Transparent resistive random access memory and its characteristics for nonvolatile resistive switching

Applied Physics Letters

Volumn 93, Issue 22, 2008, Pages

  Seo, Jung Won ^a   Park, Jae Woo ^a   Lim, Keong Su ^a   Yang, Ji Hwan ^a   Kang, Sang Jung ^a  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONDUCTIVE FILMS; SWITCHING SYSTEMS; TIN; TITANIUM COMPOUNDS;

CAPACITOR STRUCTURES; ELECTRONIC DEVICES; INDIUM TIN OXIDES; MEMORY PROPERTIES; NON VOLATILES; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES; RESISTIVE SWITCHING; RETENTION MEASUREMENTS; SWITCHING BEHAVIORS; VISIBLE REGIONS;

RANDOM ACCESS STORAGE;

EID: 57349101496     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3041643     Document Type: Article

References (14)

1. S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 76, 2749 (2000).
2. Y. Watanabe, J. G. Bednorz, A. Bietsch, Ch. Gerber, D. Widmer, A. Beck, and S. J. Wind, Appl. Phys. Lett. 78, 3738 (2001).
3. Y. S. Lai, C. H. Tu, D. L. Kwong, and J. S. Chen, Appl. Phys. Lett. 87, 122101 (2005).
4. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, S. Choi, J. H. Oh, C. Rohde, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, and S. Tiedke, J. Appl. Phys. 98, 033715 (2005).
5. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D. S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J. S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
6. S. Kim, I. Byun, I. Hwang, J. Kim, J. Choi, B. H. Park, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D. S. Suh, Y. S. Joung, and I. K. Yoo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L345 (2005).
7. H. J. Sim, D. H. Choi, D. S. Lee, S. A. Seo, M. J. Lee, I. K. Yoo, and H. S. Hwang, IEEE Electron Device Lett. 26, 292 (2005).
8. M. Villafuerte, S. P. Heluani, G. Juarez, G. Simonelli, G. Braunstein, and S. Duhalde, Appl. Phys. Lett. 90, 052105 (2007).
9. N. Xu, L. F. Liu, X. Sun, C. Chen, Y. Wang, D. D. Han, X. Y. Liu, R. Q. Han, J. F. Kang, and B. Yu, Semicond. Sci. Technol. 23, 075019 (2008).
10. J. R. Yeargan and H. L. Taylor, J. Appl. Phys. 39, 5600 (1968).
11. K. Szot, W. Speier, G. Bihlmayer, and R. Waser, Nature Mater. 5, 312 (2006).
12. K. Szot, W. Speier, R. Carius, U. Zastrow, and W. Beyer, Phys. Rev. Lett. 88, 075508 (2002).
13. W. Y. Chang, Y. C. Lai, T. B. Wu, S. F. Wang, F. Chen, and M. J. Tsai, Appl. Phys. Lett. 92, 022110 (2008).
14. H. Y. Lee, P. S. Chen, C. C. Wang, S. Maikap, P. J. Tzeng, C. H. Lin, L. S. Lee, and M. J. Tsai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 46, 2175 (2007).