Thermal stability of WSix and W Schottky contacts on n-GaN

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 19, 2003, Pages 3263-3265

  Kim, Jihyun ^a   Ren, F ^a   Baca, A G ^b   Pearton, S J ^a  

^a University of Florida   (United States)

^b SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE TRANSFER; CURRENT DENSITY; ELECTRIC CONTACTS; ELECTRIC SPACE CHARGE; LEAKAGE CURRENTS; SPUTTER DEPOSITION; THERMIONIC EMISSION; THERMODYNAMIC STABILITY;

SCHOTTKY CONTACTS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0038657625     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1576506     Document Type: Article

References (30)

1. K. A. Rickert, A. B. Ellis, J. K. Kim, J.-L. Lee, F. J. Himpsel, F. Dwikusuma, and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 92, 6671 (2002).
2. Q. Z. Liu, L. S. Yu, S. S. Lau, J. M. Redwing, N. R. Perkins, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 70, 1275 (1997).
3. S. N. Mohammad, Z. Fan, A. E. Botchkarev, W. Kim, O. Aktas, A. Salvador, and H. Morkoc, Electron. Lett. 32, 598 (1996).
4. A. T. Ping, A. C. Schmitz, M. A. Khan, and I. Adesida, Electron. Lett. 32, 68 (1996).
5. H. Hasegewa and S. Oyama, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1647 (2002).
6. T. G. G. Maffeis, M. C. Simmonds, S. A. Clark, F. Peiro, P. Haines, and P. J. Parbrook, J. Appl. Phys. 92, 3179 (2002).
7. L. Zhou, F. A. Khan, G. Cueva, V. Kumar, I. Adesida, M. R. Sardela, Jr., and F. D. Auret, Appl. Phys. Lett. 81, 1624 (2002).
8. J. Schalwig, G. Müller, U. Karrer, M. Eickhoff, O. Ambacher, M. Stutzmann, L. Görgens, and G. Dollinger, Appl. Phys. Lett. 80, 1222 (2002).
9. G. L. Chen, F. C. Chang, K. C. Shen, J. Ou, W. H. Chen, M. C. Lee, W. K. Chen, M. J. Jou, and C. N. Huang, Appl. Phys. Lett. 80, 595 (2002).
10. B. J. Zhang, T. Egawa, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, M. Umeno, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 79, 2567 (2001).
11. Y. Kokubua, T. Seto, and S. Nakagomu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L663 (2001).
12. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R. N. Kleiman, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 1685 (2001).
13. U. Karrer, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 77, 2012 (2000).
14. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 4130 (1999).
15. E. G. Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett. 74, 2367 (1999).
16. H. S. Venugopalan and S. E. Mohney, Appl. Phys. Lett. 73, 1242 (1998).
17. L. S. Yu, Q. Z. Liu, Q. J. Xing, D. J. Qiao, S. S. Lau, and J. Redwing, J. Appl. Phys. 84, 2099 (1998).
18. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, and C. M. Chang, Appl. Phys. Lett. 72, 3317 (1998).
19. H. Ishikawa, K. Nakamura, T. Egawa, T. Jimho, and M. Uneno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L7 (1998).
20. L. Wang, M. I. Nathan, T.-H. Lim, M. A. Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 1267 (1996).
21. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1998).
22. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
23. A. C. Schmitz, A. T. Piag, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 27, 255 (1998).
24. S. E. Mohney and S. S. Lau, in GaN and Related Materials II, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York, 1998).
25. M. W. Cole, D. W. Eckart, W. Y. Han, R. L. Pfeffer, T. Monahan, F. Ren, C. Yuan, R. A. Stall, S. J. Pearton, Y. Li, and Y. Lu, J. Appl. Phys. 80, 278 (1996).
26. M. W. Cole, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc. 144, L275 (1997).
27. X. A. Cao, S. J. Pearton, F. Ren, and J. R. Lothian, Appl. Phys. Lett. 73, 942 (1998).
28. A. Zeitouny, M. Eizenberg, S. J. Pearton, and F. Ren, J. Appl. Phys. 88, 2048 (2000).
29. Moon-Ho Park, C. L. Yeh, L. C. Wang, F. Deng, Q. Z. Liu, A. R. Clawson, and S. S. Lau, J. Appl. Phys. 77, 2056 (1995).
30. L. F. Wagner, R. W. Young, and A. Sugerman, IEEE Electron Device Lett. ED-4, 320 (1983).