Characteristics of n-GaN after Cl2/Ar and Cl2/N 2 Inductively Coupled Plasma Etching

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 42, Issue 10, 2003, Pages 6409-6412

  Han, Yan Jun ^a   Xue, Song ^a   Guo, Wen Ping ^a   Sun, Chang Zheng ^a   Hao, Zhi Biao ^a   Luo, Yi ^a  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

Author keywords

Effect; I V characteristics; ICP; n GaN; PL; XPS

Indexed keywords

ARGON; CHLORINE; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; ION BOMBARDMENT; NITROGEN; PHOTOLUMINESCENCE; PLASMA ETCHING; STOICHIOMETRY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

MESA STRUCTURES; OHMIC CONTACT RESISTANCE;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0347590773     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.42.6409     Document Type: Article

References (21)

1. S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1998.
2. R. J. Shul, G. B. McClellan, S. A. Casalnuovo, D. J. Rieger, S. J. Pearton, C. Constantine, C. Barrait, R. F. Karlicek, Jr., C. Tran and M. Schuman: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 1119.
3. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. C. Liu, C. M. Chang and W. C. Hung: J. Appl. Phys. 85 (1999) 1970.
4. X. A. Cao, A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, S. J. Pearton, R. J. Shul and L. Zhang: J. Vac. Sci. Technol. A 18 (2000) 1144.
5. B. Rong, E. Van Der Drift, R. J. Reeves, W. G. Sloof and R. Cheung: J. Vac. Sci. Technol. B 19 (2001) 2917.
6. H. W. Jang, C. M. Jeon, J. K. Kim and J. L. Lee: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 2015.
7. J. M. Lee, K. M. Chang, S. W. Kim, C. Huh, I. H. Lee and S. J. Park: J. Appl. Phys. 87 (2000) 7667.
8. H. W. Choi, S. J. Chua, A. Raman, J. S. Pan and A. T. S. Wee: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 1795.
9. H. W. Choi and S. J. Chua: Phys. Status. Solidi. A 188 (2001) 393.
10. K. Remashan, S. J. Chua, A. Ramam, S. Prakash and W. Liu: Semicond. Sci. Technol. 15 (2000) 386.
11. S. Tripathy, A. Ramam, S. J. Chua, J. S. Pan and A. Huan: J. Vac. Sci. Technol. A 19 (2001) 2522.
12. F. A. Khan, L. Zhou, V. Kumar and I. Adesida: J. Vac. Sci. Technol. B 19 (2001) 2926.
13. Y. B. Hahn, Y. H. Im, J. S. Park, K. S. Nahm and Y. S. Lee: J. Vac. Sci. Technol. A 19 (2001) 1277.
14. H. S. Kim, G. Y. Yeom, J. W. Lee and T. I. Kim: Thin Solid Films 341 (1999) 180.
15. G. Franz: J. Vac. Sci. Technol. A 19 (2001) 762.
16. H. S. Kim, Y. H. Lee, G. Y. Yeom and J. W. Lee: Mater. Sci. Eng. B 50 (1997) 82.
17. R. J. Shul, L. Zhang, A. G. Baca, C. G. Willison, J. Han, S. J. Pearton and F. Ren: J. Vac. Sci. Technol. A 18 (2000) 1139.
18. S. J. Chua, H. W. Choi, J. Zhang and P. Li: Phys. Rev. B 64 (2001) 205302.
19. R. Cheung, R. J. Reeves, B. Rong, S. A. Brown, E. J. M. Fakkeldij, E. Van Der Drift and M. Kamp: J. Vac. Sci. Technol. B 17 (1999) 2759.
20. J. Y. Chen, C. J. Pan and G. C. Chi: Solid-State Electron. 43 (1999) 649.
21. D. Basak, M. Lachab, T. Nakanishi and S. Sakai: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 3710.