Resistive switching properties of a polycrystalline TiO2 memory cell with a tungsten nitride (WN) buffer layer inserted

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 53, Issue 6 PART 1, 2008, Pages 3685-3689

  Kwak, June Sik ^a   Do, Young Ho ^a   Lee, Jong Hyun ^a   Hong, Jin Pyo ^a   Park, Bae Ho ^b   Im, Hyun Sik ^c   Woo, Seok Jong ^d  

^a Hanyang University   (South Korea)

^b Konkuk University   (South Korea)

^c Dongguk University   (South Korea)

^d Development Team 2   (South Korea)

Author keywords

Nonvolatile memory; ReRAM; Resistive switching; TiO2

Indexed keywords

EID: 58249102068     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.53.3685     Document Type: Conference Paper

References (18)

1. T. W. Hickmott, J. Appl. Phys. 36, 1885 (1965).
2. H. Sim, D. Choi, D. Lee, S. Seo, M. J. Lee, I. K. Yoo and H. Hwang, IEEE Electron Device Lett. 26, 292 (2005).
3. I. G. Baek, D. C. Kim, M. J. Lee, H. J. Kim, E. K. Yim, M. S. Lee, J. E. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. H. Lee, J. C. Park, Y. K. Char, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U.-In Chung, J. T. Moon and B. I. Ryu, Int. Electron Devices Meet. Tech. Digure 750 (Washington, DC, 2005).
4. K. Szot, W. Speier, G. Bihlmayer and R. Waser, Nature Material 5, 312 (2006).
5. M. Fujimoto, H. Koyama, Y. Hosoi, K. Ishihara and S. Kobayasi, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L310 (2006).
6. M. Fujimoto, H. Koyama, M. Konagi, Y. Hosoi, K. Ishihara, S. Ohnishi and N. Awaya, Appl. Phys. Lett. 89, 223509 (2006).
7. Y. H. Do, K. W. Jeong, C. O. Kim and J. P. Hong, J. Korean Phys. Soc. 48, 1492 (2005).
8. K. W. Jeong, Y. H. Do, K. S. Yoon, C. O. Kim and J. P. Hong, J. Korean Phys. Soc. 48, 1501 (2005).
9. Z. W. Xing, N. J. Wu and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 91, 052106 (2007).
10. Y. B. Nian, J. Strozier, N. J. Wu, X. Chen and A. Ignatiev, Phys. Rev. Lett. 98, 146403 (2007).
11. D. Adler, M. S. Shur, M. Silver and S. R. Ovshinsky, J. Appl. Phys. 51, 3289 (1980).
12. K. M. Kim, B. J. Choi and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 90, 242906 (2007).
13. B. J. Choi, S. Choi, K. M. Kim, Y. C. Shin, C. S. Hwang, S. Y. Hwang, S. Cho, S. Park and S. Hong, Appl. Phys. Lett. 89, 012906 (2006).
14. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D. S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J. S. Kim, J. S. Choi and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
15. C. Y. Lin, C. Y. Wu, C. Y. Wu, T. C. Lee, F. L. Yang, C. Hu and T. Y. Tseng, IEEE Electron Device Lett. 28, 366 (2007).
16. Y. Sato, K. Kinoshita, M. Aoki and Y. Sugiyama, Appl. Phys. Lett. 90, 033503 (2007).
17. D. W. Kim, D. S. Shin, S. H. Chang, B. H. Park, R. Jung, X. S. Li, D. C. Kim, C.-W. Lee and S. Seo, J. Korean Phys. Soc. 51, 88 (2007).
18. J. S. Becker and R. G. Gordon, Appl. Phys. Lett. 82, 2239 (2003).