Reactive ion etch damage on GaN and its recovery

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 24, Issue 3, 2006, Pages 1197-1201

  Fan, Qian ^a   Chevtchenko, S ^a   Ni, Xianfeng ^a   Cho, Sang Jun ^a   Yun, Feng ^a   Morko̧, Hadis ^a  

^a Virginia Commonwealth University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND EDGE PHOTOLUMINESCENCE; PLASMA-INDUCED DAMAGE; POTASSIUM HYDROXIDE;

GALLIUM NITRIDE; LEAKAGE CURRENTS; OPTICAL PROPERTIES; POTASSIUM COMPOUNDS; SURFACE PROPERTIES; TRANSPORT PROPERTIES;

REACTIVE ION ETCHING;

EID: 33744829516     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2192542     Document Type: Article

References (26)

1. H. F. Hong, C. K. Chao, J. I. Chyi, and Y. C. Tzeng, Mater. Chem. Phys. 77, 411 (2002).
2. Y. H. Lee, H. S. Kim, G. Y. Yeom, J. W. Lee, M. C. Yoo, and T. I. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1478 (1998).
3. Z. Z. Chen, Z. X. Qin, Y. Z. Tong, X. M. Ding, X. D. Hu, T. J. Yu, Z. J. Yang, and G. Y. Zhang, Physica B 334, 188 (2003).
4. J. T. Drotar, Y. P. Zhao, T. M. Lu, and G. C. Wang, Phys. Rev. B 61, 3012 (2000).
5. M. T. Kim, Appl. Surf. Sci. 228, 245 (2004).
6. S. Tripathy, A. Ramam, S. J. Chua, J. S. Pan, and A. Huan, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2522 (2001).
7. S. J. Chua, H. W. Choi, J. Zhang, and P. Li, Phys. Rev. B 64, 205302 (2001).
8. K. M. Chang, C. C. Cheng, and J. Y. Chu, J. Electrochem. Soc. 149, G367 (2002).
9. F. A. Khan, L. Zhou, V. Kumar, and I. Adesida, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2926 (2001).
10. X. A. Cao et al., Appl. Phys. Lett. 75, 232 (1999).
11. K. Zhu, V. Kuryatkov, B. Borisov, G. Kipshidze, S. A. Nikishin, H. Temkin, and M. Holtz, Appl. Phys. Lett. 81, 4688 (2002).
12. S. J. Pearton, J. W. Lee, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, and R. J. Shul, Appl. Phys. Lett. 67, 2329 (1995).
13. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. C. Liu, C. M. Chang, and W. C. Huang, J. Appl. Phys. 85, 1970 (1999).
14. R. Cheung, S. Withanage, R. J. Reeves, S. A. Brown, I. Ben-Yaacov, C. Kirchner, and M. Kamp, Appl. Phys. Lett. 74, 3185 (1999).
15. D. Basak, M. Lachab, T. Nakanishi, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 75, 3710 (1999).
16. B. Molnar, C. R. Eddy, Jr., and K. Doverspike, J. Appl. Phys. 78, 6132 (1995).
17. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. Asif Khan, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 27, 261 (1998).
18. M. A. Reshchikov, S. Sabuktagin, D. K. Johnstone, and H. Morko̧, J. Appl. Phys. 96, 2556 (2004).
19. R. Sporken et al., MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 23 (1997).
20. C. I. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2218 (1998).
21. J. M. Lee, K. M. Chang, S. W. Kim, C. Huh, I. H. Lee, and S. J. Park, J. Appl. Phys. 87, 7667 (2000).
22. S.-J. Cho, S. Dogan, S. Sabuktagin, M. A. Reshchikov, D. K. Johnstone, and H. Morko̧, Appl. Phys. Lett. 84, 3070 (2004).
23. H. W. Choi, S. J. Chua, A. Raman, J. S. Pan, and A. T. S. Wee, Appl. Phys. Lett. 77, 1795 (2000).
24. A. Motayed, A. Sharma, K. A. Jones, M. A. Derenge, A. A. Iliadis, and S. N. Mohammad, J. Appl. Phys. 96, 3286 (2004).
25. J. Spradlin, S. Dogan, M. Mikkelson, D. Huang, L. He, D. Johnstone, H. Morko̧, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 82, 3556 (2003).
26. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981).