Electron flux controlled switching between electron beam induced etching and deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 5, 2007, Pages

  Toth, Milos ^a   Lobo, Charlene J ^b   Hartigan, Gavin ^a   Ralph Knowles, W ^a  

^a Thermo Fisher Scientific   (United States)

^b UNIVERSITY OF TECHNOLOGY SYDNEY   (Australia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETCHING; MASKS; NANOSTRUCTURES; PRESSURE EFFECTS; SWITCHING;

CARBONACEOUS FILMS; ELECTRON BEAM INDUCED DEPOSITION (EBID); VACUUM ELECTRON IMAGING;

ELECTRON BEAMS;

EID: 33947323734     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2437667     Document Type: Article

References (60)

1. K. Molhave, D. N. Madsen, S. Dohn, and P. Boggild, Nanotechnology 15, 1047 (2004).
2. L. Rotkina, S. Oh, J. N. Eckstein, and S. V. Rotkin, Phys. Rev. B 72, 233407 (2005).
3. V. Gopal, V. R. Radmilovic, C. Daraio, S. Jin, P. D. Yang, and E. A. Stach, Nano Lett. 4, 2059 (2004).
4. K. Molhave, D. N. Madsen, A. M. Rasmussen, A. Carlsson, C. C. Appel, M. Brorson, C. J. H. Jacobsen, and P. Boggild, Nano Lett. 3, 1499 (2003).
5. T. Brintlinger, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 3174 (2005).
6. H. W. P. Koops, C. Schossler, A. Kaya, and M. Weber, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 4105 (1996).
7. Y. M. Lau, P. C. Chee, J. T. L. Thong, and V. Ng, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1295 (2002).
8. A discussion of early work on deposition and etching of carbonaceous films can be found in the review by J. J. Hern, in Introduction to Analytical Electron Microscopy, edited by, J. J. Hern, G. I. Goldstein, and, D. C. Joy, (Plenum, New York, 1979), p. 481.
9. J. W. Coburn and H. F. Winters, J. Appl. Phys. 50, 3189 (1979).
10. S. Matsui and K. Mori, Appl. Phys. Lett. 51, 1498 (1987).
11. S. Matsui, T. Ichihashi, and M. Mito, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 1182 (1989).
12. S. Matsui, Appl. Phys. Lett. 55, 134 (1989).
13. H. Fujioka, K. Nakamae, M. Hirota, K. Ura, N. Tamura, and T. Takagi, J. Phys. D 23, 266 (1990).
14. M. Taneya, Y. Sugimoto, H. Hidaka, and K. Akita, J. Appl. Phys. 67, 4297 (1990).
15. K. Nakamae, H. Tanimoto, T. Takase, H. Fujioka, and K. Ura, J. Phys. D 25, 1681 (1992).
16. D. Wang, P. C. Hoyle, J. R. A. Cleaver, G. A. Porkolab, and N. C. Macdonald, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1984 (1995).
17. K. T. Kohlmann-von Platen and W. H. Bruenger, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 4262 (1996).
18. J. H. Wang, D. P. Griffis, R. Garcia, and P. E. Russell, Semicond. Sci. Technol. 18, 199 (2003).
19. P. D. Rack, S. Randolph, Y. Deng, J. Fowlkes, Y. Choi, and D. C. Joy, Appl. Phys. Lett. 82, 2326 (2003).
20. K. Edinger, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2902 (2004).
21. S. J. Randolph, J. D. Fowlkes, and P. D. Rack, J. Appl. Phys. 98, 034902 (2005).
22. A. Folch, J. Tejada, C. H. Peters, and M. S. Wrighton, Appl. Phys. Lett. 66, 2080 (1995).
23. M. Toth, W. R. Knowles, and B. L. Thiel, Appl. Phys. Lett. 88, 023105 (2006).
24. C. Lobo and R. Leon, J. Appl. Phys. 83, 4168 (1998).
25. B. L. Thiel, M. Toth, R. Schroemges, H. Scholtz, G. van Veen, and W. R. Knowles, Rev. Sci. Instrum. 77, 033705 (2006).
26. M. Toth, M. R. Phillips, J. P. Craven, B. L. Thiel, and A. M. Donald, J. Appl. Phys. 91, 4492 (2002).
27. A. N. Broers, W. W. Molzen, J. J. Cuomo, and N. D. Wittels, Appl. Phys. Lett. 29, 596 (1976).
28. N. Silvis-Cividjian, C. W. Hagen, P. Kruit, M. A. J. Van der Stam, and H. B. Groen, Appl. Phys. Lett. 82, 3514 (2003).
29. O. Guise, J. Ahner, J. Yates, and J. Levy, Appl. Phys. Lett. 85, 2352 (2004).
30. T. Bret, S. Mauron, I. Utke, and P. Hoffmann, Microelectron. Eng. 78-79, 300 (2005).
31. W. Ding, D. A. Dikin, X. Chen, R. D. Piner, R. S. Ruoff, E. Zussman, X. Wang, and X. Li, J. Appl. Phys. 98, 014905 (2005).
32. O. Guise, H. Marbach, J. Levy, J. Ahner, and J. T. Yates, Surf. Sci. 571, 128 (2004).
33. N. Miura, A. Yamada, and M. Konagai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1275 (1997).
34. M. Amman, J. W. Sleight, D. R. Lombardi, R. E. Welser, M. R. Deshpande, M. A. Reed, and L. J. Guido, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 54 (1996).
35. L. Reimer, Scanning Electron Microscopy: Physics of Image Formation and Microanalysis, 2nd ed. (Springer, Berlin, 1998).
36. D. C. Joy and C. S. Joy, Micron 27, 247 (1996).
37. K. T. Kohlmann-von Platen, J. Chlebek, M. Weiss, K. Reimer, H. Oertel, and W. H. Brunger, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2219 (1993).
38. P. Hovington, D. Drouin, and R. Gauvin, Scanning 19, 1 (1997).
39. K. Kanaya and S. Ono, J. Phys. D 11, 1495 (1978).
40. S. Batterman, A. Kulshrestha, and H. Y. Cheng, Environ. Sci. Technol. 29, 171 (1995).
41. See, for example, the review by T. E. Karis, W. T. Kim, and M. S. Jhon, Tribol. Lett. 18, 27 (2005); and references therein.
42. See, for example, the review by T. E. Karis, W. T. Kim, and M. S. Jhon, Tribol. Lett. 18, 27 (2005); and references therein.
43. S. J. Randolph, J. D. Fowlkes, and P. D. Rack, J. Appl. Phys. 97, 124312 (2005).
44. M. Weber, M. Rudolph, J. Kretz, and H. W. P. Koops, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 461 (1995).
45. M. Weber, H. W. P. Koops, M. Rudolph, J. Kretz, and G. Schmidt, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1364 (1995).
46. I. Utke, T. Bret, D. Laub, P. Buffat, L. Scandella, and P. Hoffmann, Microelectron. Eng. 73-74, 553 (2004).
47. K. T. Kohlmann-von Platen, L. M. Buchmann, H. C. Petzold, and W. H. Brunger, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2690 (1992).
48. D. Beaulieu, Y. Ding, Z. L. Wang, and W. J. Lackey, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 2151 (2005).
49. R. W. Christy, J. Appl. Phys. 31, 1680 (1960).
50. K. A. Fichthorn and R. A. Miron, Phys. Rev. Lett. 89, 196103 (2002).
51. W. Kuch, W. Schnurnberger, M. Schulze, and K. Bolwin, J. Chem. Phys. 101, 1687 (1994).
52. Y. Itikawa and N. Mason, J. Phys. Chem. Ref. Data 34, 1 (2005).
53. D. A. Alman, D. N. Ruzic, and J. N. Brooks, Phys. Plasmas 7, 1421 (2000).
54. A. J. Hurd, D. W. Schaefer, D. M. Smith, S. B. Ross, A. Le Mehaute, and S. Spooner, Phys. Rev. B 39, 9742 (1989).
55. See, for example, K. Shimizu, H. Kawakatsu, and K. Kanaya, J. Phys. D 8, 1453 (1975); and references therein.
56. See, for example, K. Shimizu, H. Kawakatsu, and K. Kanaya, J. Phys. D 8, 1453 (1975); and references therein.
57. K. Kanaya and S. Okayama, J. Phys. D 5, 43 (1972).
58. M. T. Postek, A. E. Vladár, and M. H. Bennett, J. Microlith., J. Microlithogr., Microfabr., Microsyst. 3, 212 (2004).
59. See, for example, a recent review by B. L. Thiel and M. Toth, J. Appl. Phys. 97, 051101 (2005).
60. M. T. Postek, A. E. Vladár, M. H. Bennett, T. Rice, and R. Knowles, J. Microlithogr, J. Microlithogr., Microfabr., Microsyst. 3, 224 (2004).