Mechanism for the generation of interface state precursors

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 6, 2000, Pages 2967-2977

  Zhang, J F ^a   Sii, H K ^a   Degraeve, R ^b   Groeseneken, G ^b  

^a LIVERPOOL JOHN MOORES UNIVERSITY   (United Kingdom)

^b IMEC   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000229091     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.372285     Document Type: Article

References (36)

1. C. R. Helms and E. H. Poindexter, Rep. Prog. Phys. 57, 791 (1994).
2. E. H. Nicollian, C. N. Berglund, P. F. Schmidt, and J. M. Andrews, J. Appl. Phys. 42, 5654 (1971).
3. L. Do Thanh and P. Balk, J. Electrochem. Soc. 135, 1797 (1988).
4. S. D. Brotherton, Semicond. Sci. Technol. 10, 721 (1995).
5. P. K. Hurley, J. F. Zhang, W. Eccleston, and P. Coxon, Proceedings of the 7th European Conference: Insulating Films on Semiconductors (INFOS), Livermore, 1991, pp. 235-238.
6. R. Gale, F. J. Feigl, C. W. Magee, and D. R. Young, J. Appl. Phys. 54, 6938 (1983).
7. D. J. DiMaria and J. W. Stasiak, J. Appl. Phys. 65, 2342 (1989).
8. J. F. Zhang, S. Taylor, and W. Eccleston, J. Appl. Phys. 71, 725 (1992).
9. N. S. Saks, C. M. Dozier, and D. B. Brown, IEEE Trans. Nucl. Sci. 35, 1168 (1988).
10. D. L. Griscom, J. Appl. Phys. 58, 2524 (1985).
11. N. S. Saks, R. B. Klein, R. E. Stahlbush, B. J. Mrstik, and R. W. Rendell, IEEE Trans. Nucl. Sci. 40, 1341 (1993).
12. R. E. Stahlbush, A. H. Edwards, D. L. Griscom, and B. J. Mrstik, J. Appl. Phys. 73, 658 (1993).
13. E. Cartier and J. H. Stathis, Microelectron. Eng. 28, 3 (1995).
14. A. Stesmans and V. V. Afanas'ev, Appl. Phys. Lett. 72, 2271 (1998).
15. J. F. Zhang, I. S. Al-kofahi, and G. Groeseneken, J. Appl. Phys. 83, 843 (1998).
16. M. Creusen, H. C. Lee, S. Vanhaelemeersch, and G. Groeseneken, Proceedings of International Symposium on Plasma Process-Induced Damage, Honolulu, 1998, pp. 217-220.
17. M. Berger, O. Schwartsglass, and J. Shappir, J. Electrochem. Soc. 141, 2140 (1994).
18. H. C. Shin and C. Hu, Semicond. Sci. Technol. 11, 463 (1996).
19. G. Van den bosch, G. Groeseneken, and H. E. Maes, Solid-State Electron. 37, 393 (1994).
20. G. Groeseneken, H. E. Maes, N. Beltran, and R. F. De Keersmaecker, IEEE Trans. Electron Devices ED-31, 42 (1984).
21. 2 Interface 2, edited by C. R. Helms and B. E. Deal (Plenum, New York, 1993), pp. 489-498.
22. N. S. Saks and R. B. Klein, Microelectron. Eng. 22, 265 (1993).
23. B. J. Mrstik, P. J. McMarr, N. S. Saks, R. W. Rendell, and R. B. Klein, Phys. Rev. B 47, 4115 (1993).
24. J. F. Zhang, S. Taylor, and W. Eccleston, J. Appl. Phys. 72, 1429 (1992).
25. G. Groeseneken, R. Bellens, G. Van den bosch, and H. E. Maes, Semicond. Sci. Technol. 10, 1208 (1995).
26. J. F. Zhang and W. Eccleston, IEEE Trans. Electron Devices 45, 116 (1998).
27. D. J. DiMaria, D. A. Buchanan, J. H. Stathis, and R. E. Stahlbush, J. Appl. Phys. 77, 2032 (1995).
28. J. H. Stathis and D. J. DiMaria, Appl. Phys. Lett. 61, 2887 (1992).
29. S. K. Lai, J. Appl. Phys. 54, 2540 (1983).
30. S. J. Wang, J. M. Sung, and S. A. Lyon, Appl. Phys. Lett. 52, 1431 (1988).
31. D. A. Buchanan, Appl. Phys. Lett. 65, 1257 (1994).
32. C. Hu, S. C. Tam, F. C. Hsu, P. K. Ko, T. Y. Chan, and K. W. Terrill, IEEE J. Solid-State Circuits SC-20, 295 (1985).
33. W. Weber and R. Thewes, Semicond. Sci. Technol. 10, 1432 (1995).
34. G. van den bosch, G. Groeseneken, H. E. Maes, R. B. Klein, and N. S. Saks, J. Appl. Phys. 75, 2073 (1994).
35. J. M. M. de Nijs, K. G. Druijf, V. V. Afanas'ev, E. van der Drift, and P. Balk, Appl. Phys. Lett. 65, 2428 (1994).
36. M. J. Uren, K. M. Brunson, and A. M. Hodge, Appl. Phys. Lett. 60, 624 (1992).