Contribution of as-grown hole traps to NBTI

ECS Transactions

Volumn 6, Issue 3, 2007, Pages 245-262

  Chang, M H ^a   Wang, Y ^a   Zhang, J F ^a   Zhao, C Z ^a   Zhang, W D ^a   Xu, M ^b  

^a LIVERPOOL JOHN MOORES UNIVERSITY   (United Kingdom)

^b PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HOLE TRAPS; INSULATING MATERIALS; LOW-K DIELECTRIC; NITRIDES; PLASTIC FILMS; SILICA; SILICON NITRIDE; SILICON OXIDES;

CAPTURE CROSS SECTIONS; HOLE INJECTION; HOLE TRAPPING; NITROGEN CONCENTRATIONS; POSITIVE CHARGES; RELATIVE CONTRIBUTION; SATURATION LEVELS; THREE ORDERS OF MAGNITUDE;

NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY;

EID: 45949110570     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/1.2728800     Document Type: Conference Paper

References (48)

1. B. E. Deal, M. Sklar, A. S. Grove, and E. H. Snow, J. Electrochem. Soc., 114, 266 (1967).
2. K. O. Jeppson, and C. M. Svensson, J. Appl. Phys., 48, 2004 (1977).
3. C. E. Blat, E. H. Nicollian, and E. H. Poindexter, J. Appl. Phys., 69, 1712 (1991).
4. S. S. Tan, T. P. Chen, J. M. Soon, K. P. Loh, C. H. Ang, and L. Chen, Appl. Phys. Lett., 82, 1881 (2003).
5. N. Kimizuka, T. Yamamoto, T. Mogami, K. Yamaguchi, K. Imai, and T. Floriuchi, in Proc. IEEE VLSI Symposium, p.73, Kyoto, Japan (1999).
6. N. Kimizuka, K. Yamaguchi, K. Imai, T. Iizuka, C. T. Liu, R. C. Keller, and T. Horiuchi, in Proc. IEEE VLSI Symposium, p.92, Honolulu, USA (2000).
7. G. Chen, M. F. Li, C. H. Ang, J. Z. Zheng, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 23, 734 (2002).
8. M. Houssa, M. Aoulaiche, J. L. Autran, C. Parthasarathy, N. Revil, and E. Vincent, J. Appl. Phys., 95, 2786 (2004).
9. V. Huard, M. Denais, F. Perrier, N. Revil, C. Parthasarathy, A. Bravaix, and E. Vincent, Microelectronics Reliability, 45, 83, (2005).
10. M. Denais, A. Bravaix, V. Huard, C. Parthasarathy, G. Ribes, F. Perrier, Y. Rey-Tauriac, N. Revil, in IEDM Tech. Dig., p. 109 (2004).
11. M. H. Chang and J. F. Zhang, J. Appl. Phys., in press (2007).
12. T. Yang, C. Shen, M. F. Li, C. H. Ang, C. X. Zhu, Y. C. Yeo, G. Samudra, S. C. Rustagi, M. B. Yu, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 26, 826 (2005).
13. S. S. Tan, T. P. Chen, J. M. Soon, K. P. Loh, C. H. Ang, W. Y. Teo, and L. Chen, Appl. Phys. Lett., 83, 530 (2003).
14. X. J. Zhou, L. Tsetseris, S. N. Rashkeev, D. M. Fleetwood, R. D. Schrimpf, S. T. Pantelides, J. A. Felix, E. P. Gusev, and C. D'Emic, Appl. Phys. Lett., 84, 4394 (2004).
15. K. Kushida-Abdelghafar, K. Watanabe, J. Ushio, and E. Murakami, Appl. Phys. Lett., 81, 4362 (2002).
16. S. Mahapatra, P. B. Kumar, and M. A. Alam, IEEE Trans. Electron Dev., 51, 1371 (2004).
17. V. Reddy, A. T. Krishnan, A. Marshall, J. Rodriguez, S. Natarajan, T. Rost, and S. Krishnan, Microelectronics Reliability, 45, 31 (2005).
18. S. Rangan, N. Mielke, and E. C. C. Yeh, in IEDM Tech. Dig., p.341 (2003).
19. J. F. Zhang, C. Z. Zhao, A. H. Chen, G. Groeseneken and R. Degraeve, IEEE Trans. Electron Dev., 51, 1267 (2004).
20. C. Z. Zhao, J. F. Zhang, G. Groeseneken and R. Degraeve, IEEE Trans. Electron Dev., 51, 1274 (2004).
21. C. Z. Zhao and J. F. Zhang, J. Appl. Phys., 97, art. no. 073703 (2005).
22. R. E. Stahlbush, B. J. Mrstik, and R. K. Lawrence, IEEE Trans. Nuclear Sci., 37, 1641 (1990).
23. D. M. Fleetwood and N. S. Saks, J. Appl. Phys., 79, 1583 (1996).
24. A. R. Stivers, and C. T. Sah, J. Appl. Phys., 51, 6292 (1980).
25. W. Chen, A. Balasinski, and T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Dev., 40, 187 (1993).
26. L. P. Trombetta, F. J. Feigl, and R. J. Zeto, J. Appl. Phys., 69, 2512 (1991).
27. I. S. Al-kofahi, J. F. Zhang, and G. Groeseneken, J. Appl. Phys., 81, 2686 (1997).
28. J. F. Zhang, S. Taylor, and W. Eccleston, J. Appl. Phys., 71, 725 (1992).
29. J. F. Zhang, H. K. Sii, G. Groeseneken, and R. Degraeve, IEEE Trans. Electron Dev., 48, 1127 (2001).
30. J. F. Zhang, H. K. Sii, R. Degraeve, and G. Groeseneken, J. Appl. Phys., 87, 2967 (2000).
31. J. F. Zhang, C. Z. Zhao, H. K. Sii, G. Groeseneken, R. Degraeve, J. N. Ellis and C. D. Beech, Solid-State Elec., 46, 1839 (2002).
32. C. Tan, M. Xu, and Y. Wang, IEEE Electron Device Lett., 15, 257 (1994).
33. J. F. Zhang, H. K. Sii, A. H. Chen, C. Z. Zhao, M. J. Uren, G. Groeseneken and R. Degraeve, Semiconductor Sci. and Technology, 19, L1 (2004).
34. J. R. Brews, IEEE Trans. Electron Dev., 26, 1282 (1979).
35. S. Horigushi, T. Kobayashi, and K. Saito, J. Appl. Phys., 58, 387 (1985).
36. D. J. DiMaria and J. H. Statins, J. Appl. Phys., 89, 5015 (2001).
37. M. Houssa, M. Aoulaiche, J. L. Autran, C. Parthasarathy, N. Revil, and E. Vincent, J. Appl. Phys., 95, 2786 (2004).
38. E. P. O'Reilly and J. Robertson, Phys. Review B, 27, 3780 (1983).
39. J. K. Rudra and W. B. Fowler, Phys. Review B, 35, 8223 (1987).
40. F. Stern, Phys. Review B, 5, 4891 (1972).
41. Y. T. Hou, M. F. Li, Y. Jin and W. H. Lai, J. Appl. Phys., 91, 258 (2002).
42. H. H. Mueller and M. J. Schulz, IEEE Trans. Electron Dev., 44, 1539 (1997).
43. S. Rodriguez, J. A. Lopez-Villaneuva, I. Melchor and J. E. Carceller, J. Appl. Phys., 86, 438 (1999).
44. K. N. Yang, H. T. Huang, M. C. Chang, C. M. Chu, Y. S. Chen, M. J. Chen, Y. M. Lin, M. C. Yu, S. M. Jang, D. C. H. Yu and M. S. Liang, IEEE Trans. Electron Dev., 47, 2161 (2000).
45. J. Cai and C. T. Sah, J. Appl. Phys., 89, 2272 (2001).
46. B. Govoreanu, P. Blomme, K. Henson, J. Van Houdt and K. De Meyer, Solid-St. Electron., 48, 617 (2004).
47. L. F. Register, E. Rosenbaum and K. Yang, Appl. Phys. Lett, 74, 457 (1999).
48. R. K. Chanana, K. McDonald, M. Di Ventra, S. T. Pantelides, L. C. Feldman, G. Y. Chung, C. C. Tin, J. R. Williams and R. A. Weller, Appl. Phys. Lett., 77, 2560 (2000).