Contact resistivity and transport mechanisms in W contacts to p- and n-GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 4, 2000, Pages 2048-2053

  Zeitouny, A ^a   Eizenberg, M ^a   Pearton, S J ^b   Ren, F ^b  

^a TECHNION ISRAEL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Israel)

^b University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0008875379     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1305834     Document Type: Article

References (25)

1. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
2. L. L. Smith, M. J. Kim, and Y. Huang, J. Mater. Res. 11, 2257 (1996).
3. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, and Z. F. Fan. Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
4. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 70, 57 (1997).
5. A. T. Ping, M. Asif Khan, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 25, 819 (1996).
6. S. Miller and P. H. Holloway, J. Electron. Mater. 25, 1709 (1996).
7. J. T. Treaxler, S. J. Miller, P. H. Holloway, and M. A. Khan, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 819 (1996).
8. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, W. C. Chen, C. Y. Chen, C. N. Huang, J. M. Hong, Y. C. Yu, C. W. Wang, and E. K. Lin, J. Appl. Phys. 83, 3172 (1998).
9. C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, and S. M. Donovan, J. Cryst. Growth 178, 74 (1997).
10. J.-S. Jang, K.-H. Park, H.-K. Jang, H.-G. Kim, and S.-J. Park, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 3105 (1998).
11. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 2953 (1998).
12. M. W. Cole, D. W. Eckart, W. Y. Han, R. L. Pfeffer, T. Monahan, F. Ren, R. A. Stall, S. J. Pearton, Y. Li, and Y. Lu, J. Appl. Phys. 80, 278 (1996).
13. M. W. Cole, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc. 144, L275 (1997).
14. X. A. Cao, S. J. Pearton, F. Ren, and J. R. Lothian, Appl. Phys. Lett. 73, 942 (1998).
15. A. Zeitouny, M. Eizenberg, S. J. Pearton, and F. Ren. Mater. Sci. Eng., B 59, 358 (1999).
16. R. Stratton, Phys. Rev. 125, 67 (1962).
17. F. A. Padovani, in Semiconductors and Semimetals, Applications and Devices, Part A, edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1971), Vol. 7, Chap. 2.
18. F. A. Padovani and R. Stratton, Solid-State Electron. 9, 695 (1966).
19. G. H. Parker and C. A. Mead, Phys. Rev. 184, 184 (1969).
20. S. S. Simeonov and E. Kafediiska, Semicond. Sci. Teehnol. 12, 1016 (1997).
21. M. W. Cole, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc. 144, L275 (1997).
22. J. M. Van Hove, P. P. Chow, J. J. Klaassen, R. Hickman, A. M. Wowchack, D. R. Corswell, and C. Policy, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 51 (1997).
23. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
24. S. S. Cohen and G. Sh. Gildenblat, in VLSI Electronics, Metal-Semiconductor Contacts and Devices, edited by N. G. Einspruch (Academic, Orlando, FL, 1986), Vol. 13, Chap. 2.
25. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 69, 3537 (1996).