Phase change memory cell with an upper amorphous nitride silicon germanium heating layer

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 7, 2007, Pages

  Rao, Feng ^a   Song, Zhitang ^a   Wu, Liangcai ^a   Zhong, Min ^a   Feng, Songlin ^a   Chen, Bomy ^b  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY   (China)

^b SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS MATERIALS; ELECTRIC POWER UTILIZATION; GERMANIUM; SILICON;

PHASE CHANGE MEMORY CELL; PROGRAMMING CYCLES;

PHASE CHANGE MEMORY;

EID: 34548026070     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2771053     Document Type: Article

References (22)

1. S. Lai and T. Lowrey, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2001, 803.
2. N. Yamada, E. Ohno, N. Akahira, K. Nishiuchi, K. Nagata, and M. Takao, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 26, 61 (1987).
3. A. V. Kolobov, P. Fons, A. I. Frenkel, A. L. Ankudinov, J. Tominaga, and T. Uruga, Nat. Mater. 3, 703 (2004).
4. D. H. Kang, D. H. Ahn, K. B. Kim, J. F. Webb, and K. W. Yi, J. Appl. Phys. 94, 3536 (2003).
5. J. L. Xia, B. Liu, Z. T. Song, S. L. Feng, and B. Chen, Chin. Phys. Lett. 22, 934 (2005).
6. B. Liu, T. Zhang, J. L. Xia, Z. T. Song, S. L. Feng, and B. Chen, Semicond. Sci. Technol. 19, L61 (2004).
7. M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars, and R. A. M. Wolters, Nat. Mater. 4, 347 (2005).
8. A. Pirovano, A. L. Lacaita, A. Benvenuti, F. Pellizzer, S. Hudgens, and R. Bez, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, p. 699.
9. S. M. Sadeghipour, L. Pileggi, and M. Asheghi, The Tenth Intersociety Conference on ITHERM, (IEEE, New York, 2006) p. 660-665.
10. S. Y. Lee, K. J. Choi, S. O. Ryu, S. M. Yoon, N. Y. Lee, Y. S. Park, S. H. Kim, S. H. Lee, and B. G. Yu, Appl. Phys. Lett. 89, 053517 (2006).
11. D. H. Kang, I. H. Kim, J. H. Jeong, and B. K. Cheong, J. Appl. Phys. 100, 054506 (2006).
12. H. Y. Cheng, Y. C. Chen, C. M. Lee, R. J. Chung, and T. S. Chin, J. Electrochem. Soc. 153, G685 (2006).
13. Y. K. Kim, S. A. Park, J. H. Baeck, M. K. Noh, and K. Jeong, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 929 (2006).
14. S. Privitera and E. Rimini, J. Appl. Phys. 94, 4409 (2003).
15. A. Rodguez, J. Olivares, J. Sangrador, T. Rodguez, C. Ballesteros, M. Castro, and R. M. Gwilliam, Thin Solid Films 383, 113 (2001).
16. T. J. King and K. C. Saraswat, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1991, 567.
17. E. Morales-Sánchez, E. F. Prokhorov, J. González- Hernández, and A. Mendoza-Galván, Thin Solid Films 471, 243 (2005).
18. N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, and N. Akahira, J. Appl. Phys. 69, 2849 (1991).
19. H. Stohr and W. Klemm, Z. Anorg. Allg. Chem. 241, 305 (1954).
20. F. Schaffler, Properties of Advanced SemiconductorMaterials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (Wiley, New York, 2001), p. 149-188.
21. D. T. Morelli and J. P. Heremans, Appl. Phys. Lett. 81, 5126 (2002).
22. O. W. Käding, H. Skurk, and K. E. Goodson, Appl. Phys. Lett. 65, 1629 (1994).