Nanoscale electron-beam-stimulated processing

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 14, 2003, Pages 2326-2328

  Rack, P D ^a   Randolph, S ^a   Deng, Y ^a   Fowlkes, J ^a   Choi, Y ^a   Joy, D C ^a  

^a The University of Tennessee   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON SCATTERING; ETCHING; HYDROCARBONS; NANOTECHNOLOGY; SILICA;

ELECTRON BEAM STIMULATED DEPOSITION;

ELECTRON BEAMS;

EID: 0037425087     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1565696     Document Type: Article

References (26)

1. Y. Darici, P. H. Holloway, J. Sebastian, T. Trottier, S. Jones, and J. Ro-driquez, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 692 (1999).
2. R. R. Kunz and T. M. Mayer, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1557 (1988).
3. K. L. Lee and M. Hatzakis, J. Vac. Sci. Technol. 7, 1941 (1989).
4. I. Utke, P. Hoffmann, B. Dwir, K. Leifer, E. Kapon, and P. Doppelt, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 3168 (2000).
5. A. Folch, J. Tejada, C. H. Peters, and M. S. Wrighton, Appl. Phys. Lett. 66, 2080 (1995).
6. R. R. Kunz, T. E. Allen, and T. M. Mayer, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 1427 (1987).
7. R. R. Kunz and T. M. Mayer, Appl. Phys. Lett. 50, 962 (1987).
8. S. Matsui and M. Mito, Appl. Phys. Lett. 53, 1492 (1988).
9. S. Lipp, L. Frey, C. Lehrer, B. Frank, E. Demm, S. Pauthner, and H. Ryssel, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3920 (1996).
10. T. J. Stark, T. M. Mayer, D. P. Griffis, and P. E. Russel, J. Vac. Sci. Technob. B 10, 2685 (1992).
11. O. Yavas, C. Ochiai, M. Takai, A. Hosono, and S. Okuda, Appl. Phys. Lett. 76, 3319 (2000).
12. M. Takai, T. Kishimoto, H. Morimoto, Y. K. Park, S. Lipp, C. Lehrer, L. Frey, H. Ryssel, A. Hosono, and S. Kawabuchi, Microelectron. Eng. 41/42, 453 (1998).
13. P. C. Hoyle, J. R. A. Cleaver, and H. Ahmed, Appl. Phys. Lett. 64, 1448 (1994).
14. H. W. P. Koops, R. Weiel, D. P. Kern, and T. H. Baum, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 477 (1988).
15. P. C. Hoyle, J. R. A. Cleaver, and H. Ahmed, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 662 (1996).
16. K. T. Kohlmann-von Platen, J. Chiebek, M. Weiss, K. Reimer, H. Oertel, and W. H. Brunger, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2219 (1993).
17. R. B. Jackson and J. S. Foord, Appl. Phys. Lett. 49, 196 (1986).
18. M. Komuro and H. Hiroshima, Microelectron. Eng. 35, 273 (1997).
19. N. A. Kislov, I. I. Khodos, E. D. Ivanov, and J. Barthel, Scanning 18, 114 (1996).
20. K. T. Kohlmann, M. Thiemann, and W. H. Brunger, Microelectron. Eng. 13, 279 (1991).
21. S. Matsui and K. Mori, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 299 (1986).
22. K. T. Kohlmann-von Platen and W. H. Brunger, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 4262 (1996).
23. S. Matsui, T. Ichihashi, and M. Mito, J. Vac. Sci. Technol. 7, 1182 (1989); R. R. Kunz and T. M. Mayer, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 427 (1987).
24. S. Matsui, T. Ichihashi, and M. Mito, J. Vac. Sci. Technol. 7, 1182 (1989); R. R. Kunz and T. M. Mayer, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 427 (1987).
25. J. W. Coburn and H. F. Winters, J. Appl. Phys. 50, 3189 (1979).
26. P. E. Russell (private communications).