High-efficiency InGaN light-emitting diodes via sidewall selective etching and oxidation

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 1, 2006, Pages

  Lin, Chia Feng ^a   Yang, Zhong Jie ^a   Zheng, Jing Hui ^a   Dai, Jing Jie ^a  

^a NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EPITAXIAL GROWTH; ETCHING; INDIUM COMPOUNDS; OXIDATION; PHOTOELECTRICITY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EPITAXIAL LAYER; OPERATING CURRENT; PEC OXIDIZING; REFLECTIVE INDEX;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 33644526030     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2128107     Document Type: Article

References (42)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode, Springer, New York (1997).
2. A. Billeb, W. Grieshaber, D. Stocker, E. F. Schubert, and R. F. Karlicek, Jr., Appl. Phys. Lett., 70, 2790 (1997).
3. E. F. Schubert, Light-Emitting Diodes, Cambridge University Press, Cambridge, U.K. (2003).
4. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett., 84, 855 (2004).
5. L. H. Peng, C. W. Chuang, J. K. Ho, C. N. Huang, and C. Y. Chen, Appl. Phys. Lett., 72, 939 (1998).
6. D. A. Stocker, E. F. Schubert, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett., 73, 2654 (1998).
7. M. S. Minsky, M. White, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett., 68, 1531 (1996).
8. C. Youtsey, I. Adesida, and G. Bulman, Appl. Phys. Lett., 71, 2151 (1997).
9. C. Youtsey, L. T. Romano, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett., 73, 797 (1998).
10. J. E. Borton, C. Cai, M. I. Nathan, P. Chow, J. M. Van Hove, A. Wowchak, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett., 77, 1227 (2000).
11. H. M. Ng, N. G. Weimann, and A. Chowdhury, J. Appl. Phys., 94, 650 (2003).
12. Y. Gao, M. D. Craven, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett., 84, 3322 (2004).
13. J. A. Bardwell, J. B. Webb, H. Tang, J. Fraser, and S. Moisa, J. Appl. Phys., 89, 4142 (2001).
14. Z. H. Hwang, J. M. Hwang, H. L. Hwang, and W. H. Hung, Appl. Phys. Lett., 84, 3759 (2004).
15. C. Youtsey, L. T. Romano, R. J. Molnar, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett., 74, 3537 (1999).
16. P. Visconti, K. M. Jones, M. A. Reshchikov, R. Cingolani, H. Morkoc, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett., 77, 3532 (2000).
17. J. L. Weyher, F. D. Tichelaar, H. W. Zandbergen, L. Macht, and P. R. Hageman, J. Appl. Phys., 90, 6105 (2001).
18. J. R. Mileham, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, R. J. Shul, and S. P. Kilcoyne, Appl. Phys. Lett., 67, 1119 (1995).
19. C. Youtsey, G. Bulman, and I. Adesida, J. Electron. Mater., 27, 282 (1998).
20. C. Youtsey, I. Adesida, and G. Bulman, Electron. Lett., 33, 245 (1997).
21. A. R. Stonas, T. Margalith, S. P. DenBaars, L. A. Coldren, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett., 78, 1945 (2001).
22. P. Visconti, M. A. Reshchikov, K. M. Jones, D. F. Wang, R. Cingolani, H. Morkoc, R. J. Molnar, and D. J. Smith, J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 1328 (2001).
23. E. D. Haberer, R. Sharma, A. R. Stonas, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett., 85, 762 (2004).
24. X. C. Wang, S. J. Xu, S. J. Chua, K. Li, X. H. Zhang, Z. H. Zhang, K. B. Chong, and X. Zhang, Appl. Phys. Lett., 74, 818 (1999).
25. Y. Nakano, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett., 82, 218 (2003).
26. D. J. Fu, Y. H. Kwon, T. W. Kang, C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, D. H. Shin, C. H. Lee, and K. S. Chung, Appl. Phys. Lett., 80, 446 (2002).
27. Y. Nakano, T. Kachi, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett., 82, 2443 (2003).
28. C. T. Lee, H. W. Chen, and H. Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 82, 4304 (2003).
29. C. Bae, C. Krug, G. Lucovsky, A. Chakraborty, and U. Mishra, Appl. Phys. Lett., 84, 5413 (2004).
30. L. H. Peng, C. H. Liao, Y. C. Hsu, C. S. Jong, C. N. Huang, J. K. Ho, C. C. Chiu, and C. Y. Chen, Appl. Phys. Lett., 76, 511 (2000).
31. T. Rotter, D. Mistele, J. Stemmer, F. Fedler, J. Aderhold, J. Graul, V. Schwegler, C. Kirchner, M. Kamp, and M. Heuken, Appl. Phys. Lett., 76, 3923 (2000).
32. J. W. Seo, C. S. Oh, H. S. Jeong, J. W. Yang, K. Y. Lim, C. J. Yoon, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett., 81, 1029 (2002).
33. D. J. Fu, T. W. Kang, Sh. U. Yuldashev, N. H. Kim, S. H. Park, J. S. Yun, and K. S. Chung, Appl. Phys. Lett., 78, 1309 (2001).
34. M. Rebien, W. Henrion, M. Hong, J. P. Mannaerts, and M. Fleischer, Appl. Phys. Lett., 81, 250 (2002).
35. M. F. Al-Kuhaili, S. M. A. Durrani, and E. E. Khawaja, Appl. Phys. Lett., 83, 4533 (2002).
36. A. R. Stonas, P. Kozodoy, H. Marchand, P. Fini, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett., 77, 2610 (2000).
37. A. Bell, R. Liu, F. A. Ponce, H. Amano, I. Akasaki, and D. Cherns, Appl. Phys. Lett., 82, 349 (2003).
38. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato, and T. Taguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 40, 583 (2001).
39. C. Huh, K. S. Lee, E. J. Kang, and S. J. Park, J. Appl. Phys., 93, 9383 (2003).
40. S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, Y. P. Hsu, W. C. Lai, J. M. Tsai, J. K. Sheu, and C. T. Lee, IEEE Photonics Technol. Lett., 16, 1447 (2004).
41. Y. Gao, T. Fujii, R. Sharma, K. Fujito, S. P. Denbaars, S. Nakamura, and E. L. Hu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 43, 637 (2004).
42. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett., 84, 855 (2004).