The effect of ion-surface and ion-bulk interactions during hydrogenated amorphous silicon deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 7, 2007, Pages

  Smets, A H M ^a,b   Kessels, W M M ^a   Van De Sanden, M C M ^a  

^a EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

^b NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DEGREES OF FREEDOM (MECHANICS); MICROSTRUCTURE; PHASE DIAGRAMS; PHOTOSENSITIVITY; VACANCIES;

ENERGETIC IONS; EXPANDING THERMAL PLASMA (ETP); EXTERNAL RF SUBSTRATE BIAS (ERFSB); ION BULK INTERACTIONS; ION SPUTTERING PROCESSES; ION SURFACE; VOID DENSITY;

AMORPHOUS SILICON;

EID: 35348902559     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2786873     Document Type: Article

References (48)

1. H. Fujiwara, M. Kondo, and A. Matsuda, J. Non-Cryst. Solids 338-340, 97 (2004).
2. R. J. Koval, J. Koh, Z. Lu, L. Jiao, R. W. Collins, and C. R. Wronski, Appl. Phys. Lett. 75, 1553 (1999).
3. P. Roca i Cabarrocas, A. Fontcuberta, S. Lebib, and Y. Poissant, Pure Appl. Chem. 74, 359 (2002).
4. S. Shimizu, M. Kondo, and A. Matsuda, J. Appl. Phys. 97, 033522 (2005).
5. M. Kondo, M. Fukawa, L. Guo, and A. Matsuda, J. Non-Cryst. Solids 266-269, 84-89 (2000).
6. A. H. M. Smets and M. Kondo, J. Non-Cryst. Solids 352, 937 (2006).
7. B. Drevillon, J. Perrin, J. M. Siefert, J. Huc, A. Lioret, G. de Rosny, and J. P. M. Schmitt, Appl. Phys. Lett. 42, 801 (1983).
8. B. Drevillon and M. Toulemonde, J. Appl. Phys. 58, 535 (2004).
9. E. A. G. Hamers, W. G. J. H. M. van Sark, J. Bezemer, H. Meiling, and W. F. van der Weg, J. Non-Cryst. Solids 226, 205 (1998).
10. T. V. Herak, T. T. Chau, S. R. Mejia, P. K. Shufflebotham, J. J. Schellenberg, H. C. Card, K. C. Kao, and R. D. McLeod, J. Non-Cryst. Solids 97&98, 277 (1987).
11. M. V. R. Murty and H. A. Atwater, Phys. Rev. B 51, 4889 (1995).
12. H. Rinnert, M. Vergnat, G. Marchal, and A. Burneau, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 147, 79 (1999).
13. P. Roca i Cabarrocas, P. Morin, V. Chu, J. P. Conde, J. Z. Liu, H. R. Park, and S. Wagner, J. Appl. Phys. 69, 2942 (1990).
14. A. S. Abramov, A. I. Kosarev, P. Roca i Cabarrocas, M. V. Shutov, and A. J. Vinogradov, Thin Solid Films 383, 178 (2001).
15. S. Zhang and D. E. Brodie, J. Phys.: Condens. Matter 3, 6597 (1991).
16. K. Kato, S. Iizuka, G. Ganguly, T. Ikeda, A. Matsuda, and N. Sato, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4547 (1997).
17. H. R. Kaufman and J. M. E. Harper, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 221 (2004).
18. T. Takagi, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 382 (1984).
19. Z. Q. Ma, Y. F. Zheng, and B. Liu, Phys. Status Solidi A 169, 239 (1998).
20. K. Wittmaack, Phys. Rev. B 68, 235211 (2003).
21. E. A. Edelberg, A. Perry, N. Benjamin, and E. S. Aydil, Rev. Sci. Instrum. 70, 2689 (1999).
22. V. Dalal, P. Weberger, M. Ring, and P. Sharma, Thin Solid Films 430, 91 (2004).
23. M. C. M. van de Sanden, R. J. Severens, W. M. M. Kessels, R. F. G. Meulenbroeks, and D. C. Schram, J. Appl. Phys. 84, 2426 (1998).
24. W. M. M. Kessels, R. J. Severens, A. H. M. Smets, B. A. Korevaar, G. J. Adriaenssens, D. C. Schram, and M. C. M. van de Sanden, J. Appl. Phys. 89, 2404 (2001).
25. A. H. M. Smets, W. M. M. Kessels, and M. C. M. van de Sanden, Appl. Phys. Lett. 86, 041909 (2005).
26. A. H. M. Smets, " Growth related material properties of hydrogenated amorphous silicon., " Ph.D. thesis, Eindhoven University of Technology, 2002.
27. A. H. Mahan, Y. Xu, D. C. Williamson, W. Beyer, J. D. Perkins, M. Vanecek, L. M. Gedvillas, and B. P. Nelson, J. Appl. Phys. 90, 5038 (2001).
28. D. Morton, K. J. Boyd, and J. W. Rabalais, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1321 (1998).
29. W. M. M. Kessels, M. G. H. Boogaarts, J. P. M. Hoefnagels, M. C. M. van de Sanden, and D. C. Schram, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2153 (2001).
30. W. M. M. Kessels, " Remote plasma deposition of hydrogenated amorphous silicon., " Ph.D. thesis, Eindhoven University of Technology, 2000.
31. F. J. H. van Assche, W. M. M. Kessels, R. Vangheluwed, W. S. Mischke, M. Evers, and M. C. M. van de Sanden, Thin Solid Films 484, 46 (2005).
32. A. H. M. Smets, W. M. M. Kessels, and M. C. M. van de Sanden, Amorphous and Nanocrystalline Silicon Science and Technology-2004, MRS Symposia Proceedings No. 808 (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 2004), pp. A-9-21.
33. A. H. M. Smets, W. M. M. Kessels, and M. C. M. van de Sanden, Appl. Phys. Lett. 82, 1547 (2003).
34. J. P. M. Hoefnagels, Y. Barrell, W. M. M. Kessels, and M. C. M. van de Sanden, J. Appl. Phys. 96, 4096 (2004).
35. W. M. M. Kessels, C. M. Leeuwis, M. C. M. van de Sanden, and D. C. Schram, J. Appl. Phys. 86, 4029 (1999).
36. I. Kato, Y. Nakano, and N. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 6404 (2000).
37. C. Böhm, J. Perrin, and P. Roca i Cabarrocas, J. Appl. Phys. 73, 2578 (1993).
38. D. Marton, in Low Energy Ion-Surface Interactions, edited by, J. W. Rabalais, (Wiley, New York, 1994).
39. H. D. Hagstrum, Phys. Rev. 96, 336 (1954).
40. K. Satake and D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 484 (2003).
41. T. Gans, V. Schulz-von der Gathen, U. Czarnetzki, and H. F. Döbele, Contrib. Plasma Phys. 42, 596 (2002).
42. K. J. Boyd, D. Marton, J. W. Rabalais, S. Uhlmann, and Th. Frauenheim, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 463 (1998).
43. S. Ramalingam, E. S. Aydil, and D. Maroudas, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 634 (2001).
44. R. W. Smith and D. J. Srolovitz, J. Appl. Phys. 79, 1448 (1996).
45. K.-H. Müller, J. Appl. Phys. 58, 2573 (1985).
46. A. H. M. Smets, W. M. M. Kessels, and M. C. M. van de Sanden, Appl. Phys. Lett. 82, 865 (2003).
47. A. M. H. N. Petit, V. Nadazdy, A. H. M. Smets, M. Zeman, M. C. M. van de Sanden, and R. A. C. M. M. van Swaaij, Proceeding of the 20th European Photovoltaic Solar-Energy Conference in Barcelona, 2005 (WIP-Renewable Energies, Munich, 2005), p. 1616.
48. E. A. G. Hamers, A. Fontcuberta, C. Niikura, R. Brenot, and P. Roca i Cabarrocas, J. Appl. Phys. 88, 3674 (2000).