Effect of hydrogen on the indium incorporation in InGaN epitaxial films

Applied Physics Letters

Volumn 70, Issue 4, 1997, Pages 461-463

  Piner, E L ^a   Behbehani, M K ^a   El Masry, N A ^a   McIntosh, F G ^a   Roberts, J C ^a   Boutros, K S ^a   Bedair, S M ^a  

^a North Carolina State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0043259634     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.118181     Document Type: Article

References (14)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L797 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996).
3. J. W. Lee, S. J. Pearton, J. C. Zolper, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 2102 (1996).
4. P. Perlin, I. Gorczyca, N. E. Christensen, I. Grzegory, H. Teisseyne, and T. Suski, Phys. Rev. B 45, 13 307 (1992).
5. R. F. Davis, Physica B 185, 1 (1993).
6. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
7. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 68, 1829 (1996).
8. H. Hashimoto, H. Amano, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 68, 163 (1984).
9. K. S. Boutros, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, S. M. Bedair, E. L. Piner, and N. A. El-Masry, Appl. Phys. Lett. 67, 1797 (1995).
10. N. Karam, T. Parados, W. Rowland, J. Schetzina, N. El-Masry, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 67, 94 (1995).
11. E. L. Piner, Y. W. He, K. S. Boutros, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, S. M. Bedair, and N. A. El-Masry, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 307 (1996).
12. S. Nakamura, Microelectron. J. 25, 651 (1994).
13. S. M. Bedair, F. G. McIntosh, J. Roberts, E. Piner, K. Boutros, and N. A. El-Masry (unpublished).
14. Y. Horikoshi, H. Yamaguchi, F. Briones, and M. Kawashima, J. Cryst. Growth 105, 326 (1990).