Increased Schottky barrier heights for Au on n- And p-type GaN using cryogenic metal deposition

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 12, 2006, Pages

  Wang, Hung Ta ^a   Jang, S ^a   Anderson, T ^a   Chen, J J ^a   Kang, B S ^a   Ren, F ^a   Voss, L F ^a   Stafford, L ^a   Khanna, R ^a   Gila, B P ^a   Pearton, S J ^a   Shen, H ^b   LaRoche, Jeffrey R ^c   Smith, Kurt V ^a,b,c  

^a University of Florida   (United States)

^b U S ARMY RESEARCH LABORATORY   (United States)

^c RAYTHEON COMPANY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING TEMPERATURES; BARRIER HEIGHT; CRYOGENIC METAL DEPOSITION; REVERSE CURRENT;

ANNEALING; CRYOGENICS; DEPOSITION; ELECTRIC RESISTANCE; GOLD; LEAKAGE CURRENTS; SCHOTTKY BARRIER DIODES;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 33749003467     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2356698     Document Type: Article

References (31)

1. J. Sun, H. Fatima, A. Koudymov, A. Chitnis, X. Hu, H.-M. Wang, J. Zhang, G. Simin, J. Yang, and M. A. Khan, IEEE Electron Device Lett. 24, 375 (2003).
2. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kaminsky, J. W. Kretchmer, R. A. Beaupre, J. L. Garrett, J. B. Tucker, B. J. Edward, J. Foppes, and A. F. Allen, Solid-State Electron. 47, 821 (2003).
3. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kaminsky, V. Tilak, J. C. Grande, J. Teetsov, A. Vertiatchikh, and L. F. Eastman, J. Electron. Mater. 32, 388 (2003).
4. V. Kumar, L. Zhou, D. Selvanathan, and I. Adesida, J. Appl. Phys. 92, 1712 (2002).
5. Abhishek Motayed, Ravi Bathe, Mark C. Wood, Ousmane S. Diouf, R. D. Vispute, and S. Noor Mohammad, J. Appl. Phys. 93, 1087 (2003).
6. Jinwook Burm, Kenneth Chu, William A. Davis, William J. Schaff, Lester F. Eastman, and Tyler J. Eustis, Appl. Phys. Lett. 70, 464 (1997).
7. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1998).
8. D. Qiao, Z. F. Guan, J. Carlton, S. S. Lau, and G. J. Sullivan, Appl. Phys. Lett. 74, 2652 (1999).
9. S.-H. Lim, J. Washburn, Z. Liliental-Weber, and D. Qiao, Appl. Phys. Lett. 78, 3797 (2001).
10. M. Asif Khan, M. S. Shur, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 3022 (1996).
11. S. Murai, H. Masuda, Y. Koide, and Masanori Murakami, Appl. Phys. Lett. 80, 2934 (2002).
12. Changzhi Lu, Hongnai Chen, Xiaoliang Lu, Xuesong Xie, and S. Noor Mohammad, J. Appl. Phys. 91, 9218 (2002).
13. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
14. K. O. Schweitz, P. K. Wang, S. E. Mohney, and D. Gotthold, Appl. Phys. Lett. 80, 1954 (2002).
15. M. W. Cole, D. W. Eckart, W. Y. Han, R. L. Pfeffer, T. Monahan, F. Ren, C. Yuan, R. A. Stall, S. J. Pearton, Y. Li, and Y. Lu, J. Appl. Phys. 80, 278 (1996).
16. M. W. Cole, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc. 144, L275 (1997).
17. X. A. Cao, S. J. Pearton, F. Ren, and J. R. Lothian, Appl. Phys. Lett. 73, 942 (1998).
18. A. Zeitouny, M. Eizenberg, S. J. Pearton, and F. Ren, J. Appl. Phys. 88, 2048 (2000).
19. D. Selvanathan, F. M. Mohammed, A. Tesfayesus, and I. Adesida, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2409 (2004).
20. D. Selvanathan, L. Zhou, V. Kumar, I. Adesida, and N. Finnegan, J. Electron. Mater. 32, 335 (2003).
21. J. Kim, F. Ren, A. G. Baca, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 82, 3263 (2003).
22. K. O. Schweitz, P. K. Wang, S. E. Mohney, and D. Gotthold, Appl. Phys. Lett. 80, 1954 (2002).
23. B. Luo, F. Ren, R. C. Fitch, J. K. Gillespie, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, A. Crespo, A. G. Baca, R. D. Briggs, D. Gotthold, R. Birkhahn, B. Peres, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 82, 3910 (2003).
24. R. Mehandru, S. Kang, S. Kim, F. Ren, I. Kravchenko, W. Lewis, and S. J. Pearton, Mater. Sci. Semicond. Process. 7, 95 (2004).
25. H. J. Lee, W. A. Anderson, H. Hardtdegen, and H. Luth, Appl. Phys. Lett. 63, 1939 (1993).
26. S. A. Clark, S. P. Wilks, A. Kestle, D. I. Westwood. and M. Elliot, Surf. Sci. 352-354, 850 (1996).
27. D. S. Cammack, S. M. McGregor, J. J. McChesney, S. A. Clark, P. R. Dunstan, S. R. Burgess, S. P. Wilks, F. Peiro, J. C. Ferrer, A. Cornet, J. R. Morante, A. Kestle, D. I. Westwood, and M. Elliott, Appl. Surf. Sci. 123/123, 501 (1998).
28. J. E. Siewenie and L. He, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1799 (1999).
29. C. Merz, M. Kunzer, U. Kaufmann, I. Akasaki, and H. Amano, Semicond. Sci. Technol. 11, 712 (1996).
30. H. Nakayama, P. Hacke, M. R. H. Kan, T. Dtech-Prohm, K. Hirmatsu, and N. Sawaki. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L282 (1996).
31. L. S. Yu, Q. Z. Liu, Q. J. Xing, D. J. Qiao, S. S. Lau, and J. Redwing, J. Appl. Phys. 84, 2099 (1998).