Transition metal oxide thin films for nonvolatile resistive random access memory applications

Journal of the Ceramic Society of Japan

Volumn 117, Issue 1369, 2009, Pages 929-934

  Dinghua, B A O ^a  

^a SUN YAT SEN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

Metal nanocomposite thin film; Multilayered thin film; Resistance switching; Resistive random access memory; Transition metal oxide thin film

Indexed keywords

II-VI SEMICONDUCTORS; NANOCOMPOSITE FILMS; NANOCOMPOSITES; NICKEL OXIDE; OXIDE FILMS; PEROVSKITE; RRAM; SWITCHING; TIO2 NANOPARTICLES; TITANIUM DIOXIDE; TRANSITION METAL OXIDES; TRANSITION METALS; ZINC OXIDE; ZIRCONIA;

LOW OPERATING VOLTAGE; METAL NANOCOMPOSITES; MULTILAYERED THIN FILMS; ORGANIC MOLECULAR MATERIAL; RESISTANCE SWITCHING; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (RRAM); SIMPLE DEVICE STRUCTURES;

THIN FILMS;

EID: 70349164162     PISSN: 18820743     EISSN: 13486535     Source Type: Journal    
DOI: 10.2109/jcersj2.117.929     Document Type: Review

References (62)

1. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart and R. S. Williams, Nature, 453, 80 (2008).
2. M. J. Lee, S. Seo, D. C. Kim, S. E. Ahn, D. H. Seo, I. G. Baek, D. S. Kim, I. S. Byun, S. H. Kim, I. R. Huang, J. S. Kim, S. H. Jeon and B. H. Park, Adv. Mater., 19, 73 (2007).
3. R. Waser and M. Aono, Nat. Mater., 6, 833-840 (2007).
4. Y. B. Nian, J. Strozier, N. J. Wu et al., Phys. Rev. Lett., 98, 146403 (2007).
5. J. J. Yang, M. D. Pickett, X. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart and R. S. Williams, Nature Nanotechnology, 3, 429-433 (2008).
6. S. H. Chang, J. S. Lee, S. C. Chae et al., Phys. Rev. Lett., 102, 026801 (2009).
7. A. Sawa, Mater. Today, 11, 28 (2008).
8. A. Ignatiev, N. J. Wu, X. Chen, S. Q. Liu, C. Papagianni and J. Strozier, Phys. Stat. Sol. B, 243, 2089-2097 (2006).
9. A. Ignatiev, N. J. Wu, X. Chen, Y. B. Nian, C. Papagianni, S. Q. Liu and J. Strozier, Phase Transit., 81, 791-806 (2008).
10. C. Y. Lin, C. Y. Liu, C. C. Lin and T. Y. Tseng, J. Electroceram.,21, 61-66 Sp. Iss. SI (2008).
11. G. S. Park, X. S. Li, D. C. Kim, R. J. Jung, M. J. Lee and S. Seo, Appl. Phys. Lett., 91, 222103 (2007).
12. J. B. Yun, S. Kim, S. Seo, M. J. Lee, D. C. Kim, S. E. Ahn, Y. Park, J. Kim and H. Shin, Phys. Stat. Sol.-Rapid Res. Lett., 1, 280-282 (2007).
13. J. Y. Son and Y. H. Shin, Appl. Phys. Lett., 92, 222106 (2008).
14. U. Russo, D. Ielmini, C. Cagli and A. L. Lacaita, IEEE Trans. Electron Devices, 56, 186-192 (2009).
15. K. Jung, H. Seo, Y. Kim, H. Im, J. Hong, J. W. Park and J. K. Lee, Appl. Phys. Lett., 90, 052104 (2007).
16. J. W. Park, J. W. Park, K. Jung, M. K. Yang and J. K. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 2205-2208 (2006).
17. C. Park, S. H. Jeon, S. C. Chae, S. Han, B. H. Park, S. Seo and D. W. Kim, Appl. Phys. Lett., 93, 042102 (2008).
18. C. B. Lee, B. S. Kang, M. J. Lee, S. E. Ahn, G. Stefanovich, W. X. Xianyu, K. H. Kim, J. H. Hur, H. X. Yin, Y. Park, I. K. Yoo, J. B. Park and B. H. Park, Appl. Phys. Lett., 91, 082104 (2007).
19. C. B. Lee, B. S. Kang, A. Benayad, M. J. Lee, S. E. Ahn, K. H. Kim, G. Stefanovich, Y. Park and I. K. Yoo, Appl. Phys. Lett., 93, 042115 (2008).
20. S. H. Phark, R. Jung, Y. J. Chang, T. W. Noh and D. W. Kim, Appl. Phys. Lett., 94, 022906 (2009).
21. K. Jung, J. Choi, Y. Kim, H. Im, S. Seo, R. Jung, D. Kim, J. S. Kim, B. H. Park and J. P. Hong, J. Appl. Phys., 103, 034504 (2008).
22. D. C. Kim, M. J. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. C. Park, I. K. Yoo, I. G. Baek, H. J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, H. S. Kim, U. I. Chung, J. T. Moon and B. I. Ryu, Appl. Phys. Lett., 88, 232106 (2006).
23. Y. Sato, K. Tsunoda, K. Kinoshita, H. Noshiro, M. Aoki and Y. Sugiyama, IEEE Trans. Electron Devices, 55, 1185-1191 (2008).
24. C. Yoshida, K. Tsunoda, H. Noshiro and Y. Sugiyama, Appl. Phys. Lett., 91, 223510 (2007).
25. M. Fujimoto, H. Koyama, M. Konagai, Y. Hosoi, K. Ishihara, S. Ohnishi and N. Awaya, Appl. Phys. Lett., 89, 223509 (2006).
26. W. Y. Chang, Y. T. Ho, T. C. Hsu, F. Chen, M. J. Tsai and T. B. Wu, Electrochem. Solid-Stat. Lett., 12, H135-H137 (2009).
27. K. M. Kim, B. J. Choi, D. S. Jeong, C. S. Hwang and S. Han, Appl. Phys. Lett., 89, 162912 (2006).
28. K. M. Kim, B. J. Choi and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 90, 242906 (2007).
29. J. S. Kwak, Y. H. Do, J. H. Lee, J. P. Hong, B. H. Park, H. S. Im and S. J. Woo, J. Korean Phys. Soc., Part 1 Sp. Iss. SI. 53, 3685-3689 (2008).
30. L. F. Liu, J. F. Kang, N. Xu, X. Sun, C. Chen, B. Sun, Y. Wang, X. Y. Liu, X. Zhang and R. Q. Han, Jpn. J. Appl. Phys.,47, 2701-2703 Part 2 (2008).
31. S. Won, S. Go, K. Lee and J. Lee, Electron. Mater. Lett., 4, 29-33 (2008).
32. D. Lee, H. Choi, H. Sim, D. Choi, H. Hwang, M. J. Lee, S. A. Seo and I. K. Yoo, IEEE Electron Dev. Lett., 26, 719-721 (2005).
33. C. Y. Lin, C. Y. Wu, C. Y. Wu, T. C. Lee, F. L. Yang, C. Hu and T. Y. Tseng, IEEE Electron Dev. Lett., 28, 366-368 (2007).
34. S. Lee, W. G. Kim, S. W. Rhee and K. Yong, J. Electrochem. Soc., 155, H92-H96 (2008).
35. H. Y. Lee, P. S. Chen, C. C. Wang, S. Maikap, P. J. Tzeng, C. H. Lin, L. S. Lee and M. J. Tsai, Jpn. J. Appl. Phys., PART 1, 46, 2175-2179 (2007).
36. C. Y. Lin, D. Y. Lee, S. Y. Wang, C. C. Lin and T. Y. Tseng, Surf. & Coat Technol., 203, 480-483 (2008).
37. M. Villafuerte, S. P. Heluani, G. Juarez, G. Simonelli, G. Braunstein and S. Duhalde, Appl. Phys. Lett., 90, 052105 (2007).
38. W. Y. Chang, Y. C. Lai, T. B. Wu, S. F. Wang, F. Chen and M. J. Tsai, Appl. Phys. Lett., 92, 022110 (2008).
39. N. Xu, L. F. Liu, X. Sun, C. Chen, Y. Wang, D. D. Han, X. Y. Liu, R. Q. Han, J. F. Kang and B. Yu, Semicond. Sci. Technol., 23, 075019 (2008).
40. N. Xu, L. F. Liu, X. Sun, X. Y. Liu, D. D. Han, Y. Wang, R. Q. Han, J. F. Kang and B. Yu, Appl. Phys. Lett., 92,232112 (2008).
41. X. M. Chen, G. H. Wu and D. H. Bao, Appl. Phys. Lett., 93, 093501 (2008).
42. X. M. Chen, G. H. Wu, P. Jiang, W. F. Liu and D. H. Bao, Appl. Phys. Lett., 94, 033501 (2009).
43. Y. C. Yang, F. Pan, Q. Liu, M. Liu and F. Zeng, Nano Lett., 9, 1636-1643 (2009).
44. S. Kim, H. Moon, D. Gupta, S. Yoo and Y. K. Choi, IEEE Trans. Electron Devices, 56, 696-699 (2009).
45. J. W. Seo, J. W. Park, K. S. Lim, J. H. Yang and S. J. Kang, Appl. Phys. Lett., 93, 223505 (2008).
46. S. Kim and Y. K. Choi, Appl. Phys. Lett., 92, 223508 (2008).
47. C. Y. Lin, C. Y. Wu, C. Y. Wu, C. Hu and TY Tseng, J. Electrochem. Soc., 154, G189-G192 (2007).
48. P. Zhou, H. B. Lv, M. Yin, L. Tang, Y. L. Song, T. A. Tang, Y. Y. Lin, A. Bao, A. Wu, S. Cai, H. Wu, C. Liang and M. H. Chi, J. Vac. Sci. Technol. B, 26, 1030-1032 (2008).
49. S. Zhang, S. B. Long, W. H. Guan, Q. Liu, Q. Wang and M. Liu, J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 055112 (2009).
50. D. Lee, D. J. Seong, I. Jo, F. Xiang, R. Dong, S. Oh and H. Hwang, Appl. Phys. Lett., 90, 122104 (2007).
51. K. W. Jeong, Y. H. Do, K. S. Yoon, C. O. Kim and J. P. Hong,J. Korean Phys. Soc., 48, 1501-1504 (2006).
52. K. M. Kim, B. J. Choi, B. W. Koo, S. Choi, D. S. Jeong and C. S. Hwang, Electrochem. Solid-State Lett., 9, G343-G346 (2006).
53. K. Kinoshita, T. Tamura, M Aoki, Y. Sugiyama and H. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., 45, L991 (2006).
54. X. M. Chen and D. H. Bao, to be published.
55. D. Tu, M. Liu, L. W. Shang, X. H. Liu and C. Q. Xie, Appl. Phys. Lett., 92, 123302 (2008).
56. W. H. Guan, S. B. Long, R. Jia and M. Liu, Appl. Phys. Lett., 91, 062111 (2007).
57. W. H. Guan, S. B. Long, Q. Liu, M. Liu, W. Wang, IEEE Electron Dev. Lett., 29, 434-437 (2008).
58. Q. Liu, W. H. Guan, S. B. Long, R. Jia, M. Liu and J. N. Chen, Appl. Phys. Lett., 92, 012117 (2008).
59. B. Sun, L. F. Liu, D. D. Han, Y. Wang, X. Y. Liu, R. Q. Han and J. F. Kang, Chin. Phys. Lett., 25, 2187-2189 (2008).
60. C. Schindler, S. C. P. Thermadam, R. Waser and M. N. Kozicki, IEEE Trans Electron Devices, 54, 2762-2768 (2007).
61. C. Schindler, G. Staikov, R. Waser, Appl. Phys. Lett., 94, 072109 (2009).
62. F. Verbakel, S. C. J. Meskers, D. M. de Leeuw and R. A. J. Janssen, J. Phys. Chem. C, 112, 5254-5257 (2008).