Formation of polycrystalline silicon germanium/HfO2 gate stack structure using inductively coupled plasma etching

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 21, Issue 4, 2003, Pages 1210-1217

  Chen, Jinghao ^a   Tan, Kian Ming ^a   Wu, Nan ^a   Yoo, Won Jong ^a   Chan, Daniel S H ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL STRUCTURE; EMISSION SPECTROSCOPY; HAFNIUM COMPOUNDS; INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; ION BOMBARDMENT; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PLASMA ETCHING; REACTIVE ION ETCHING; SILICON COMPOUNDS; THICKNESS MEASUREMENT; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

GATE STACK STRUCTURE; HAFNIA; POLYCRYSTALLINE SILICON GERMANIUM;

POLYCRYSTALLINE MATERIALS;

EID: 0043032429     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1586283     Document Type: Article

References (37)

1. T. E. Whall and E. H. C. Parker, Thin Solid Films 367, 250 (2000).
2. D. J. Paul, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 11, 191 (1999).
3. W.-C. Lee, T. J. King, and C. Hu, IEEE Electron Device Lett. 20, 9 (1999).
4. T.-J. King and J. R. Pfiester, IEEE Electron Device Lett. 12, 533 (1991).
5. Y. V. Ponomarev, P. A. Stolk, C. Salm, J. Schmitz, and P. H. Woerlee, IEEE Trans. Electron Devices 47, 848 (2000).
6. T. D. Bestwick, G. S. Oehrlein, Y. Zhang, G. M. W. Kroesen, and E. De Fresart, Appl. Phys. Lett. 59, 336 (1991).
7. Y. Zhang, G. S. Oehrlein, and E. de Fresart, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 2492 (1993).
8. M. C. Peignon, C. Cardinaud, G. Turban, C. Charles, and R. W. Boswell, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 156 (1996).
9. L. Guo, K. Li, D. Liu, Y. Ou, J. Zhang, Q. Yi, and S. Xu, J. Cryst. Growth 227, 801 (2001).
10. G. S. Oehrlein, Y. Zhang, G. M. W. Kroesen, E. De Fresart, and T. D. Bestwick, Appl. Phys. Lett. 58, 2252 (1991).
11. R. Cheung, T. Zijlstra, E. Van Der Drift, L. J. Geerligs, A. H. Verbruggen, K. Werner, and S. Radelaar, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2224 (1993).
12. S. Vallon, C. Monget, O. Joubert, L. Vallier, F. H. Bell, M. Pons, J. L. Regolini, C. Morin, and I. Sagnes, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1874 (1997).
13. C. Monget, S. Vallon, F. H. Bell, L. Vallier, and O. Joubert, J. Electrochem. Soc. 144, 2455 (1997).
14. J. J. Guan, G. W. Gale, G. Bersuker, M. Jackson, and H. R. Huf, Solid State Phenom. 76, 19 (2001).
15. M. A. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, R. M. Wallace, and B. E. Gnade, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 2002 (2002).
16. K. K. Shih, T. C. Chieu, and D. B. Dove, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2130 (1993).
17. J. A. Britten, H. T. Nguyen, S. F. Falabella, B. W. Shore, and M. D. Perry, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2973 (1996).
18. S. Norasetthekul, P. Y. Park, K. H. Baik, K. P. Lee, J. H. Shim, B. S. Jeong, V. Shishodia, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Sci. 7551, 1 (2001).
19. Handbook of Chemistry and Physics, 70th ed. (CRC Press, Boca Raton, 1989-1990).
20. G. S. Oehrlein, G. M. W. Krosen, E. De Fresart, Y. Zhang, and T. D. Bestwick, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 768 (1991).
21. J. Foucher, G. Cunge, L. Vallier, and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 2024 (2002).
22. T. Ghani, S. Ahmed, P. Aminzadeh, J. Bielefeld, P. Charvet, C. Chu, M. Harper, P. Jacob, C. Jan, J. Kavalieros, C. Kenyon, R. Nagisetty, P. Packan, J. Sebastian, M. Taylor, J. Tsai, S. Tyagi, S. Yang, and M. Bohr, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1999, 415 (1999).
23. S. Pidin, M. Mushiga, H. Shido, T. Yamamoto, Y. Sambonsugi, Y. Tamura, and T. Sugii, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 200, 659 (2000).
24. A. A. Ayon, K. Ishihara, R. A. Braff, H. H. Sawin, and M. A. Schmitt, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1589 (1999).
25. K. K. Chi, H. S. Shin, W. J. Yoo, C. O. Jung, Y. B. Koh, and M. Y. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 2440 (1996).
26. C. Monget, A. Schiltz, O. Joubert, L. Vallier, M. Guillermet, and B. Torman, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1833 (2000).
27. L. Sha, B.-O. Cho, and J. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1525 (2002).
28. K. Pelhos, V. M. Donnelly, A. Kornblit, M. L. Green, R. B. Van Dover, L. Manchanda, Y. Hu, M. Morris, and E. Bower, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1361 (2001).
29. S. K. Choi, D. P. Kim, C. I. Kim, and E. G. Chang, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1063 (2001).
30. D. S. Wuu, C. C. Lin, R. H. Horng, F. C. Liao, and Y. H. Liu, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2231 (2001).
31. Y. J. Sung, H. S. Kim, Y. H. Lee, J. W. Lee, S. H. Chae, Y. J. Park, and G. Y. Yeom, Mater. Sci. Eng., B 82, 50 (2001).
32. W. J. Yoo, J. H. Hahm, H. W. Kim, C. O. Jung, Y. B. Koh, and M. Y. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 2501 (1996).
33. C. Steinbruchel, Appl. Phys. Lett. 55, 1960 (1989).
34. Plasma Etching: An Introduction, edited by D. M. Manos and D. L. Flamm (Academic, New York, 1989).
35. T. D. Bestwick and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1696 (1990).
36. D. Dane, P. Gadgil, T. D. Mantei, M. A. Carlson, and M. E. Weber, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1312 (1992).
37. K.-M. Chang, T.-H. Yeh, I.-C. Deng, and H.-C. Lin, J. Appl. Phys. 80, 3048 (1996).