Effects of growth temperature on InNGaN nanodots grown by metal organic chemical vapor deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 103, Issue 10, 2008, Pages

  Chang, Wen Hao ^a   Ke, Wen Cheng ^a   Yu, Shu Hung ^a   Lee, Lin ^a   Chen, Ching Yu ^a   Tsai, Wen Che ^a   Lin, Hsuan ^a   Chou, Wu Ching ^a   Lee, Ming Chih ^a   Chen, Wei Kuo ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTOR GROWTH; SURFACE MORPHOLOGY;

FLOW RATE MODULATION EPITAXY; PRECURSOR INJECTION;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 44649160004     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2927249     Document Type: Article

References (37)

1. H. Lu, W. J. Schaff, J. Hwang, H. Wu, G. Koley, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 79, 1489 (2001).
2. A. Yamamoto, T. Tanaka, K. Koide, and A. Hashimoto, Phys. Status Solidi A 194, 510 (2002).
3. V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmüller, H. Harima, A. V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, and J. Graul, Phys. Status Solidi B 229, R1 (2002).
4. V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, V. V. Vekshin, F. Bechstedt, J. Furthmüller, H. Harima, A. V. Mudryi, A. Hashimoto, A. Yamamoto, J. Aderhold, J. Graul, and E. E. Haller, Phys. Status Solidi B 230, R4 (2002).
5. V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, V. V. Emtsev, D. A. Kudrykov, S. V. Ivanov, V. A. Vekshin, F. Bechstedt, J. Furthmüller, J. Aderhold, J. Graul, A. V. Mudryi, H. Harima, A. Hashimoto, A. Yamamoto, and E. E. Haller, Phys. Status Solidi B 234, 787 (2002).
6. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
7. T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, and E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 81, 1246 (2002).
8. T. L. Tansley and C. P. Foley, J. Appl. Phys. 59, 3941 (1986).
9. C.-H. Shen, H.-Y. Chen, H.-W. Lin, S. Gwo, A. A. Klochikhin, and V. Yu. Davydov, Appl. Phys. Lett. 88, 253104 (2006).
10. T. Stoica, R. J. Meijers, R. Calarco, T. Richter, E. Sutter, and H. Luth, Nano Lett. 1530-6984 10.1021/nl060547x 6, 1541 (2006); T. Stoica, R. Meijers, R. Calarco, T. Richter, and H. Luth, J. Cryst. Growth 290, 241 (2006).
11. C. Nörenberg, R. A. Oliver, M. G. Martin, L. Allers, M. R. Castell, and G. A. D. Briggs, Phys. Status Solidi A 194, 536 (2002).
12. C. Nörenberg, M. G. Martin, R. A. Oliver, M. R. Castell, and G. A. D. Briggs, J. Phys. D 35, 615 (2002).
13. Y. F. Ng, Y. G. Cao, M. H. Xie, X. L. Wang, and S. Y. Tong, Appl. Phys. Lett. 81, 3960 (2002).
14. Y. G. Cao, M. H. Xie, Y. Liu, Y. F. Ng, H. S. Wu, and S. Y. Tong, Appl. Phys. Lett. 83, 5157 (2003).
15. A. Yoshikawa, N. Hashimoto, N. Kikukawa, S. B. Che, and Y. Ishitani, Appl. Phys. Lett. 86, 153115 (2005).
16. Y. E. Romanyuk, R.-G. Dengel, L. V. Stebounova, and S. R. Leone, J. Cryst. Growth 304, 346 (2007).
17. C.-H. Shen, H.-W. Lin, H.-M. Lee, C.-L. Wu, J.-T. Hsu, and S. Gwo, Thin Solid Films 494, 79 (2006).
18. O. Briot, B. Maleyre, and S. Ruffenach, Appl. Phys. Lett. 83, 2919 (2003).
19. S. Ruffenach, B. Maleyre, O. Briot, and B. Gil, Phys. Status Solidi C 2, 826 (2005).
20. W. C. Ke, C. P. Fu, C. Y. Chen, L. Lee, C. S. Ku, W. C. Chou, W.-H. Chang, M. C. Lee, W. K. Chen, W. J. Lin, and Y. C. Cheng, Appl. Phys. Lett. 88, 191913 (2006).
21. W. C. Ke, L. Lee, C. Y. Chen, W. C. Tsai, W.-H. Chang, W. C. Chou, M. C. Lee, W. K. Chen, W. J. Lin, and Y. C. Cheng, Appl. Phys. Lett. 89, 263117 (2006).
22. S. Ruffenach, O. Briot, M. Moret, and B. Gil, Appl. Phys. Lett. 90, 153102 (2007).
23. L. Zhou, T. Xu, D. J. Smith, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 88, 231906 (2006).
24. J. G. Lozano, A. M. Sánchez, R. García, D. González, D. Araújo, S. Ruffenach, and O. Briot, Appl. Phys. Lett. 87, 263104 (2005).
25. For a review, see, for example, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, and A. Yamamoto, J. Appl. Phys. 94, 2779 (2003).
26. E. Dimakis, E. Iliopoulos, K. Tsagaraki, Th. Kehagias, Ph. Komninou, and A. Georgakilas, J. Appl. Phys. 97, 113520 (2005).
27. C. S. Gallinat, G. Koblmüller, J. S. Brown, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 102, 064907 (2007).
28. E. L. Piner, M. K. Behbehani, N. A. El-Masry, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, K. S. Boutros, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 70, 461 (1997).
29. A. Koukitu, T. Taki, N. Takahashi, and H. Seki, J. Cryst. Growth 197, 99 (1999).
30. N. Kobayashi, T. Makimoto, and Y. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.24.L962 24, L962 (1985); Y. Horikoshi, J. Cryst. Growth 201202, 150 (1999).
31. B. Arnaudov, T. Paskova, P. P. Paskov, B. Magnusson, E. Valcheva, B. Monemar, H. Lu, W. J. Schaff, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Rev. B 69, 115216 (2004).
32. A. A. Klochikhin, V. Yu. Davydov, V. V. Emtsev, A. V. Sakharov, V. A. Kapitonov, B. A. Andreev, H. Lu, and W. J. Schaff, Phys. Rev. B 71, 195207 (2005).
33. J. Wu, W. Walukiewicz, W. Shan, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, Phys. Rev. B 66, 201403 (2002).
34. B. I. Shklovskii and A. L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer-Verlag, Berlin, 1984), Chap..
35. E. Valcheva, S. Alexandrova, S. Dimitrov, H. Lu, and W. J. Schaff, Phys. Status Solidi A 203, 75 (2006).
36. B. G. Arnaudov, V. A. Vilkotskii, D. S. Domanevskii, S. K. Evtimova, and V. D. Tkachev, Sov. Phys. Semicond. 11, 1054 (1977).
37. A. Pelli, K. Saarinen, F. Tuomisto, S. Ruffenach, and O. Briot, Appl. Phys. Lett. 89, 011911 (2006).