Optical transitions of the silicon vacancy in 6H-SiC studied by positron annihilation spectroscopy

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 66, Issue 7, 2002, Pages 752061-7520610

  Arpiainen, S ^a   Saarinen, K ^a   Hautojarvi P ^a   Henry, L ^b   Barthe, M F ^b   Corbel, C ^b  

^a AALTO UNIVERSITY   (Finland)

^b CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON; SILICON;

ARTICLE; CONDUCTANCE; IONIZATION; IRRADIATION; MATHEMATICAL ANALYSIS; OPTICS; SPECTROSCOPY;

EID: 4243243695     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.66.075206     Document Type: Article

References (45)

1. T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W. J. Choyke, A. Schöner, and N. Nordell, Phys. Status Solidi A 162, 199 (1997).
2. A. Zywietz, J. Furthmüller, and F. Bechstedi, Phys. Rev. B 59, 15 166 (1999).
3. A. Zywietz, J. Furthmüller, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 62, 6854 (2000).
4. L. Torpo, R. M. Nieminen, K. E. Laasonen, and S. Pöykkö, Appl. Phys. Lett. 74, 221 (1999).
5. L. Torpo, M. Marlo, T. E. M. Staab, and R. M. Nieminen, J. Phys.: Condens. Matter 13, 6203 (2001).
6. T. Wimbauer, B. K. Meyer, A. Hofstaetter, A. Scharmann, and H. Overhof, Phys. Rev. B 56, 7384 (1997).
7. N. T. Son, E. Sörman, W. M. Chen, O. Kordina, B. Monemar, and E. Janzen, Appl. Phys. Lett. 65, 2687 (1994).
8. E. Sörman, N. T. Son, W. M. Chen, O. Kordina, C. Hallin, and E. Janzen, Phys. Rev. B 61, 2613 (2000).
9. M. Wagner, B. Magnusson, W. M. Chen, E. Janzen, E. Sörman, C. Hallin, and J. L. Lindström, Phys. Rev. B 62, 16 555 (2000).
10. H. J. von Bardeleben, J. L. Cantin, L. Henry, and M. F. Barthe, Phys. Rev. B 62, 10 841 (2000).
11. H. J. von Bardeleben, J. L. Cantin, I. Vickridge, and G. Battistig, Phys. Rev. B 62, 10 126 (2000).
12. H. Itoh, A. Kawasuso, T. Ohshima, M. Yoshikawa, I. Nashiyama, S. Tanigawa, S. Misawa, H. Okumura, and S. Yoshida, Phys. Status Solidi A 162, 173 (1997).
13. K. Saarinen, P. Hautojärvi, and C. Corbel, in Identification of Defects in Semiconductors, edited by M. Stavola (Academic, New York, 1998), p. 209.
14. R. Krause-Rehberg and H. S. Leipner, Positron Annihilation in Semiconductors (Springer, Heidelberg, 1999).
15. C. C. Ling, C. D. Beling, and S. Fung, Phys. Rev. B 62, 8016 (2000).
16. A. Polity, S. Huth, and M. Lausmann, Phys. Rev. B 59, 10 603 (1999).
17. A. Kawasuso, H. Itoh, S. Okada, and H. Okumura, J. Appl. Phys. 80, 5639 (1996).
18. A. Kawasuso, H. Itoh, T. Ohshima, K. Abe, and S. Okada, J. Appl. Phys. 82, 3232 (1996).
19. A. Kawasuso, R. Redmann, R. Krause-Rehberg, M. Yoshikawa, K. Kojima, and H. Itoh, Phys. Status. Solidi B 223, R8 (2001).
20. A. Kawasuso, R. Redmann, R. Krause-Rehberg, T. Frank, M. Weidner, G. Pensl, P. Sperr, and H. Itoh, J. Appl. Phys. 90, 3377 (2001).
21. W. Puff, A. G. Balogh, and P. Mascher, in Microstructural Processes in Infrared Materials, edited by S. J. Zinkle, G. Lucas, R. Ewing, and J. Williams, MRS Symposia Proceedings No. 540 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1999), p. 177.
22. W. Puff, A. G. Balogh, and P. Mascher, Mater. Sci. Forum 338- 342, 969 (2000).
23. G. Brauer, W. Anwand, P. G. Coleman, A. P. Knights, F. Plazaola, Y. Pacaud, W. Skorupa, J. Störmer, and P. Willutzki, Phys. Rev. B 54, 3084 (1996).
24. M.-F. Barthe, L. Henry, C. Corbel, G. Blondiaux, K. Saarinen, P. Hautojärvi, E. Hugonnard, L. Di Cioccio, F. Letertre, and B. Ghyselen, Phys. Rev. B 62, 16 638 (2000).
25. D. T. Britton, M.-F. Barthe, C. Corbel, A. Hempel, L. Henry, P. Desgardin, W. Bauer-Kugelmann, G. Kögel, P. Sperr, and W. Triftshäuser, Appl. Phys. Lett. 78, 1234 (2001).
26. M. Gong, S. Fung, C. D. Beling, and Z. You, J. Appl. Phys. 85, 7604 (1999).
27. M. A. Müller, A. A. Rempel, K. Reichle, W. Sprengel, J. Major, and H.-E. Schaefer, Mater. Sci. Forum 363-365, 70 (2001).
28. F. Redmann, A. Kawasuso, K. Petters, R. Krause-Rehberg, and H. Itoh, Mater. Sci. Forum 363-365, 126 (2001).
29. K. Saarinen, S. Kuisma, P. Hautojärvi, C. Corbel, and C. LeBerre, Phys. Rev. Lett. 70, 2794 (1993).
30. S. Kuisma, K. Saarinen, P. Hautojärvi, C. Corbel, and C. LeBerre, Phys. Rev. B 53, 9814 (1996).
31. H. Kauppinen, C. Corbel, J. Nissilä, K. Saarinen, and P. Hautojärvi, Phys. Rev. B 57, 12 911 (1998).
32. H. Inui, H. Mori, and H. Fujita, Philos. Mag. B 61, 107 (1990).
33. M. Alatalo, H. Kauppinen, K. Saarinen, M. J. Puska, J. Mäkinen, P. Hautojärvi, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 51, 4176 (1995).
34. P. Asoka-Kumar, M. Alatalo, V. J. Ghosh, A. C. Kruseman, B. Nielsen, and K. G. Lynn, Phys. Rev. Lett. 77, 2097 (1996).
35. G. Brauer, W. Anwand, E.-M. Nicht, J. Kuriplach, M. Sob, N. Wagner, P. G. Coleman, M. J. Puska, and T. Korhonen, Phys. Rev. B 54, 2512 (1996).
36. T. Staab, L. M. Torpo, M. J. Puska, and R. M. Nieminen, Mater. Sci. Forum 353-356, 533 (2001).
37. More details concerning the introduction of vacancies and negative ions in irradiated 6H-SiC will be published separately.
38. J. W. Steeds, F. Carosella, G. A. Evans, M. M. Ismail, L. R. Danks, and W. Voegeli, Mater. Sci. Forum 353-356, 381 (2001).
39. A. Chantre, G. Vincent, and D. Bois, Phys. Rev. B 23, 5335 (1981).
40. M. Okada, K. Atobe, M. Nakagawa, S. Kanazawa, I. Kanno, and I. Kimura, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 166-167, 399 (2000).
41. M. O. Aboelfotoh and J. P. Doyle, Phys. Rev. B 59, 10823 (1999).
42. C. Hemmingsson, N. T. Son, O. Kordina, J. P. Bergman, E. Janzen, J. L. Lindström, S. Savage, and N. Nordell, J. Appl. Phys. 81, 6155 (1997).
43. C. G. Hemmingsson, N. T. Son, A. Ellison, J. Zhang, and E. Janzen, Phys. Rev. B 58, 10 119 (1998).
44. C. Hemmingsson, N. T. Son, O. Kordina, E. Janzen, and J. L. Lindström, J. Appl. Phys. 84, 704 (1998).
45. C. G. Hemmingsson, N. T. Son, and E. Janzen, Appl. Phys. Lett. 74, 839 (1999).