Nonvolatile memory-switching behaviors of phase-change memory devices using Ti-Si-N heating layers

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 6, 2008, Pages

  Yoon, Sung Min ^a   Choi, Kyu Jeong ^a   Lee, Nam Yeal ^a   Jung, Soon Won ^a   Lee, Seung Yun ^a   Park, Young Sam ^a   Yu, Byoung Gon ^a   Lee, Su Jin ^b   Yoon, Soon Gil ^b  

^a Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

^b Chungnam National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTROLLABILITY; DATA STORAGE EQUIPMENT; ELECTRIC CURRENTS; ELECTRIC RESISTANCE; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; OXIDATION;

NONVOLATILE MEMORY-SWITCHING BEHAVIORS; PHASE-CHANGE MEMORY CELL; PROGRAMMING CURRENT;

PHASE CHANGE MATERIALS;

EID: 43049083377     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2903749     Document Type: Article

References (30)

1. F. Pellizzer, A. Pirovano, F. Ottogalli, M. Magistretti, M. Scaravaggi, P. Zuliani, M. Tosi, A. Benvenuti, P. Besana, S. Cadeo, Tech. Dig. Symp. VLSI Technology, 2004, 18.
2. F. Pellizzer, A. Benvenuti, B. Gleixner, Y. Kim, B. Johnson, M. Magistretti, T. Marangon, A. Pirovano, R. Bez, and G. Atwood, Tech. Dig. Symp. VLSI Technology, 2006, 122.
3. S. J. Ahn, Y. J. Song, C. W. Jeong, J. M. Shin, Y. Fai, Y. N. Whang, S. H. Lee, K. C. Ryoo, S. Y. Lee, J. H. Park, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet., 2004, 37.2.
4. C. W. Jeong, S. J. Ahn, Y. N. Whang, Y. J. Song, J. H. Oh, S. Y. Lee, S. H. Lee, K. C. Ryoo, J. H. Park, J. H. Park, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 45, 3233 (2006).
5. S. Kang, W. Y. Cho, B. H. Cho, K. J. Lee, C. S. Lee, H. R. Oh, B. G. Choi, Q. Wang, H. J. Kim, M. H. Park, IEEE J. Solid-State Circuits, 42, 210 (2007).
6. N. Matsuzaki, K. Kurotsuchi, Y. Matsui, O. Tonomura, N. Yamamoto, Y. Fujisaki, N. Kitai, R. Takemura, K. Osada, S. Hanzawa, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet., 2005, 31.1.
7. K. Nakayama, K. Kojima, F. Hayakawa, Y. Imai, A. Kitagawa, and M. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 39, 6157 (2000).
8. K. Nakayama, K. Kojima, Y. Imai, T. Kasai, S. Fukushima, A. Kitagawa, M. Kumeda, Y. Kakimoto, and M. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 42, 404 (2003).
9. M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars, and R. A. M. Wolters, Nat. Mater., 4, 347 (2005).
10. S. M. Yoon, N. Y. Lee, S. O. Ryu, K. J. Choi, Y. S. Park, S. Y. Lee, B. G. Yu, M. J. Kang, S. Y. Choi, and M. Wuttig, IEEE Electron Device Lett., 27, 445 (2006).
11. Y. H. Ha, J. H. Yi, H. Horii, J. H. Park, S. H. Joo, S. O. Park, U. I. Chung, and J. T. Moon, Tech. Dig. Symp. VLSI Technology, 2003, 175.
12. S. Y. Lee, K. J. Choi, S. O. Ryu, S. M. Yoon, N. Y. Lee, Y. S. Park, S. H. Kim, S. H. Lee, and B. G. Yu, Appl. Phys. Lett., 89, 053517 (2006).
13. S. Y. Lee, S. M. Yoon, Y. S. Park, B. G. Yu, S. H. Kim, and S. H. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 1244 (2007).
14. D. H. Kang, D. H. Ahn, M. H. Kwon, H. S. Kwon, K. B. Kim, K. S. Lee, and B. K. Cheong, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 43, 5243 (2004).
15. D. H. Kang, I. H. Kim, J. H. Jeong, B. K. Cheong, D. H. Ahn, D. Lee, H. M. Kim, K. B. Kim, and S. H. Kim, J. Appl. Phys., 100, 054506 (2006).
16. F. Rao, Z. Song, L. Wu, M. Zhong, S. Feng, and B. Chen, Appl. Phys. Lett., 91, 073505 (2007).
17. H. Y. Cheng, Y. C. Chen, C. M. Lee, R. J. Chung, and T. S. Chin, J. Electrochem. Soc., 153, G685 (2006).
18. D. S. Chao, Y. C. Chen, F. Chen, M. J. Chen, P. H. Yen, C. M. Lee, W. S. Chen, C. Lien, M. J. Kao, and M. J. Tsai, IEEE Electron Device Lett., 28, 871 (2007).
19. X. D. Zhang, W. J. Meng, W. Wang, L. E. Rehn, P. M. Baldo, and R. D. Evans, Surf. Coat. Technol., 177-178, 325 (2004).
20. C. H. Zhang, X. C. Lu, H. Wang, J. B. Luo, Y. G. Shen, and K. Y. Li, Appl. Surf. Sci., 252, 6141 (2006).
21. S. Christiansen, M. Albrecht, H. P. Strunk, and S. Veprek, J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 19 (1998).
22. M.-A. Nicolet, Appl. Surf. Sci., 91, 269 (1995).
23. X. Sun, E. Kowala, S. Im, C. Garland, and M.-A. Nicolet, Appl. Phys. A, 65, 43 (1997).
24. X. Sun, J. S. Reid, E. Kowala, M.-A. Nicolet, and R. P. Ruiz, J. Appl. Phys., 81, 664 (1997).
25. S. Josheph, M. Eizenberg, C. Marcadal, and L. Chen, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1471 (2002).
26. H. Y. Cheng, Y. C. Chen, R. J. Chung, and T. S. Chin, Semicond. Sci. Technol., 21, 1196 (2006).
27. D. H. Kang, D. H. Ahn, K. B. Kim, J. F. Webb, and K. W. Yi, J. Appl. Phys., 94, 3536 (2003).
28. S. G. Alberici, R. Zonca, and B. Pashmakov, Appl. Surf. Sci., 231-232, 821 (2004).
29. S. M. Yoon, K. J. Choi, N. Y. Lee, S. Y. Lee, Y. S. Park, and B. G. Yu, Appl. Surf. Sci., 254, 316 (2007).
30. A. Pirovano, A. Redaelli, F. Pellizzer, F. Ottogalli, M. Tosi, D. Ielmini, A. L. Lacaita, and R. Bez, IEEE Trans. Device Mater. Reliab., 4, 422 (2004).