S. SPECK, and U. K. MISHRA, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G4.5 (1999).
20. K. TADATOMO, Y. OHUCHI, H. OKAGAWA, H. ITOH, H. MIYAKE, and K. HIRAMATSU, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.1 (1999).
21. B. BEAUMONT, S. HFFOUZ, and P. GILBART, Appl. Phys. Lett. 72, 921 (1998).
22. P. KUNG, D. WALKER, M. HAMILTON, J. DIAZ, and M. RAZEGHI, Appl. Phys. Lett. 74, 570 (1999).
23. B. STRINGFELLOW, J. Cryst. Growth 68, 111 (1984).