Nucleation of InN quantum dots on GaN by metalorganic vapor phase epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 26, 2005, Pages 1-3

  Lozano, J G ^a   Sanchez A M ^a   Garcia R ^a   Gonzalez D ^a   Araujo D ^b   Ruffenach, S ^c   Briot, O ^c  

^a UNIVERSITY OF CÁDIZ   (Spain)

^b UNIVERSITÉ DE LYON   (France)

^c UNIVERSITÉ MONTPELLIER 2   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIFFUSION; DISLOCATIONS (CRYSTALS); INDIUM COMPOUNDS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; SAPPHIRE; SUBSTRATES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

GAN; INN QUANTUM DOTS; SURFACE HETEROGENEITIES; THREADING DISLOCATIONS (TDS);

NUCLEATION;

EID: 29744439239     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2152110     Document Type: Article

References (27)

1. Z. Yuan, B. E. Kardynal, R. M. Stevenson, A. J. Shields, C. Lobo, K. Cooper, N. S. Beattie, D. A. Ritchie, and M. Pepper, Science 295, 102 (2002).
2. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
3. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
4. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1059 (1997).
5. R. Singh, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, and L. T. Romano, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
6. M. D. McClukey, L. T. Romano, B. S. Krusar, D. P. Bour, N. M. Johnson, and S. Brennan, Appl. Phys. Lett. 72, 1730 (1998).
7. O. Briot, B. Maleyre, and S. Ruffenach, Appl. Phys. Lett. 83, 2919 (2003).
8. Y. G. Cao, M. H. Xie, Y. Liu, Y. F. Ng, S. Y. Tong, and H. S. Wu, Appl. Phys. Lett. 83, 22 (2003).
9. R. A. Oliver, M. J. Kappers, G. Andrew D. Briggs, and C. J. Humphreys, J. Appl. Phys. 97, 013707 (2005).
10. F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, Y. Samson, J. L. Rouviere, and N. Pelekanos, J. Appl. Phys. 83, 7618 (1998).
11. B. Daudin, F. Widmann, G. Feuillet, Y. Samson, M. Arlery, and J. L. Rouviere, Phys. Rev. B 56, R7069 (1997).
12. N. Grandjean and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 71, 1816 (1997).
13. J. L. Rouviere, J. Simon, N. Pelekanos, B. Daudin, and G. Feuillet, Appl. Phys. Lett. 75, 2632 (1999).
14. Y. F. Ng, Y. G. Cao, M. H. Xie, X. L. Xie, X. L. Wang, and S. Y. Tong, Appl. Phys. Lett. 81, 3960 (2002).
15. O. Briot, Appl. Phys. Lett. (submitted).
16. A. Rosenauer, T. Remmele, D. Gerthsen, K. Tillmann, and A. Förster, Optik (Jena) 105, 99 (1997).
17. S. Kret, P. Ruterana, A. Rosenauer, and D. Gerthsen, Phys. Status Solidi B 227, 247 (2001).
18. M. J. Hÿtch and T. Plamann, Ultramicroscopy 87, 199 (2001).
19. Th. Kehagias, A. Delimitis, Ph. Komninou, E. Iliopoulos, E. Dimakis, A. Georgakilas, and G. Nouet, Appl. Phys. Lett. 86, 151905 (2005).
20. C. J. Lu, L. A. Bendersky, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 83, 2817 (2003).
21. G. Feuillet, G. Daudin, F. Widmann, J. L. Rouviere, and M. Arlery, J. Cryst. Growth 189/190, 142 (1998).
22. S. Ruffenach, B. Maleyre, O. Briot, and B. Gil, Phys. Status Solidi C 2, 826 (2005).
23. D. B. Williams and C. B. Carter, Transmission Electron Microscopy: A Textbook for Materials Science (Plenum, New York, 1996).
24. B. Heying, E. J. Tarsa, C. R. Elsass, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 85, 6470 (1999).
25. A. M. Roskowski, P. G. Miraglia, E. A. Preble, S. Einfeldt, and R. F. Davis, J. Cryst. Growth 241, 141 (2002).
26. W. K. Burton, N. Cabrera, and F. C. Frank, Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. A 243, 299 (1951).
27. B. Liu, S. R. Leone, T. Kitajima, T. H. Zhang, and C. Borca, J. Appl. Phys. 97, 023509 (2005).