Dry etching of TaN/Hf O 2 gate-stack structure in B Cl 3 Ar/O 2 inductively coupled plasmas

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 24, Issue 4, 2006, Pages 1373-1379

  Shin, M H ^c   Park, M S ^c   Lee, N E ^c   Kim, Jiyoung ^a   Kim, Chung Ywong ^b   Ahn, Jinho ^b  

^a The University of Texas at Dallas   (United States)

^b Hanyang University   (South Korea)

^c NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BORON-OXYGEN-CHLORINE COMPOUNDS; ETCH GAS CHEMISTRY; GAS MIXING RATIO; GATE-STACK STRUCTURES;

DRY ETCHING; ELECTRODES; HAFNIUM COMPOUNDS; IONS; LIGHT EMISSION; PLASMA ETCHING; SUBSTRATES;

TANTALUM COMPOUNDS;

EID: 33745513672     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2210944     Document Type: Article

References (54)

1. S. J. Lee, C. H. Choi, A. Kamath, R. Clark, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 24, 105 (2003).
2. A. Vandooren, IEEE Electron Device Lett. 24, 342 (2003).
3. C. Ren, IEEE Electron Device Lett. 25, 580 (2004).
4. A. Vandooren, IEEE Trans. Nanotechnol. 2, 324 (2003).
5. C. H. Choi, T. S. Jeon, R. Clark, and D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 24, 215 (2003).
6. C. S. Kang, IEEE Trans. Electron Devices 51, 220 (2004).
7. S. H. Bae, C. H. Lee, R. Clark, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 24, 556 (2003).
8. T. Iwamoto, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 27.5.1.
9. A. L. P. Rotondaro, M. R. Visokay, V. A. Shanware, J. J. Chambers, and L. Colombo, IEEE Electron Device Lett. 23, 603 (2002).
10. X. Wang, J. Liu, F. Zhu, N. Yamada, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices 51, 1798 (2004).
11. R. E. Nieh, IEEE Trans. Electron Devices 50, 333 (2003).
12. K.-J. Choi and S. G. Yoon, Electrochem. Solid-State Lett. 7, G47 (2004).
13. J. K. Schaeffer, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 11 (2003).
14. J. Westlinder, T. Schram, L. Pantisano, E. Cartier, A. Kerber, G. S. Lujan, J. Olsson, and G. Groeseneken, IEEE Electron Device Lett. 24, 550 (2003).
15. H. Yu, M.-F. Li, and D.-L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices 51, 609 (2004).
16. P. Alen, T. Aaltonen, M. Ritala, M. Leskela, T. Sajavaara, J. Keinonen, J. C. Hooker, and J. W. Maes, J. Electrochem. Soc. 151, G523 (2004).
17. I. De, D. Johri, A. Srivastava, and C. M. Osburn, Solid-State Electron. 44, 1077 (2000).
18. M. A. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, R. M. Wallace, and B. E. Gnade, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1981 (2002).
19. J. Chen, W. J. Yoo, D. S. H. Chan, and D.-L. Kwong, Electrochem. Solid-State Lett. 7, F18 (2004).
20. S. Norassetthekul, Appl. Surf. Sci. 187, 75 (2002).
21. J. A. Britten, H. T. Nguyen, S. F. Falabella, B. W. Shore, M. D. Perry, and D. H. Raguin, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2973 (1996).
22. K. Pelhos, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1361 (2001).
23. L. Sha, B. O. Cho, and J. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1525 (2002).
24. L. Sha, R. Puthenkovilakam, Y. S. Lin, and J. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2420 (2003).
25. L. Sha and J. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1915 (2003).
26. L. Sha and J. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 88 (2004).
27. J. Chen, K. M. Tan, N. Wu, W. J. Yoo, and D. S. H. Chan, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1210 (2003).
28. S. G. Woo, S. H. Kim, S. Y. Ju, J. H. Son, and J. H. Ahn, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 6996 (2000).
29. J. Chen, W. J. Yoo, Z. Y. L. Tan, Y. Wang, and D. S. H. Chan, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1552 (2004).
30. M. H. Shin, S. W. Na, N.-E. Lee, and J. H. Ahn, Thin Solid Films (in press).
31. M. H. Shin, S. W. Na, N.-E. Lee, T. K. Oh, J. Y. Kim, T. H. Lee, and J. H. Ahn, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 5811 (2005).
32. S. G. Woo, S. H. Kim, S. Y. Ju, J. H. Son, and J. Ahn, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 6996 (2000).
33. A. J. van Roosmalen, J. A. G. Baggerman, and S. J. H. Brader, Dry Etching for VLSI (Plenum, New York, 1991), p. 121.
34. Y. Iba, F. Kumasaka, H. Aoyama, T. Taguchi, and M. Yamabe, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L824 (1998).
35. T. Tsuchizawa, C. Takahashi, M. Shimada, S. Uchiyama, T. Ono, and M. Oda, Microelectron. Eng. 53, 595 (2000).
36. T. Tsuchizawa, H. Iriguchi, C. U. Takahashi, M. Shimada, S. Uchiyama, and M. Oda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 6914 (2000).
37. K. P. Lee, K. B. Jung, R. K. Singh, S. J. Pearton, C. Hobbs, and P. Tobin, J. Electrochem. Soc. 146, 3794 (1999).
38. H. Shimada and K. Maruyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 1768 (2004).
39. N. C. M. Fuller, I. P. Herman, and V. M. Donnelly, J. Appl. Phys. 90, 3182 (2001).
40. A. M. Efremov, D. P. Kim, and C. I. Kim, Thin Solid Films 435, 232 (2003).
41. Y. C. Kim and C. I. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2676 (2001).
42. K. H. Kwon, C. I. Kim, S. J. Yun, and G. Y. Yeom, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2772 (1998).
43. A. M. Lemonds, J. M. White, and J. G. Ekerdt, Surf. Sci. 527, 124 (2003).
44. E. Atanassova, T. Dimitrova, and J. Koprinarova, Appl. Surf. Sci. 84, 193 (1995).
45. A. Muto, F. Yano, Y. Sugawara, and S. Lijima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2699 (1994).
46. L. Chen and R. W. Hoffman, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 2303 (1993).
47. D. W. Hess, Solid State Technol. 1981, 189.
48. K. Tokunaga, F. C. Redeker, D. A. Danner, and D. W. Hess, J. Electrochem. Soc. 128, 851 (1981).
49. J. Blauer and M. Farber, J. Chem. Phys. 39, 158 (1963).
50. K. Pelhos, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1361 (2001).
51. T.-H. An, J.-Y. Park, G.-Y. Yeom, E.-G. Chang, and C.-I. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1373 (2000).
52. J. Ding, J.-S. Jenq, G.-H. Kim, H. L. Maynard, J. S. Hamers, N. Hershkowiz, and J. W. Taylor, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1283 (1993).
53. F. A. Khan and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 75, 2268 (1999).
54. M. C. Lemme, T. Mollenhauer, H. Gottlob, W. Henschel, J. Efavi, C. Welch, and H. Kurz, Microelectron. Eng. 73, 346 (2004).