Thermally-stable low-resistance Ti/Al/Mo/Au multilayer ohmic contacts on n-GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 92, Issue 3, 2002, Pages 1712-1714

  Kumar, V ^a   Zhou, L ^a   Selvanathan, D ^a   Adesida, I ^a  

^a University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LONG-TERM ANNEALING; LOW RESISTANCE; OHMIC CHARACTERISTICS; SPECIFIC CONTACT RESISTIVITY;

DEGRADATION; ELECTRIC CONTACTORS; GALLIUM NITRIDE; RAPID THERMAL ANNEALING;

OHMIC CONTACTS;

EID: 0036679147     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1491584     Document Type: Article

References (19)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 2014 (1998). apl APPLAB 0003-6951
2. M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys. 79, 7433 (1996). jap JAPIAU 0021-8979
3. Y. F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998). edl EDLEDZ 0741-3106
4. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994). apl APPLAB 0003-6951
5. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, M. Asif Khan, Q. Chen, and J. W. Wang, Appl. Phys. Lett. 70, 57 (1997). apl APPLAB 0003-6951
6. J. S. Kwak, S. E. Mohney, J. Y. Lin, and R. S. Kern, Semicond. Sci. Technol. 15, 756 (2000). sst SSTEET 0268-1242
7. Y. Koyama, T. Hashizume, and H. Hasegawa, Solid-State Electron. 43, 1483 (1999). sel SSELA5 0038-1101
8. L. S. Tan, S. Parkash, K. M. Ng, A. Raman, S. J. Chua, A. T. S. Wee, and S. L. Lim, Semicond. Sci. Technol. 15, 585 (2000). sst SSTEET 0268-1242
9. Z. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996). apl APPLAB 0003-6951
10. D. F. Wang, F. Shiwei, C. Lu, A. Motayed, M. Jah, S. N. Mohammad, K. A. Jones, and L. S. Riba, J. Appl. Phys. 89, 6214 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
11. E. F. Chor, D. Zhang, H. Gong, G. L. Chen, and T. Y. F. Liew, J. Appl. Phys. 90, 1242 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
12. S. J. Cai, R. Li, Y. L. Chen, L. Wong, W. G. Wu, S. G. Thomas, and K. L. Wang, Electron. Lett. 34, 2354 (1998). ell ELLEAK 0013-5194
13. C. T. Lee and H. W. Kao, Appl. Phys. Lett. 76, 2364 (2000). apl APPLAB 0003-6951
14. A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, J. M. Van Hove, J. J. Klaassen, P. P. Chow, X. A. Cao, and S. J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1149 (2000). jva JVTAD6 0734-2101
15. P. Shewmon, Diffusion in Solids, 2nd ed. (TMS Press, Warrendale, PA, 1989).
16. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. Asif Khan, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 27, 261 (1998). jem JECMA5 0361-5235
17. N. A. Papanicolaou, M. V. Rao, J. Mittereder, and W. T. Anderson, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 261 (2001). jvb JVTBD9 0734-211X
18. B. P. Luther, J. M. DeLucca, S. E. Mohney, and R. F. Karlicek, Jr., Appl. Phys. Lett. 71, 3859 (1997). apl APPLAB 0003-6951
19. B. Boudart, S. Trassaert, X. Wallart, J. C. Pesant, O. Yaradou, D. Theron, Y. Crosnier, H. Lahreche, and F. Omnes, J. Electron. Mater. 29, 603 (2000). jem JECMA5 0361-5235