Reactive ion etching of high optical quality GaN/sapphire photonic crystal slab using CH4-H2 chemistry

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 4, 2007, Pages

  Bouchoule, S ^a   Boubanga Tombet, S ^b   Le Gratiet, L ^a   Le Vassor D'Yerville, M ^b   Torres, J ^b   Chen, Y ^a   Coquillat, D ^b  

^a UNIV PARIS SUD   (France)

^b UNIVERSITÉ MONTPELLIER 2   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL LATTICES; FLOW OF GASES; GALLIUM NITRIDE; HARMONIC GENERATION; METHANE; OPTICAL PROPERTIES; REACTIVE ION ETCHING; SAPPHIRE;

CONTROL PARAMETERS; ETCH RATES; NONLINEAR PROCESSES; RESONANT MODES;

PHOTONIC CRYSTALS;

EID: 33847607891     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2433770     Document Type: Article

References (49)

1. A. David, Appl. Phys. Lett. 87, 101107 (2005).
2. A. David, T. Fujii, E. Matioli, R. Sharma, S. Nakamura, S. P. DenBaars, C. Weisbuch, and H. Benisty, Appl. Phys. Lett. 88, 073510 (2006).
3. J. J. Wierer, M. R. Krames, J. E. Epler, N. F. Gardner, M. G. Craford, J. R. Wendt, J. A. Simmons, and M. M. Sigalas, Appl. Phys. Lett. 84, 3885 (2004).
4. D.-H. Kim, Appl. Phys. Lett. 87, 203508 (2005).
5. T. Kim, A. J. Danner, and K. D. Choquette, Electron. Lett. 41, 1138 (2005).
6. Z. S. Zhang, B. Zhang, J. Xu, K. Xu, Z. J. Yang, Z. X. Qin, T. J. Yu, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 88, 171103 (2006).
7. T. N. Oder, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 84, 466 (2004).
8. J. Shakya, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 85, 142 (2004).
9. Y.-S. Choi, Appl. Phys. Lett. 87, 243101 (2005).
10. J. Torres, Phys. Rev. B. 691, 085105 (2004).
11. J. Torres, M. le Vassor d'Yerville, D. Coquillat, E. Centeno, and J. P. Albert, Phys. Rev. B 71, 195326 (2005).
12. D. Coquillat, G. Vecchi, C. Comashi, A. M. Malvezzi, J. Torres, and M. Le Vassor d'Yerville, Appl. Phys. Lett. 87, 101106 (2005).
13. J. Lee, H. Cho, D. C. Hays, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. H. Shul, G. A. Vawter, and J. Han, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 557 (1998).
14. A. T. Ping, I. Adesida, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 67, 1250 (1995).
15. M. Kneissl, D. P. Bour, N. M. Johnson, L. T. Romano, B. S. Krusor, R. Donaldson, J. Walker, and C. Dunnrowicz, Appl. Phys. Lett. 72, 1539 (1998).
16. F. Binet, J.-Y. Duboz, N. Laurent, C. Bonnat, P. Collot, F. Hanauer, O. Briot, and R. L. Aulombard, Appl. Phys. Lett. 72, 960 (1998).
17. I. Adesida, A. Mahajan, E. Andideh, M. Asif Khan, D. T. Olsen, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 63, 2777 (1993).
18. D. Peyrade, Y. Chen, L. Manin-Ferlazzo, A. Lebib, N. Grandjean, D. Coquillat, R. Legros, and J. P. Lascaray, Microelectron. Eng. 57, 843 (2001).
19. T. Talierco, Superlattices Microstruct. 36, 783 (2004).
20. M. E. Lin, Z. F. Fan, Z. Ma, L. H. Allen, and H. Morko̧, Appl. Phys. Lett. 64, 887 (1994).
21. Q. Fan, S. Chevtchenko, X. Ni, S.-J. Cho, F. Yun, and H. Morko̧, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 1197 (2006).
22. A. T. Ping, I. Adesida, M. Asif Khan, and J. N. Kuznia, Electron. Lett. 30, 1895 (1994).
23. F. Karouta, B. Jacobs, P. Vreugdewater, N. G. H. van Melick, O. Schoen, H. Protzman, and M. Heuken, Electrochem. Solid-State Lett. 2, 240 (1999).
24. H. Lee, D. B. Oberman, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 67, 1754 (1995).
25. F. Karouta, B. Jacobs, O. Schoen, and M. Heuken, Phys. Status Solidi A 176, 755 (1999).
26. M. S. Feng, J. D. Guo, Y. M. Lu, and E. Y. Chang, Mater. Chem. Phys. 45, 80 (1996).
27. E. Sillero, F. Calle, and M. A. Sanchez-Carcia, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 16, 409 (2005).
28. R. J. Shul, S. P. Kilcoyne, M. Hagerott Crawford, J. E. Parmeter, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 66, 1761 (1995).
29. R. J. Shul, G. B. McClellan, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, C. Constantine, and C. Barrat, Electron. Lett. 32, 1408 (1996).
30. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 64, 2294 (1994).
31. T. Wu, Z.-B. Hao, G. Tang, and Y. Luo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L257 (2003).
32. R. J. Shul, Appl. Phys. Lett. 69, 1119 (1996).
33. T. Arakawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 5819 (2005).
34. H. K. Kim, H. Lin, and Y. Ra, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 598 (2004).
35. K. Zhu, V. Kuryatkov, B. Borisov, G. Kipshidze, S. A. Nikishin, H. Temkin, and M. Holtz, Appl. Phys. Lett. 81, 4688 (2002).
36. Y. B. Hahn, Y. H. Im, J. S. Park, K. S. Nahm, and Y. S. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1277 (2001).
37. R. J. Shul, G. Vawter, C. G. Willison, M. M. Bridges, J. W. Lee, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Solid-State Electron. 42, 2259 (1998).
38. C. Youtsey and A. Adesisa, Handbook of Advanced Plasma Processing Techniques, edited by, R. J. Shul, and, S. J. Pearton, (Springer, Berlin, 2000), Chap., p. 489.
39. E. Zhirnov, S. Stepanov, A. Gott, W. N. Wang, Y. G. Shreter, D. V. Tarkhin, and N. I. Bockhareva, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 687 (2005).
40. D. S. Y. Hsu, C. S. Kim, C. R. Eddy, R. T. Holm, R. L. Henry, J. A. Casey, V. A. Shamanian, and A. Rosenberg, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 1611 (2005).
41. C. B. Vartuli, J. D. MacKenzie, J. W. Lee, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. J. Shul, J. Appl. Phys. 80, 3705 (1996).
42. CRC Handbook of Chemistry and Physics, 85th ed., edited by, D. R. Lide, (CRC, Boca Raton, FL, 2004).
43. D. Coquillat, S. K. Murad, A. Ribayrol, C. J. M. Smith, R. M. De La Rue, C. D. W. Wilkinson, O. Briot, and R. L. Aulombard, Mater. Sci. Forum 264-268, 1403 (1998).
44. S. Y. Han, H. S. Hang, K. H. Baik, S. J. Pearton, and F. Ren, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 7234 (2005).
45. S. Tripathy, A. Raman, S. J. Chua, and A. Huan, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2522 (2001).
46. Y.-J. Han, S. Xue, W.-P. Guo, C.-Z. Sun, Z.-B. Hao, and Y. Luo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 6409 (2003).
47. T. R. Hayes, M. A. Dreisbach, P. M. Thomas, W. C. Dautremont-Smith, and L. A. Heimbrook, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 1130 (1989).
48. J.-M. Lee, K.-M. Chang, I.-H. Lee, and S.-J. Park, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1409 (2000).
49. Y. Han, S. Xue, W. Guo, Y. Luo, Z. Hao, and C. Sun, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L1139 (2003).