Improved morphology for ohmic contacts to AlGaN/GaN high electron mobility transistors using WSix- or W-based metallization

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 22, 2003, Pages 3910-3912

  Luo, B ^a   Ren, F ^a   Fitch, R C ^b   Gillespie, J K ^b   Jenkins, T ^b   Sewell, J ^b   Via, D ^b   Crespo, A ^b   Baca, A G ^c   Briggs, R D ^c   Gotthold, D ^d   Birkhahn, R ^d   Peres, B ^d   Pearton, S J ^a  

^a University of Florida   (United States)

^b AIR FORCE RESEARCH LABORATORY   (United States)

^c SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^d EMCORE Corporation   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; GALLIUM NITRIDE; HETEROJUNCTIONS; METALLIZING; OHMIC CONTACTS; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; THERMODYNAMIC STABILITY;

CONTACT RESISTIVITY;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 0038307319     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1579845     Document Type: Article

References (29)

1. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
2. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, M. Asif Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 70, 57 (1997).
3. Z. Fan, S. Noor Mohammad, W. Kim, Ö. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
4. V. Kumar, L. Zhou, D. Selvanathan, and I. Adesida, J. Appl. Phys. 92. 1712 (2002).
5. A. Motayed, R. Bathe, M. C. Wood, O. S. Diouf, R. D. Vispute, and S. Noor Mohammad, J. Appl. Phys. 93, 1087 (2003).
6. J. Burm, K. Chu, W. A. Davis, W. J. Schaff, L. F. Eastman, and T. J. Eustis, Appl. Phys. Lett. 70, 464 (1997).
7. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, D. Qiao, S. S. Lau, and P. K. Chu, Appl. Phys. Lett. 73, 2582 (1998).
8. A. N. Bright, P. J. Thomas, M. Weyland, D. M. Tricker, C. J. Humphreys, and R. Davies, J. Appl. Phys. 89, 3143 (2001).
9. N. A. Papanicolaou, M. V. Rao, J. Mittereder, and W. T. Anderson, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 261 (2001).
10. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1998).
11. R. Li, S. J. Cai, L. Wong, Y. Chen, K. L. Wang, R. P. Smith, S. C. Martin, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, IEEE Electron Device Lett. 20, 323 (1999).
12. S. T. Sheppard, K. Doverspike, W. L. Pribble, S. T. Allen, J. W. Palmour, L. T. Kehias, and T. J. Jenkins, IEEE Electron Device Lett. 20, 161 (1999).
13. D. Qiao, Z. F. Guan, J. Carlton, S. S. Lau, and G. J. Sullivan, Appl. Phys. Lett. 74, 2652 (1999).
14. V. Tilak, R. Dimitov, M. Murphy, B. Green, J. Smart, W. J. Schaft, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 622, T7.4.1 (2000).
15. S.-H. Lim, J. Washburn, Z. Liliental-Weber, and D. Qiao, Appl. Phys. Lett. 78, 3797 (2001).
16. M. Asif Khan, M. S. Shur, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 3022 (1996).
17. S. Murai, H. Masuda, Y. Koide, and M. Murakami, Appl. Phys. Lett. 80, 2934 (2002).
18. C. Lu, H. Chen, X. Lv, X. Xie, and S. Noor Mohammad, J. Appl. Phys. 91, 9218 (2002).
19. J. S. Foresi and T. D. Moustakus, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
20. M. W. Fay, G. Moldovan, P. D. Brown, I. Harrison, J. C. Birbeck, B. T. Hughes, M. J. Uren, and T. Martin, J. Appl. Phys. 92, 94 (2002).
21. K. O. Schweitz, P. K. Wang, S. E. Mohney, and D. Gotthold, Appl. Phys. Lett. 80, 1954 (2002).
22. G. Oskam, P. C. Searson, and M. W. Cole, Appl. Phys. Lett. 76, 1300 (2000).
23. M. W. Cole, P. C. Joshi, C. W. Hubbard, M. C. Wood, M. H. Ervin, B. Geil, and F. Ren, J. Appl. Phys. 88, 2652 (2000).
24. M. W. Cole, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc. 144, L275 (1997).
25. M. W. Cole, D. W. Eckart, W. Y. Han, R. L. Pfeffer, T. Monahan, F. Ren, C. Yuan, R. A. Stall, S. J. Pearton, Y. Li, and Y. Lu, J. Appl. Phys. 80, 278 (1996).
26. A. Zeitouny, M. Eizenberg, S. J. Pearton, and F. Ren, J. Appl. Phys. 88, 2048 (2000).
27. H. H. Berger, Solid-State Electron. 24, 69 (1981).
28. G. K. Reeves and H. B. Harrison, IEEE Electron Device Lett. 3, 111 (1982).
29. J. Chen, D. G. Ivey, J. Bardwell, Y. Liu, H. Tang, and J. B. Webb, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1004 (2002).