Nitride-Based MSM photodetectors with a HEMT structure and a low-temperature AlGaN intermediate layer

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 12, 2008, Pages

  Lee, K H ^a   Chuang, R W ^a,b   Chang, P C ^c   Chang, S J ^a   Wang, Y C ^a   Yu, C L ^a   Lin, J C ^a   Wu, S L ^d  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL NANO DEVICE LABORATORIES   (Taiwan)

^c NAN JEON INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

^d CHENG SHIU UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

MARKOV PROCESSES; NITRIDES; OPTOELECTRONIC DEVICES; WAVEGUIDES;

ALGANGAN; APPLIED BIASSED; DETECTIVITY; EQUIVALENT POWERS; GATE CONTROLLABILITIES; HEMT STRUCTURES; INTERMEDIATE LAYERS; MSM PHOTODETECTORS; PD STRUCTURES; RESPONSIVITY;

PHOTODETECTORS;

EID: 54949149609     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2988129     Document Type: Article

References (35)

1. Y. F. Wu, D. Kapolnek, J. P. Ibbetson, P. Parikh, B. P. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 586 (2001).
2. V. Tilak, B. Green, V. Kaper, H. Kim, T. Prunty, J. Smart, J. Shealy, and L. Eastman, IEEE Electron Device Lett., 22, 504 (2001).
3. M. Micovic, N. X. Nguyen, P. Janke, W.-S. Wong, P. Hashimoto, L.-M. McCray, and C. Nguyen, Electron. Lett., 36, 358 (2000).
4. S. T. Sheppard, K. Doverspike, W. L. Pribble, S. T. Allen, J. W. Palmour, L. T. Kehias, and T. J. Jenkins, IEEE Electron Device Lett., 20, 161 (1999).
5. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett., 21, 268 (2000).
6. M. L. Lee, J. K. Sheu, Y. K. Su, S. J. Chang, W. C. Lai, and G. C. Chi, IEEE Electron Device Lett., 25, 593 (2004).
7. S. Rajan, M. Wong, Y. Fu, F. Wu, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 44, L1478 (2005).
8. A. M. Darwish, K. Boutros, B. Luo, B. D. Huebschman, E. Viveiros, and H. A. Hung, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 54, 4456 (2006).
9. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, Chin. Phys. Lett., 24, 2707 (2007).
10. Y. Pei, R. Chu, L. Shen, N. A. Fichtenbaum, Z. Chen, D. Brown, S. Keller, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett., 29, 300 (2008).
11. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 479 (2001).
12. S. H. Hsu, Y. K. Su, S. J. Chang, W. C. Chen, and H. L. Tsai, IEEE Photon. Technol. Lett., 18, 547 (2006).
13. A. J. Shields, M. P. O'Sullivan, I. Farrer, D. A. Ritchie, K. Cooper, C. L. Foden, and M. Pepper, Appl. Phys. Lett., 74, 735 (1999).
14. T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett., 76, 3421 (2000).
15. Y. Xin, E. M. James, I. Arslan, S. Sivananthan, N. D. Browning, S. J. Pennycook, F. Omnes, B. Beaumont, J.-P. Faurie, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett., 76, 466 (2000).
16. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett., 66, 1249 (1995).
17. M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 37, L316 (1998).
18. E. G. Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett., 74, 2367 (1999).
19. P. J. Hansen, Y. E. Strausser, A. N. Erickson, E. J. Tarsa, P. Kozodoy, E. G. Brazel, J. P. Ibbetson, U. Mishra, V. Narayanamurti, S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett., 72, 2247 (1998).
20. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R. N. Kleiman, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett., 78, 1685 (2001).
21. E. J. Miller, X. Z. Dang, and E. T. Yu, J. Appl. Phys., 88, 5951 (2000).
22. E. J. Miller and E. T. Yu, Appl. Phys. Lett., 84, 535 (2004).
23. S. K. Zhang, W. B. Wang, I. Shtau, F. Yun, L. He, H. Morko̧, X. Zhou, M. Tamargo, and R. R. Alfano, Appl. Phys. Lett., 81, 4862 (2002).
24. T. K. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, M. L. Lee, C. S. Chang, Y. C. Lin, S. C. Shei, J. K. Sheu, W. S. Chen, and C. F. Shen, J. Cryst. Growth, 283, 68 (2005).
25. P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu, B. R. Huang, and P. C. Chen, Thin Solid Films, 498, 133 (2006).
26. T. K. Ko, S. J. Chang, J. K. Sheu, S. C. Shei, Y. Z. Chiou, M. L. Lee, C. F. Shen, S. P. Chang, and K. W. Lin, Semicond. Sci. Technol., 21, 1064 (2006).
27. Y. Zhang and J. Singh, J. Appl. Phys., 85, 587 (1999).
28. O. Katz, V. Garber, B. Meyler, G. Bahir, and J. Salzman, Appl. Phys. Lett., 79, 1417 (2001).
29. J. C. Carrano, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, Appl. Phys. Lett., 70, 1992 (1997).
30. J. C. Carrano, T. Li, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, J. Appl. Phys., 83, 6148 (1998).
31. E. Monroy, F. Calle, E. Munoz, F. Omnes, P. Gibart, and J. A. Munoz, Electron. Lett., 36, 1581 (2000).
32. S. R. Morrison, J. Appl. Phys., 72, 4104 (1992).
33. Q. Chen, J. W. Yang, A. Osinsky, S. Gangopadhyay, B. Lim, M. Z. Anwar, M. A. Khan, D. Kuksenkov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett., 70, 2277 (1997).
34. D. Walker, X. Zhang, A. Saxler, P. Kung, J. Xu, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett., 70, 949 (1997).
35. E. Monroy, F. Calle, E. Muoz, F. Omǹs, P. Gibart, and J. A. Muoz, Appl. Phys. Lett., 73, 2146 (1998).